半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；在形成所述层间介质层后，对所述伪栅进行表面处理，适于减小所述伪栅的表面接触角；在对所述伪栅进行表面处理之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。本发明专利技术实施例对所述伪栅进行表面处理，适于减小伪栅的表面接触角，从而有利于提高伪栅的亲水性，在采用湿法刻蚀工艺去除伪栅的过程中，有利于使湿法刻蚀工艺将伪栅去除干净、降低产生伪栅残留的概率，提升了半导体结构的性能和生产良率。能和生产良率。能和生产良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(Pinch Off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(Subthreshold Leakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channel effects)更容易发生。
[0003]因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；在形成所述层间介质层后，对所述伪栅进行表面处理，适于减小所述伪栅的表面接触角；在对所述伪栅进行表面处理之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述层间介质层后，且在对所述伪栅进行表面处理之前，去除部分厚度的所述伪栅，剩余的所述伪栅顶面高于所述基底的顶面。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，去除部分厚度的所述伪栅。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；形成所述伪栅的步骤中，所述伪栅横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；去除部分厚度的所述伪栅的步骤中，剩余的所述伪栅顶面高于所述鳍部的顶面。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述伪栅的步骤中，剩余的所述伪栅顶面至所述鳍部顶面的距离至少为200埃米。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述伪栅进行表面处理的步骤包括：采用高于室温的NH4OH溶液，对所述伪栅进行表面处理。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述NH4OH溶液的温度至少为50℃。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述NH4OH溶液的温度为50℃至70℃。9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述伪栅进行表面处理的参数包括：所述NH4OH溶液中NH4OH和水的比例为1:40至1：4，处理时间为20秒至60秒。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为120秒至360秒。12.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓武锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：