一种基于三维纳米管的气体传感器、制造方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种基于三维纳米管的气体传感器、制造方法及应用，所述方法包括：将三维纳米管阵列贯穿阳极氧化铝薄膜并且允许气体从三维纳米管的两端流通，阳极氧化铝薄膜第一表面的第一电极和其第二表面的第二电极之间设置有以三维纳米管为基底且沉积有气敏材料的传感区域，至少一个第一电极与至少一个第二电极构成设置在所述传感区域两端的电极对，其中，所述三维纳米管传感器阵列中的不同传感区域的气敏材料表面设置有不同的金属纳米颗粒修饰，从而一个传感区域具有至少两种气体灵敏度。本发明专利技术将结合打线接合技术及上下交叉电极技术，集成三维纳米管阵列，完成上下电极的引出，实现了能够同时探测多种气体的三维纳米管传感器阵列。传感器阵列。传感器阵列。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三维纳米管的气体传感器、制造方法及其应用
[0001]本专利技术是申请日为2020年7月21日，申请号为202010709099.8，申请名称为一种三维纳米管气体传感器阵列及其封装方法，申请类型为专利技术专利的分案申请。


[0002]本专利技术涉及智能传感
，尤其涉及一种基于三维纳米管的气体传感器、制造方法及其应用。

技术介绍

[0003]三维双通纳米管基底，以双通阳极氧化铝(Free
‑
standing Anodized Aluminum Oxide)薄膜为代表，在气体传感器，光电传感器，发光二极管，太阳能电池，可变电阻式记忆体等领域有着广泛的应用前景。特别在气体传感器领域，配合在管壁上沉积纳米尺寸的气敏材料薄膜，可达到极高的比表面积，并实现在室温下的高灵敏度快速探测，无需时刻保持一个较高的工作温度。特别地，通过选择不同的气敏材料电极，可在单块三维纳米管基底上实现多个传感器的集成，而将此三维纳米管气体传感器阵列进行芯片集成，将可实现高密度的传感器阵列数据读取。
[0004]现有的气体传感器阵列多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于三维纳米管的气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：将三维纳米管阵列贯穿阳极氧化铝薄膜并且允许气体从三维纳米管的两端流通，阳极氧化铝薄膜第一表面的第一电极和其第二表面的第二电极之间设置有以三维纳米管为基底且沉积有气敏材料的传感区域，至少一个第一电极与至少一个第二电极构成设置在所述传感区域两端的电极对，其中，所述三维纳米管传感器阵列中的不同传感区域的气敏材料表面设置有不同的金属纳米颗粒修饰，从而一个传感区域具有至少两种气体灵敏度。2.根据权利要求1所述的基于三维纳米管的气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：将不同的金属纳米颗粒溶液沉积在三维纳米管管壁的不同区域，从而三维纳米传感器阵列对不同的气体形成差异性响应。3.根据权利要求1或2所述的基于三维纳米管的气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：基于原子层沉积方法或超声喷雾热解方法向三维纳米管的管壁内沉积一定厚度的气敏传感材料，气敏传感材料包括金属氧化物半导体材料，其中，在气敏材料沉积完成后，三维纳米管的两端为贯通状态。4.根据权利要求1～3任一项所述的基于三维纳米管的气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：以打线结合的方式将阳极氧化铝薄膜第一表面的沿第一方向排列的且与传感区域对应的若干第一电极进行短接；将阳极氧化铝薄膜第二表面的沿第二方向排列的且与传感区域对应的共用第二电极与陶瓷层第一表面上的第三电极连接。5.根据权利要求1～4任一项所述的基于三维纳米管的气体传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：所述陶瓷层第一表面的若干第三电极以过孔的方式在陶瓷层底部的第二表面形成能够与芯片焊接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈国震，陈卓，周清峰，
申请(专利权)人：艾感科技广东有限公司，
类型：发明
国别省市：