量子芯片的制备方法、装置、设备及量子芯片制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种量子芯片的制备方法、装置、设备及量子芯片。方法包括：获取量子芯片所包括的共面波导；利用键合机在共面波导上建立连接桥，连接桥用于连接位于共面波导两侧的第一参考地与第二参考地,以改变芯片电磁共振频率。本实施例提供的技术方案，通过获取量子芯片所包括的共面波导，并利用键合机在共面波导上建立连接桥。量子芯片的芯片电磁共振频率主要受电容和电感影响，通过连接桥将共面波导两侧的参考地进行连接，有效地改变了电容和电感，从而改变了量子芯片的芯片电磁共振频率，实现了通过连接桥可以消除或者降低芯片电磁共振对量子芯片的影响，有利于保证并提升量子芯片的性能。量子芯片的性能。量子芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】
量子芯片的制备方法、装置、设备及量子芯片


[0001]本专利技术涉及超导
，尤其涉及一种量子芯片的制备方法、装置、设备及量子芯片。

技术介绍

[0002]在超导量子芯片制作完成之后，需要对超导量子芯片进行测试操作，为了保证所制备的量子芯片的性能、功能可以满足设计需求。然而，在对超导量子芯片进行测试时，若量子芯片存在芯片电磁共振情况，所存在的芯片电磁共振情况则会严重影响量子芯片的正常运行。
[0003]因此，亟需一种消除或者降低芯片电磁共振对量子芯片的影响，以保证或提高量子芯片运行的稳定可靠性。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种量子芯片的制备方法、装置、设备及量子芯片，可以有效地降低甚至消除芯片电磁共振对量子芯片的影响，从而保证或者提高量子芯片运行的稳定可靠性。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种量子芯片的制备方法，包括：
[0006]获取量子芯片所包括的共面波导；
[0007]利用键合机在所述共面波导上建立连接桥，所述连接桥用于连接位于所述共面波导两侧的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子芯片的制备方法，其特征在于，包括：获取量子芯片所包括的共面波导；利用键合机在所述共面波导上建立连接桥，所述连接桥用于连接位于所述共面波导两侧的第一参考地与第二参考地,以改变芯片电磁共振频率。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取量子芯片所包括的共面波导，包括：获取所述量子芯片的版图结构；基于所述版图结构，确定所述量子芯片所包括的共面波导。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述版图结构，确定所述量子芯片所包括的共面波导，包括：利用机器学习模型对所述版图结构进行分析处理，以确定所述量子芯片上所包括的共面波导，其中，所述机器学习模型被训练为用于基于版图结构确定量子芯片所包括的共面波导。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用键合机在所述共面波导上建立连接桥，包括：在所述共面波导上，确定用于建立连接桥的至少一个关键位置；利用所述键合机，在所述至少一个关键位置上建立至少一个连接桥。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述共面波导上，确定用于建立连接桥的至少一个关键位置，包括：获取与所述共面波导上各个波导位置相对应的电学参数；根据所述电学参数，确定用于建立连接桥的至少一个关键位置。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述电学参数，确定用于建立连接桥的至少一个关键位置，包括：将所述电学参数与参数阈值进行分析比较；在所述电学参数大于或等于参数阈值时,则将所述电学参数所对应的波导位置确定为关键位置。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电学参数包括以下至少之一：电磁场能量密度、电容、电感。8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述连接桥的个数为至少一个，相邻的两个连接桥之间的距离小于或等于预设值。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述连接桥的密度信息大于或等于预设密度阈值，其中，所述预设密度阈值与所述量子芯片所占空间、键合机性能、导线直径相关。10.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述连接桥由超导线构成。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述超导线包括铝线。12.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述连接桥的设置方向与所述共面波导的信号传输方向垂直。13.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：检测所述量子芯片是否存在芯片电磁共振现象；在所述量子芯片存在芯片电磁共振现象时，则允许获取量子芯片所包括的共面波导；或者，
在所述量子芯片不...

【专利技术属性】
技术研发人员：于文龙，孙汉涛，王腾辉，
申请(专利权)人：阿里巴巴集团控股有限公司，
类型：发明
国别省市：