动态随机存取存储器及处理器模块制造技术

本实用新型专利技术提供了一种动态随机存取存储器及处理器模块，所述动态随机存取存储器包括第一芯片、第二芯片以及桥接晶片，所述第一芯片内封装有闪存晶片，所述第二芯片内封装有DRAM晶片；所述第一芯片、第二芯片以及桥接晶片封装于第一封装体内，且在所述第一封装体内，所述第一芯片与所述第二芯片相叠设置，所述桥接晶片分别与所述第一芯片内的闪存晶片和第二芯片内的DRAM晶片耦合。本实用新型专利技术通过将DRAM晶片、闪存晶片及桥接晶片封装在一起，并通过桥接晶片直接根据中央处理单元正在执行的指令集更新DRAM晶片中的内容，从而较小成本即可实现较大的存储容量。本即可实现较大的存储容量。本即可实现较大的存储容量。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及处理器模块


[0001]本技术涉及集成电路领域，更具体地说，涉及一种动态随机存取存储器及处理器模块。

技术介绍

[0002]目前，DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)技术获得巨大发展，主要应用的有同步动态随机接入存储器(SDRAM)、双倍数据速率(DDR)SDRAM、第2代双倍数据速率(DDR2)SDRAM、第3代双倍数据速率(DDR3)SDRAM和第4代双倍数据速率(DDR4)SDRAM等多种类型。对于上述类型的DRAM，主要由内存控制器和DRAM晶片(即内存颗粒)构成，CPU(central processing unit，中央处理单元)经由内存控制器向DRAM晶片发送控制命令，包括时钟信号、命令控制信号以及地址信号等，并通过上述控制命令控制对DRAM晶片进行数据信号的读写操作。
[0003]在计算机系统在执行程序时，由CPU执行的相关程序和数据需先放入DRAM中，在执行程序时CPU根据当前程序指针寄存器的内容从DRAM取出指令并执行指令，然后再取出下一条指令并执行，如此循环下去直到程序结束指令时才停止执行。其工作过程就是不断地取指令和执行指令的过程，最后将计算的结果放入指令指定的存储器地址中。
[0004]然而，由于DRAM的成本较高，通常其存储容量有限，因此大部分程序存储在成本相对较低的大容量存储设备中，例如硬盘、固态硬盘等，在计算机运行时，CPU需将大容量存储设备中的数据搬移到DRAM，以及将DRAM的数据写入到大容量存储设备中。并且，因大容量存储设备与中央处理单元的交互速度均大大低于中央处理单元与DRAM的交互速度，因此大大影响了计算机系统的整体运行效率。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题在于，针对上述计算机系统中因中央处理单元与大容量存储装置交互速度影响整体运行效率的问题，提供一种动态随机存取存储器及处理器模块。
[0006]本技术解决上述技术问题的技术方案是，提供一种动态随机存取存储器，包括第一芯片、第二芯片以及桥接晶片，所述第一芯片内封装有闪存晶片，所述第二芯片内封装有DRAM晶片；所述第一芯片、第二芯片以及桥接晶片封装于第一封装体内，且在所述第一封装体内，所述第一芯片与所述第二芯片相叠设置，所述桥接晶片分别与所述第一芯片内的闪存晶片和第二芯片内的DRAM晶片耦合。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述第二芯片的下表面设有多个第一电性导出件，所述桥接晶片包括多个第一金属垫，且每一所述第一电性导出件与一个所述第一金属垫电性连接。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述第一电性导出件由位于所述第二芯片下表面的第一焊球构成；或者，所述第一电性导出件由延伸到所述第二芯片下表面的外缘的第一
引脚构成。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述第一芯片包括与闪存晶片耦合的多个第二电性导出件；所述第二芯片的上表面具有与DRAM芯片耦合的多个第三电性导出件；
[0010]所述桥接晶片位于所述第一芯片和第二芯片之间，所述桥接晶片包括多个第二金属垫、多个第三金属垫，且所述第一金属垫、第二金属垫、第三金属垫均位于所述桥接晶片的上表面，每一所述第二金属垫与一个第二电性导出件电性连接，每一所述第三金属垫与一个第三电性导出件电性连接。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述第二芯片的上表面包括重布线层、多个第四电性导出件和多个第五电性导出件，所述第三电性导出件、第四电性导出件和第五电性导出件均位于所述重布线层的表面，且所述第五电性导出件和第三电性导出件通过所述重布线层内的导电结构电性连接；
[0012]所述第一金属垫、第二金属垫、第三金属垫均位于所述桥接晶片的上表面，所述第二金属垫通过引线键合方式或所述桥接晶片上的硅通孔互连结与所述第五电性导出件电性连接，所述第三金属垫通过引线键合方式或所述桥接晶片上的硅通孔互连结与所述第三电性导出件电性连接；所述第一芯片通过第二电性导出件与第四电性导出件电性连接的方式相固定。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述第二芯片的上表面包括重布线层和多个第六电性导出件；
[0014]每一所述第六电性导出件通过所述第二芯片上的硅通孔互连结构与一个所述第一电性导出件电性连接。
