温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：检测存储器存储装置的系统参数，其中所述系统参数反映存储器存储装置中的可复写式非易失性存储器模块的损耗程度；根据所述系统参数决定温控门槛值；以及响应于所述存储器存储装置的温度达到所述温控门槛值，执行降温操作，以降低所述存储器存储装置的温度。藉此，可更佳的在存储器存储装置的工作效能与温度控制机制中取得平衡。中取得平衡。中取得平衡。

【技术实现步骤摘要】
温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种温度控制技术，且尤其涉及一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
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volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。
[0003]可复写式非易失性存储器模块对于温度管控的要求非常高。若可复写式非易失性存储器模块的温度太高，可能会对存储于可复写式非易失性存储器模块中的数据的可靠度造成严重影响。但是，若使用过于严格的温控门槛值来控制执行降温操作的时间点，则可能对当前还处于健康状态的可复写式非易失性存储器模块的运作造成不必要的限制。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度控制方法，其特征在于，用于存储器存储装置，其中所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块，且所述温度控制方法包括：检测所述存储器存储装置的系统参数，其中所述系统参数反映所述可复写式非易失性存储器模块的损耗程度；根据所述系统参数决定温控门槛值；以及响应于所述存储器存储装置的温度达到所述温控门槛值，执行降温操作，以降低所述存储器存储装置的所述温度。2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中所述系统参数包括计数值，其反映所述可复写式非易失性存储器模块中的至少一实体单元的损耗程度。3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其中所述计数值包括程序化计数值、抹除计数值、读取计数值及比特错误率的至少其中之一或其结合。4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中根据所述系统参数决定所述温控门槛值的步骤包括：响应于所述系统参数为第一参数值，将所述温控门槛值设定为第一数值；以及响应于所述系统参数为第二参数值，将所述温控门槛值设定为第二数值，其中所述第一参数值不同于所述第二参数值，且所述第一数值不同于所述第二数值。5.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中根据所述系统参数决定所述温控门槛值的步骤包括：响应于所述系统参数反映所述可复写式非易失性存储器模块的所述损耗程度上升，降低所述温控门槛值。6.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中所述温控门槛值包括第一门槛值与第二门槛值，所述第一门槛值低于所述第二门槛值，所述第一门槛值用以触发所述存储器存储装置的第一降温操作，所述第二门槛值用以触发所述存储器存储装置的第二降温操作，所述第一降温操作不同于所述第二降温操作，且根据所述系统参数决定所述温控门槛值的步骤包括：同步调整所述第一门槛值与所述第二门槛值。7.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在所述降温操作中，降低所述可复写式非易失性存储器模块的平行存取通道数与系统时钟的至少其中之一。8.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以检测所述存储器存储装置的系统参数，其中所述系统参数反映所述可复写式非易失性存储器模块的损耗程度，所述存储器控制电路单元更用以根据所述系统参数决定温控门槛值，并且所述存储器控制电路单元更用以响应于所述存储器存储装置的温度达到所述温控门槛值，执行降温操作，以降低所述存储器存储装置的所述温度。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述系统参数包括计数值，其反映所述可复写式非易失性存储器模块中的至少一实体单元的损耗程度。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述计数值包括程序化计数值、抹除计数值、读取计数值及比特错误率的至少其中之一或其组合。11.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中根据所述系统参数决定所述温控门槛值的操作包括：响应于所述系统参数为第一参数值，将所述温控门槛值设定为第一数值；以及响应于所述系统参数为第二参数值，将所述温控门槛值设定为第二数值，其中所述第一参数值不同于所述第二参数值，且所述第一数值不同于所述第二数值。12.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中根据所述系统参数决定所述温控门槛值的操作包括：响应于所述系统参数反映所述可复写式非易失性存储器模块的所述损耗程度上升，降低所述温控门槛值。13.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述温控门槛值包括第一门槛值与第二门槛值，所述第一门槛值低于所述第二门槛值，所述第一门槛值用以触发所述存储器存储装...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶育宏，林昀佑，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：