【技术实现步骤摘要】
cREO上方的外延层中的局部应变场
[0001]本申请涉及半导体设计，并且更具体地，涉及用于通过局部应力外延层传输声波的层状结构，在该层状结构中，夹在基板和外延层之间的第二层包括使外延层受局部应力并改善声波通过外延层的传输的离散区域。
技术介绍
[0002]外延、外延生长和外延沉积是指在晶体基板上生长或沉积晶体层。晶体层被称为外延层。晶体基板用作模板并确定任何外延层的取向和晶格间距。在一些示例中，外延层可以是晶格匹配或晶格重合的。晶格匹配的晶体层可以具有与晶体基板的顶表面相同或非常类似的晶格间距。晶格重合的晶体层可以具有是晶体基板的晶格间距的整数倍的晶格间距。外延的质量是部分基于晶体层的结晶度。实际上，高质量的外延层将是具有最少缺陷以及少量或没有晶界的单晶。传统上，金属接触层在下游处理中在某个点处被施加到外延结构。在复杂的外延结构常常包含超过一种器件功能的情况下，这可能要求在具有大量形貌的晶片上大量刻蚀和沉积金属。
[0003]基板层与外延层之间的相互作用常常对于器件操作是重要的。基板与外延层(例如，半导体层)之间的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于声波的传输的层状结构(100)，所述层状结构(100)包括：基板层(102)；在基板层(102)上方的第二层(104)，其中，第二层(104)包括彼此相邻的多个离散部分(105)，所述多个离散部分(105)中的每个离散部分(105)包括第一子区域(104A)和第二子区域(104B)；以及外延层(108)，生长在第二层(104)上方，用于外延层(108)的主平面中的声波的传输，其中，要通过外延层(108)传输的声波的波长的周期(λ)近似等于第一子区域(104A)的宽度(d
A
)与第二子区域(104B)的宽度(d
B
)之和。2.根据权利要求1所述的层状结构(100)，其中，第一子区域(104A)选自包括无孔硅、多孔硅、结晶稀土氧化物(cREO)及其组合的组；以及其中，第二子区域(104B)选自包括无孔硅、多孔硅、结晶稀土氧化物(cREO)及其组合的组。3.根据权利要求1或2所述的层状结构(100)，其中，外延层(108)是半导体层(508)、RE
‑
III
‑
N层(608)、外延金属层(708)、结晶稀土氧化物(cREO)层(808)和硅层(908)中的一个。4.根据任何前述权利要求所述的层状结构(100)，其中，基板(120)包括选自包括硅(Si)、锗(Ge)、绝缘体上硅(SOI)和SiGe的组中的一个或多个IV族元素。5.根据任何前述权利要求所述的层状结构(100)，还包括设置在外延层(108)上方的电极(112)，其中，电极(112)基于第二层(104)的周期(λ)而分布。6.一种形成用于声波的传输的层状结构(100)的方法，所述方法包括：提供基板层(102)；刻蚀基板层(102)的表面，以在基板层(102)上方形成第二层(104)，第二层(104)包括彼此相邻的多个离散部分(105)，所述多个离散部分(105)中的每个离散部分(105)包括第一子区域(104A)和第二子区域(104B)，其中，第一子区域(104A)形成空隙；将材料沉积到第二层(104)的第一子区域(104A)的空隙中，以在第二层(104)中形成局部应力；以及在第二层(104)上方生长外延层(108)，用于声波的传输,其中，当要通过外延层(108)传输声波时，声波的波长的周期(λ)与第一子区域(104A)的宽度...
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