可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法技术

本申请公开了一种可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法。该方法包括：获取光尺初始结构；通过衍射计算得到光尺初始结构的强度分布；根据强度分布得到零点宽度、强度值，并对零点宽度、强度值及预设阈值进行比较得到比较结果；根据比较结果对光尺初始结构进行迭代优化，得到光尺优化结构；对光尺优化结构进行刻度标记精度测量，根据测量结果对光尺优化结构进行优化得到目标光尺结构；根据目标光尺结构制备等离子体超掩膜，根据等离子体超掩膜对液晶盒进行曝光、液晶填充得到液晶光尺。本申请所提供的方法通过等离子体超掩膜对可用于纳米级位移测量的液晶光尺直接进行曝光成型，以降低制备成本，并提高可用于纳米级位移测量的液晶光尺的加工效率。测量的液晶光尺的加工效率。测量的液晶光尺的加工效率。

【技术实现步骤摘要】
可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法


[0001]本申请涉及液晶光学器件
，尤其涉及一种可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法。

技术介绍

[0002]在相关技术中，通过基于衍射光多重干涉原理的光栅尺对进行物体位移进行测量，以实现微量级位移的测量。
[0003]然而，一般的光栅尺通过聚焦离子束刻蚀沉积在玻璃基板上金膜，以制作形成。然而上述制作方式的加工时间较长，且仪器成本高昂。

技术实现思路

[0004]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法及可用于纳米级位移测量的液晶光尺。本申请所提供的可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，可通过等离子体超掩膜对初始光进行转换以得到对应的偏振光场，从而对液晶取向层进行取向，从而制造纳米量级的可用于纳米级位移测量的液晶光尺。
[0005]本申请实施例第一方面提供一种可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，包括：获取光尺初始结构；通过衍射计算得到光尺初始结构的强度分布；根据强度分布得到零点宽度、强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，其特征在于，包括：获取光尺初始结构；通过衍射计算得到所述光尺初始结构的强度分布；根据所述强度分布得到零点宽度、强度值，并对所述零点宽度、所述强度值及预设阈值进行比较得到比较结果；根据所述比较结果对所述光尺初始结构进行迭代优化，得到光尺优化结构；对所述光尺优化结构进行刻度标记精度测量，根据测量结果对所述光尺优化结构进行优化得到目标光尺结构；根据所述目标光尺结构制备等离子体超掩膜，根据所述等离子体超掩膜对液晶盒进行曝光、液晶填充得到液晶光尺。2.根据权利要求1所述的可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，其特征在于，所述预设阈值包括衍射极限值，所述根据所述强度分布得到零点宽度、强度值，并对所述零点宽度、所述强度值及预设阈值进行比较得到比较结果，还包括：若所述零点宽度小于所述衍射极限值，且所述强度值为最大值，则输出第一比较结果；其中，所述第一比较结果用于指示对所述光尺优化结构进行刻度标记精度处理；或，若所述零点宽度大于或等于所述衍射极限值，或所述强度值不为最大值，则输出第二比较结果；其中，所述第二比较结果用于指示对所述光尺初始结构进行迭代优化。3.根据权利要求2所述的可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，其特征在于，所述对所述光尺优化结构进行刻度标记精度测量，根据测量结果对所述光尺优化结构进行优化得到目标光尺结构，包括：对所述光尺优化结构的刻度标记的相位梯度进行测量，并将所述振荡频率与波数比值分布中峰值的宽度作为测量结果；其中，所述测量结果为所述优化结构光尺的测量精度；若所述测量精度为纳米量级，则将所述光尺优化结构设为所述目标光尺结构；若所述测量精度不是纳米量级，则对所述光尺优化结构进行优化。4.根据权利要求1所述的可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，其特征在于，所述可用于纳米级位移测量的液晶光尺制备方法，包括：在玻璃基板的表面设置取向层，并得到第一组件、第二组件；将所述第一组件、所述第二组件设有所述取向层的一面相对设置，并通过间隔子固定两者相对位置，得到液晶盒；其中，所述相对设置为一组对边对齐设置，另一组对边为错位设置；其中，所述第一组件、所述第二组件之间设有间...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶华朋，刘晨，何健民，袁冬，周国富，
申请(专利权)人：深圳市国华光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：