半导体结构及其形成方法技术

该发明专利技术涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供芯片，所述芯片表面具有互连结构，所述互连结构顶端具有暴露的可熔部分；提供基板，所述基板表面形成有导电结构；图形化所述导电结构，使所述导电结构的边缘具有凸起部；将所述芯片与所述基板组合，使得所述可熔部分和所述导电结构初步机械结合，然后将所述可熔部分加热到所述可熔部分的回流温度，将所述可熔部分与所述导电结构热压结合。本发明专利技术主要针对基板的导电结构进行改进，新的结构设计对金属焊料可以引流，避免芯片与半导体基板在后续的塑封阶段出现产品失效的问题，同时加强导电结构与基板之间焊接金属结合力。之间焊接金属结合力。之间焊接金属结合力。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器是一种广泛应用的半导体存储器。随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，对半导体制造技术的要求也在不断提高。现有的半导体封装技术存在一定的局限，就需要我们去研发先进的工艺，提升公司竞争力。
[0003]在现有的半导体封装技术中，导电凸块与半导体基板间隔是使用塑封料填充，由于塑封料的填充性或致密性的材料属性，以及芯片与基板的金属互连结构使用焊料的润湿性问题，导致焊接作用较差，进而导致在后续的塑封阶段出现产品失效。
[0004]因此，如何在特征尺寸缩小的半导体的封装工艺中，避免芯片与半导体基板在后续的塑封阶段出现产品失效的问题，同时加强导电结构与基板之间焊接金属结合力，是我们目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，能够避免芯片与半导体基板在后续的塑封阶段出现产品失效的问题，同时加强导电结构与基板之间焊接金属结合力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片表面具有互连结构，所述互连结构顶端具有暴露的可熔部分；提供基板，所述基板表面形成有导电结构；图形化所述导电结构，使所述导电结构的边缘具有凸起部；将所述芯片与所述基板组合，使得所述可熔部分和所述导电结构初步机械结合，然后将所述可熔部分加热到所述可熔部分的回流温度，将所述可熔部分与所述导电结构热压结合。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化所述导电结构的步骤包括：在所述导电结构上方形成第一掩膜材料层，所述第一掩膜材料层暴露出所述导电结构的边缘；在所述第一掩膜材料层中沉积阻挡材料层；去除所述第一掩膜材料层，于所述导电结构的边缘形成所述凸起部。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化所述导电结构的步骤包括：在所述导电结构上方形成第二掩膜材料层，所述第二掩膜材料层至少覆盖所述导电结构的边缘部分；沿所述第二掩膜材料层刻蚀所述导电结构，于所述导电结构的边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：