耐等离子体腐蚀部件及其制备方法，等离子体处理设备技术

本发明专利技术公开了一种耐等离子体腐蚀涂层的制备方法，包括：提供基体，预置第一涂层粉体和第二涂层粉体；提供送粉器，所述送粉器将所述第一涂层粉体覆盖所述基体，提供能量发生器，所述能量发生器发射能量束对所述第一涂层粉体扫描辐照，使所述第一涂层粉体熔融，形成第一熔融层，所述送粉器将所述第二涂层粉体覆盖所述第一熔融层，所述能量发生器发射能量束对所述第二涂层粉体扫描辐照，使所述第二涂层粉体熔融，形成第二熔融层，所述第一熔融层和第二熔融层在界面处形成具有稳定相的钇基多元金属氧化物，氟化的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物。利用本发明专利技术所述方法可快速在不规则的零部件表面进行陶瓷或其复合涂层高精度的均匀涂覆。均匀涂覆。均匀涂覆。

【技术实现步骤摘要】
耐等离子体腐蚀部件及其制备方法，等离子体处理设备


[0001]本专利技术涉及制备涂层的
，尤指耐等离子体腐蚀涂层的制备


技术介绍

[0002]等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而刻蚀出具有特定结构的晶圆。
[0003]但是，在刻蚀过程中腔体内高强度等离子体轰击和活性自由基(如Cl*、Cl2*、F*和CF*)侵蚀也作用于刻蚀腔室内部所有与等离子体接触的部件。对于处在刻蚀腔体内的工件而言，目前主流的技术方案是使用Y2O3基的耐腐蚀涂层。现有的涂层涂覆方式包含喷涂、溅射、PVD、ALD等。PVD工艺对于普通大平面类型的工件可实现良好的镀膜。而对于一些异形件，例如含有大量内孔的工件，PVD工艺无法很好的在孔道内壁进行镀膜，并且结合力较弱。在实际刻蚀腔体使用过程中，这些含有孔道结构的工件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐等离子体腐蚀涂层的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：提供基体，预置第一涂层粉体和第二涂层粉体；提供送粉器，所述送粉器将所述第一涂层粉体覆盖所述基体，提供能量发生器，所述能量发生器发射能量束对所述第一涂层粉体扫描辐照，使所述第一涂层粉体熔融，形成第一熔融层，所述送粉器将所述第二涂层粉体覆盖所述第一熔融层，所述能量发生器发射能量束对所述第二涂层粉体扫描辐照，使所述第二涂层粉体熔融，形成第二熔融层，所述第一熔融层和第二熔融层反应形成具有稳定相的钇基多元金属氧化物，氟化的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一熔融层和第二熔融层在界面处发生反应或者发生混合后反应形成具有稳定相的钇基多元金属氧化物，氟化的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一涂层粉体包括Y2O3、YF3或YOF中的至少一种；第二涂层粉体包括YSZ、ZrO2、YAG、YF3、Al2O3或YOF中的至少一种。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基体包括孔道，所述第一涂层粉体通过所述送粉器均匀覆盖所述孔道的内表面，所述能量发生器发射能量束对所述第一涂层粉体扫描辐照，使所述第一涂层粉体熔融，形成第一熔融层，所述送粉器将所述第二涂层粉体均匀覆盖所述第一熔融层，所述能量发生器，发射能量束对所述第二涂层粉体扫描辐照，使所述第二涂层粉体熔融，形成第二熔融层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥，段蛟，陈星建，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：