光波导装置制造方法及图纸

光波导装置包括：基板，其上堆叠有中间层、铌酸锂薄膜LN层和缓冲层；光波导，其形成在薄膜LN层中；多个电极，其在光波导附近。中间层和缓冲层包含元素周期表的第3族至第18族的任一个中的金属元素的相同材料。个中的金属元素的相同材料。个中的金属元素的相同材料。

【技术实现步骤摘要】
光波导装置


[0001]本文讨论的实施方式涉及光波导装置。

技术介绍

[0002]为了提高光通信的速度，高性能的光学装置必不可少。在光学装置中，常规LN光调制器使用铌酸锂(LiNbO3，下文称为LN)基板，因此，能够在插入损耗和传输特性方面获得良好的特性。在LN基板上，通过扩散钛(Ti)形成光波导。尽管使用这种LN基板的常规LN光调制器(体LN调制器)被广泛使用，但是其尺寸正在增加。
[0003]近年来，对较小的光学装置的需求已经增加，并且也正在研究减小在光收发器中使用的LN光调制器的尺寸。使用薄膜LN的薄膜LN光调制器是这样一种具有较小尺寸的LN光调制器。薄膜LN光学调制器具有马赫曾德尔(Mach
‑
Zehnder)干涉仪结构以及在基板上设置有诸如中间层、薄膜LN、缓冲层和电极之类的层的结构。
[0004]例如，与体LN光调制器有关的技术具有将缓冲层彼此接合的两层(上层和下层)，并且该技术针对下层使用包含铟的氧化物或非氧化物的掺杂的缓冲层。此外，将不包含属于元素周期表第3族至第8族、第IB族或第IIB族(在下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光波导装置，该光波导装置包括：基板，在所述基板上堆叠有中间层、铌酸锂薄膜LN层和缓冲层；光波导，所述光波导形成在所述薄膜LN层中；以及多个电极，所述多个电极在所述光波导附近，其中，所述中间层和所述缓冲层包含元素周期表的第3族至第18族的任一个中的金属元素的相同材料。2.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物和铟的氧化物。3.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物和钛的氧化物。4.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物和锡的氧化物。5.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物和锗的氧化物。6.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物和锌的氧化物。7.根据权利要求2所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层还包含第二金属或第二半导体元素的氧化物。8.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物与所述元素周期表的第3族至第18族中的至少一种金属元素的氧化物的混合物或化合物。9.根据权利要求1所述的光波导装置，其中，所述中间层和所述缓冲层包含硅氧化物与除硅之外的至少一种半导体元素的氧化物的混...

【专利技术属性】
技术研发人员：牧野俊太郎，久保田嘉伸，大森康弘，土居正治，仓桥辉雄，竹内信太郎，
申请(专利权)人：富士通光器件株式会社，
类型：发明
国别省市：