一种降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法和应用，属于多晶硅生产技术领域，本发明专利技术在多晶硅还原炉的炉体内壁涂镀石英陶瓷内衬材料，所述石英陶瓷内衬材料以非晶石英或结晶石英或二者的混合物为原料，经研磨、制浆、成坯、烧成、冷加工等一系列工序制备而成，在多晶硅还原炉的炉体内壁涂镀一层以上的由不同原料构成的石英陶瓷内衬材料；本发明专利技术采用的石英陶瓷材料具有导热性低、膨胀系数小、耐高温、热稳定性好、且成本较低的优点，可替代现有的金、银等贵金属镀层材料，有利于降低多晶硅还原炉辐射热损失，节约电耗，从而降低生产成本，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法和应用


[0001]本专利技术属于多晶硅生产
，具体涉及一种降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法和应用。

技术介绍

[0002]目前，世界上生产多晶硅的主要工艺是改良西门子法，产量占当今世界总产量的70%。多晶硅还原炉是改良西门子法生产多晶硅的核心设备之一，其电耗高是阻碍其发展的主要技术难题之一。因此，研发高效节能的多晶硅还原炉是提升改良西门子法多晶硅生产竞争力的关键。
[0003]多晶硅还原炉内硅棒温度是多晶硅生产的重要工艺参数之一，工艺要求硅棒表面温度控制在1100 ℃左右，以保证三氯氢硅在氢气的作用下还原并沉积在硅棒表面。对于多晶硅还原炉，其能耗主要源于硅棒与水冷器壁之间的辐射热损失，占总能量损失的70%左右，所以，降低多晶硅还原炉辐射热损失是实现改良西门子法“节能降耗”的重要途径之一。
[0004]改良西门子法多晶硅还原炉内壁运行环境十分恶劣，硅棒在运行过程中表面温度高达1100 ℃，并不断向各个方向进行热辐射，导致炉体升温。还原炉壁冷却水套里的高压冷却水被水泵强制循环而不断带走炉体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法，其特征在于，在多晶硅还原炉的炉体内壁涂镀石英陶瓷内衬材料，所述石英陶瓷内衬材料以非晶石英或结晶石英或二者的混合物为原料制备而成。2.根据权利要求1所述的降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法，其特征在于：在多晶硅还原炉的炉体内壁涂镀一层以上的由不同原料构成的石英陶瓷内衬材料。3.根据权利要求1所述的降低多晶硅还原炉辐射热损失的方法，其特征在于：石英陶瓷内衬材料的颗粒粒径范围为50 nm~300 μm，孔隙率为1%~90%，二氧化硅纯度在99.99%以上，石英陶瓷内衬材料的熔点为1723 ℃，密度为2.2 g/cm3，热膨胀系数为12.3
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10
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6 K
‑1，热导率为0.2~1.6 W/m
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【专利技术属性】
技术研发人员：聂陟枫，王亚君，王晨，郭崎均，谢刚，
申请(专利权)人：昆明学院，
类型：发明
国别省市：