本实用新型专利技术提供了一种Mini LED芯片结构，包括衬底层及沿着远离衬底层的方向依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；布拉格反射层在与芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入电极扩展条；电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍；在芯片管脚远离衬底层的一端及在倒装过程中进行焊接的一端设置镍，并且在电极靠近电流扩展层的一端设置铬，镍能投增强与焊锡的结合力，铬能够增强电极与电流扩展层之间的结合力，使得Mini LED芯片在焊接过程中与基板的结合更加紧密稳固，提高Mini LED芯片的稳定性，且易于进行焊接操作。接操作。接操作。
【技术实现步骤摘要】
一种Mini LED芯片结构
[0001]本技术涉及LED芯片领域，尤其涉及一种Mini LED芯片结构。
技术介绍
[0002]从工艺路线的角度看，目前的Mini LED芯片全部采用了倒装芯片结构，因为采用倒装芯片结构无需在芯片上打线，适合LED芯片需要在超小空间内紧密排布的需求，并且倒装芯片结构适合多种材质的封装基板，因此其可靠性也明显提高，能够降低终端产品使用的维护成本，因此在实际制作过程中，倒装工艺的控制极为重要，同时在芯片尺寸较小的情况下，焊接面的平整度、电极结构的设计、易焊接性以及对焊接参数的适应性、封装宽容度都是其设计的难点与重点。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题是：提供一种Mini LED芯片结构，使得在小尺寸下易于进行倒装工艺。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0005]一种Mini LED芯片结构，包括衬底层及由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；
[0006]所述所述布拉格反射层在与所述芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入所述电极扩展条；
[0007]所述电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，所述电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；
[0008]所述芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍。
[0009]进一步的，所述发光区包括正极发光区及负极发光区，所述正极发光区及所述负极发光区分别与所述电流扩展层连接。
[0010]进一步的，所述电流扩展层为氧化铟锡。
[0011]进一步的，所述外延层包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层。
[0012]进一步的，所述电极由靠近所述电流扩展层一端至靠近所述布拉格反射层一端依次包括铬、铝、钛、铂及金。
[0013]进一步的，所述电极为O字形，所述电极的中空部分与所述通孔的位置对应。
[0014]进一步的，所述芯片管脚包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的铬、铝、钛、镍及金。
[0015]进一步的，所述发光区的边缘相对于所述电流扩展层的边缘更靠近所述衬底层的边缘。
[0016]进一步的，所述Mini LED芯片的尺寸为3
×
5mil。
[0017]本技术的有益效果在于：在芯片管脚远离衬底层的一端及在倒装过程中进行
焊接的一端设置镍，并且在电极靠近电流扩展层的一端设置铬，镍能投增强与焊锡的结合力，铬能够增强电极与电流扩展层之间的结合力，使得Mini LED芯片在焊接过程中与基板的结合更加紧密稳固，提高Mini LED芯片的稳定性，且易于进行焊接操作。
附图说明
[0018]图1为本技术实施例的一种Mini LED芯片结构的主视图；
[0019]图2为本技术实施例的一种Mini LED芯片结构的俯视图；
[0020]标号说明：
[0021]1、衬底层；2、外延层；3、发光区；4、电流扩展层；5、电极；6、布拉格反射层；7、芯片管脚。
具体实施方式
[0022]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0023]请参照图1，一种Mini LED芯片结构，包括衬底层及由沿着远离所述衬底层的方向依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；
[0024]所述所述布拉格反射层在与所述芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入所述电极扩展条；
[0025]所述电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，所述电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；
[0026]所述芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍。
[0027]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：在芯片管脚远离衬底层的一端及在倒装过程中进行焊接的一端设置镍，并且在电极靠近电流扩展层的一端设置铬，镍能投增强与焊锡的结合力，铬能够增强电极与电流扩展层之间的结合力，使得Mini LED芯片在焊接过程中与基板的结合更加紧密稳固，提高Mini LED芯片的稳定性，且易于进行焊接操作。
[0028]进一步的，所述发光区包括正极发光区及负极发光区，所述正极发光区及所述负极发光区分别与所述电流扩展层连接。
[0029]由上述描述可知，发光区区分正负极，通过电子的转移实现发光。
[0030]进一步的，电流扩展层为氧化铟锡。
[0031]由上述描述可知，设置电流扩展层扩展电流，使得Mini LED芯片的发光更加均匀，且氧化铟锡的电流扩展效果好。
[0032]进一步的，所述外延层包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层。
[0033]由上述描述可知，N型氮化镓层及P型氮化镓层的设置确保量子阱层的发光正常进行。
[0034]进一步的，所述电极由靠近所述电流扩展层一端至靠近所述布拉格反射层一端依次包括铬、铝、钛、铂及金。
[0035]由上述描述可知，铬作为电极与电流扩展层的粘合剂，铝作为金属反射层，铂和金
包覆铝，起到保护作用，避免铝的氧化和腐蚀。
[0036]进一步的，所述电极为O字形，所述电极的中空部分与所述通孔的位置对应。
[0037]由上述描述可知，电极中空部分位置与通孔位置对应能够更好地接收传递的电流。
[0038]进一步的，所述芯片管脚包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的铬、铝、钛、镍及金。
[0039]由上述描述可知，铬能够粘合布拉格反射层，加强芯片结构的稳定性，铝作为金属反射层能够将溢出的光反射会布拉格反射层，钛是转接层，金能够在焊接前保护铬不被氧化。
[0040]进一步的，所述发光区的边缘相对于所述电流扩展层的边缘更靠近所述衬底层的边缘。
[0041]由上述描述可知，发光区与电流扩展层不完全重合，形成台阶结构，方便电流的流入。
[0042]进一步的，所述Mini LED芯片的尺寸为3
×
5mil。
[0043]由上述描述可知，小尺寸的Mini LED芯片组装之后在显示器大小不变的情况下能够提供更大的分辨率。
[0044]请参照图1，本技术的实施例一为：
[0045]一种Mini LED芯片结构，包括衬底层1及沿着远离所述衬底层1的方向依次排列的外延层2、发光区3(MESA)、电流扩展层4、电极5、布拉格反射层6(DRB，Distributed Bragg Reflector Mirror)及芯片管脚7(PAD)；
[0046]衬底层1为长方体；
[0047]外延层2包括由靠近所述衬底层1至远离所述衬底层1依次排列的N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层；
[0048]发光区3包括正极发光区及负极发光区，所述正极发光区及本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Mini LED芯片结构，其特征在于，包括衬底层及沿着远离所述衬底层的方向依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；所述布拉格反射层在与所述芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入所述电极扩展条；所述电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，所述电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；所述芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍。2.根据权利要求1所述的一种Mini LED芯片结构，其特征在于，所述发光区包括正极发光区及负极发光区，所述正极发光区及所述负极发光区分别与所述电流扩展层连接。3.根据权利要求1所述的一种Mini LED芯片结构，其特征在于，所述电流扩展层为氧化铟锡。4.根据权利要求1所述的一种Mini LED芯片结构，其特征在于，所述外延层包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的N型氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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