[0015]作为本技术的进一步改进，所述第一金属垫通过引线键合方式与所述第六电性导出件电性连接，或者所述第一金属垫通过所述桥接晶片上的硅通孔互连件与所述第六电性导出件电性连接。
[0016]作为本技术的进一步改进，所述第一芯片通过第二电性导出件与第二金属垫焊接连接的方式与桥接晶片相固定；所述桥接晶片的第三金属垫通过桥接晶片上的硅通孔互连结构与所述第二芯片的第四电性导出件电性连接并固定。
[0017]作为本技术的进一步改进，所述动态随机存取存储器包括封装在所述第一封装体内的第一基板，所述桥接晶片和第一芯片分别位于所述第一基板的上表面；
[0018]所述桥接晶片分别通过所述第一基板与所述第一芯片内的闪存晶片以及第二芯片内的DRAM晶片耦合。
[0019]作为本技术的进一步改进，所述桥接晶片包括第二金属垫和第三金属垫，所述第一芯片包括多个第二电性导出件，所述第二芯片的上表面具有多个第三电性导出件和第六电性导出件，每一所述第六电性导出件与一个第一电性导出件电性连接；
[0020]所述第一基板的上表面包括多个第一焊接部、多个第二焊接部、多个第三焊接部和多个第四焊接部，所述第一基板的下表面包括多个第五焊接部和多个第六焊接部；
[0021]每一所述第一焊接部通过所述第一基板内的第一导电线路与一个第二焊接部电性连接，且所述桥接晶片的第二金属垫与所述第一焊接部电性连接，所述第一芯片的第二电性导出件与所述第二焊接部电性连接；
[0022]每一所述第三焊接部通过所述第一基板内的第二导电线路与一个第五焊接部电
性连接，且所述桥接晶片的第三金属垫与所述第三焊接部电性连接，所述第二芯片的第三电性导出件与所述第五焊接部电性连接；
[0023]每一所述第四焊接部通过所述第一基板内的第三导电线路与一个第六焊接部电性连接，且所述桥接晶片的第一金属垫与所述第四焊接部电性连接，所述第二芯片的第六电性导出件与所述第六焊接部电性连接。
[0024]本技术还提供一种处理器模块，包括处理器晶片和如上任一项所述的动态随机存取存储器，且所述处理器晶片和动态随机存取存储器封装于第二封装体内。
[0025]作为本技术的进一步改进，所述处理器模块包括第二基板，所述处理器晶片和动态随机存取存储器分别叠于所述第二基板的上表面；
[0026]所述第二芯片的下表面设有多个第一电性导出件，所述第二基板的上表面包括若干第一焊盘和若干第二焊盘，所述基板的下表面包括若干第二焊球或若干第二引脚，且每一所述第一电性导出件分别与一个第一焊盘电性连接，每一所述第二焊盘与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括第一芯片、第二芯片以及桥接晶片，所述第一芯片内封装有闪存晶片，所述第二芯片内封装有DRAM晶片；所述第一芯片、第二芯片以及桥接晶片封装于第一封装体内，且在所述第一封装体内，所述第一芯片与所述第二芯片相叠设置，所述桥接晶片分别与所述第一芯片内的闪存晶片和第二芯片内的DRAM晶片耦合。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二芯片的下表面设有多个第一电性导出件，所述桥接晶片包括多个第一金属垫，且每一所述第一电性导出件与一个所述第一金属垫电性连接。3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一电性导出件由位于所述第二芯片下表面的第一焊球构成；或者，所述第一电性导出件由延伸到所述第二芯片下表面的外缘的第一引脚构成。4.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一芯片包括与闪存晶片耦合的多个第二电性导出件；所述第二芯片的上表面具有与DRAM芯片耦合的多个第三电性导出件；所述桥接晶片位于所述第一芯片和第二芯片之间，所述桥接晶片包括多个第二金属垫、多个第三金属垫，且每一所述第二金属垫与一个第二电性导出件电性连接，每一所述第三金属垫与一个第三电性导出件电性连接。5.根据权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二芯片的上表面包括重布线层、多个第四电性导出件和多个第五电性导出件，所述第三电性导出件、第四电性导出件和第五电性导出件均位于所述重布线层的表面，且所述第五电性导出件和第三电性导出件通过所述重布线层内的导电结构电性连接；所述第一金属垫、第二金属垫、第三金属垫均位于所述桥接晶片的上表面，所述第二金属垫通过引线键合方式或所述桥接晶片上的硅通孔互连结与所述第五电性导出件电性连接，所述第三金属垫通过引线键合方式或所述桥接晶片上的硅通孔互连结与所述第三电性导出件电性连接；所述第一芯片通过第二电性导出件与第四电性导出件电性连接的方式相固定。6.根据权利要求4或5所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二芯片的上表面包括重布线层和多个第六电性导出件；每一所述第六电性导出件通过所述第二芯片上的硅通孔互连结构与一个所述第一电性导出件电性连接。7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一金属垫通过引线键合方式与所述第六电性导出件电性连接，或者所述第一金属垫通过所述桥接晶片上的硅通孔互连件与所述第六电性导出件电性连接。8.根据权利要求4所述的动态随机存...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖振楠，
申请(专利权)人：深圳宏芯宇电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：