凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、焊垫、保护层、金属层和导电凸起，其中，金属层包括粘接层和导电层，通过设置粘接层，并且在粘接层上开设缺口，导电层延伸至缺口内并与焊垫相接触，从而增大了结合面积，进而增大了导电凸起底部金属层的结合强度，能够保证铜柱凸块结合牢固。同时避免了导电凸起与芯片电极直接接触，避免了电极裂开的问题，并且导电层与焊垫之间为分段式接触结构，相较于直接在焊垫上设置导电层，本发明专利技术降低了导电层与焊垫的接触面积，从而减弱了电子迁移现象，提升了金属层的电气性能，提升了导电凸起的使用寿命。提升了导电凸起的使用寿命。提升了导电凸起的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，倒装封装结构广泛应用于半导体行业中，倒装芯片封装利用凸块进行芯片与基板之间的电性连接。凸块包括了铜柱、金属层(UBM：under bump metalization)以及钝化层(passivation)，在制作金属层UBM后，需要针对多余的金属层进行蚀刻去除，往往存在过度蚀刻，导致铜柱凸块底部存在底切开口，由于底切开口的存在，铜柱凸块结合不牢固，凸块芯片在进行可靠性测试时，铜柱凸块存在掉落的问题。而若采用铜柱凸块底部完全与芯片电极相连，将导致铜柱凸块上的应力直接作用在芯片电极上，存在芯片电极裂开的问题。同时铜柱凸块底部的金属原子存在电子迁移的问题，导致铜柱凸块寿命显著下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，其能够保证铜柱凸块结合牢固，避免铜柱凸块脱落，并且避免了芯片电极裂开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括：芯片基底；设置在所述芯片基底一侧的焊垫；设置在所述芯片基底一侧的保护层，所述保护层上设置有与所述焊垫对应的开口，以使所述焊垫暴露于所述保护层；设置在所述焊垫远离所述芯片基底一侧，并由所述开口延伸至所述保护层表面的金属层；设置在所述金属层远离所述芯片基底一侧的导电凸起；其中，所述金属层包括粘接层和导电层，所述粘接层设置在所述焊垫远离所述芯片基底一侧，所述导电层设置在所述粘接层远离所述芯片基底一侧，所述粘接层上设置有多个贯通至所述焊垫的缺口，所述导电层延伸至所述缺口内并与所述焊垫相接触，所述导电凸起与所述导电层电连接。2.根据权利要求1所述的凸块封装结构，其特征在于，所述金属层还包括阻挡层，所述阻挡层设置在所述导电层远离所述芯片基底的一侧，且所述阻挡层位于所述导电层与所述导电凸起之间。3.根据权利要求2所述的凸块封装结构，其特征在于，所述金属层还包括润湿层，所述润湿层设置在所述阻挡层远离所述芯片基底的一侧，且所述润湿层位于所述阻挡层和所述导电凸起之间，以过渡润湿所述导电凸起。4.根据权利要求3所述的凸块封装结构，其特征在于，所述阻挡层中还设置有多个结合块，多个所述结合块均贯穿所述阻挡层，并分别与所述导电层和所述润湿层接触。5.根据权利要求4所述的凸块封装结构，其特征在于，多个所述结合块与多个所述缺口一一对应设置，且每个所述结合块的宽度与所述缺口的宽度相同。6.根据权利要求1
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5任一项所述的凸块封装结构，其特征在于，所述导电凸起包括导电金属柱和焊帽，所述导电金属柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，徐玉鹏，钟磊，李利，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：