半导体结构制造技术

根据本发明专利技术实施例，一种半导体结构包含于基板上的底部介电部件、直接位于底部介电部件上方的多个通道构件、环绕每个通道构件的栅极结构、沿着第一方向夹住底部介电部件两个第一外延部件、以及沿着第一方向夹住多个通道构件的两个第二外延部件。的两个第二外延部件。的两个第二外延部件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别关于一种背侧动力轨条(power rail)与其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)经历了指数型成长。在集成电路(IC)材料和设计的科技进步已经产出许多代的集成电路(IC)，且每一代的集成电路(IC)具有比上一代更小且更复杂的电路。在集成电路(IC)的演变过程中，随着几何尺寸(如可使用制造制程创造的最小的组件(component)(或线))的减少，功能密度(例如每个芯片面积上的内连线装置数目)已普遍性地增加。这样的微缩化制程普遍地通过增加生产效率与降低相关成本来提供益处。这种微缩化也增加了处理与制造集成电路(IC)的复杂性。
[0003]举例来说，随着集成电路(IC)的技术朝向更小的科技节点进展，已经引入多栅极装置以通过增加栅极－通道耦合，减少关断状态电流与减少短通道效应(short
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channel effect，SCE)来改善栅极控制。多栅极装置一般指具有栅极结构、或其部分的装置，其设置在通道区的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一第一外延部件与一第二外延部件；多个通道构件，延伸于该第一外延部件与该第二外延部件之间；一栅极结构，环绕所述通道构件中的每个通道构件；一底部介电部件，设置于该栅极结构上方；一第一衬层，于该第一外延部件与一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏焕杰，游力蓁，谌俊元，邱士权，庄正吉，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：