基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪制造技术

本实用新型专利技术公开了基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头和高精度滑台，所述色散共轭聚焦测量探头在高精度滑台上方位置，所述高精度滑台上表面固定安装被测硅片载台，所述被测硅片载台上表面固定安装若干被测硅片定位销，所述被测硅片定位销内部放置有硅片，所述硅片上有硅片打标码，所述色散共轭聚焦测量探头、高精度滑台受控于人机界面，通过色散共轭聚焦测量探头进行检测，精度可以达到1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间平衡，避免打标深度太浅，产生人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质。影响产品品质。影响产品品质。

【技术实现步骤摘要】
基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪


[0001]本技术涉及半导体行业抛光片生产
，具体为基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪。

技术介绍

[0002]在半导体生产领域，硅片上ID打标对于产品管控，质量追溯有着至关重要的作用，这一点在当代工业领域基本是互通的。由于半导体行业的特殊性，硅片上只能采用激光打标，也即激光刻字的方式进行标识。打标的字体高度受产品特性的限制，通常都要考虑尽可能少的占用硅片表面面积。打标的深度也是在权衡“能清晰读取”和“尽可能减少对硅片的应力影响”之间进行平衡。所以打标深度的控制是一个非常关键的指标，打标深度太浅，后续无论人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质。打标太深，硅片的应力强度被破坏，可能会出现翘曲，平整度的问题，同时，深度太深的话，打标的微小坑孔中的微小尘埃在清洗的过程中很难清洗干净，这也是硅片品质的一个重要危害。
[0003]为此我们提出基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪用于解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头和高精度滑台，所述色散共轭聚焦测量探头在高精度滑台上方位置，所述高精度滑台上表面固定安装被测硅片载台，所述被测硅片载台上表面固定安装若干被测硅片定位销，所述被测硅片定位销内部放置有硅片，所述硅片上有硅片打标码。
[0006]优选的，所述色散共轭聚焦测量探头、高精度滑台受控于人机界面。
[0007]优选的，所述色散共轭聚焦测量探头，可以实现对激光打标深度检测精度 1nm。
[0008]优选的，所述色散共轭聚焦测量探头共有三台，或者一台色散共轭聚焦测量探头可拆卸式安装三个位置。
[0009]优选的，所述被测硅片定位销由洁净四氟乙烯制成。
[0010]优选的，所述高精度滑台能够单一维度的直线运动。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过色散共轭聚焦测量探头进行检测，精度可以达到1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间平衡，避免打标深度太浅，产生人工读取还是机械读取都会遇到困难，影响产品品质，打标太深，硅片的应力强度被破坏，可能会出现翘曲，平整度的问题，打标深度太深，打标的微小坑孔中的微小尘埃在清洗的过程中很难清洗干净的问题，从而对激光打标深度这一个质量指标进行量化测量，对打标机的输出功
率实现闭环控制的目的。降低了质量成本。
附图说明
[0012]图1为本技术结构示意图；
[0013]图2为本技术侧视示意图。
[0014]图中：1、色散共轭聚焦测量探头；2、被测硅片载台；3、被测硅片定位销； 4、高精度滑台；5、硅片打标码；6、硅片；7、人机界面。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度实施例：
[0017]作业员使用真空吸笔等现有技术将硅片摆放到被测硅片载台2上，并由被测硅片定位销3确保硅片6摆放到位，作业员在人机界面7上操作，开始检测，被测硅片载台2在高精度滑台的驱动下在色散共轭聚焦测量探头1的下方平移，色散共轭聚焦测量探头1就可以实现硅片6上的硅片打标码5的深度检测，并记录一系列的深度数据；
[0018]系统会将检测到的深度数据进行滤波处理，之后将该数据和系统中的标定数据进行对比，当测量值超出了标定值，则发出报警，通过人机界面7和通讯向外发出报警。
[0019]请参阅图1
‑
2，本技术提供一种技术方案：基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头1和高精度滑台4，色散共轭聚焦测量探头1在高精度滑台4上方位置，便于进行测量，高精度滑台4上表面固定安装被测硅片载台2，能够带动被测硅片载台2滑动，被测硅片载台2上表面固定安装若干被测硅片定位销3，能够对硅片6进行定位，被测硅片定位销 3内部放置有硅片6，硅片6上有硅片打标码5；
[0020]色散共轭聚焦测量探头1、高精度滑台4受控于人机界面7，硅片6打标深度检测的数据会通过控制器形成本地的数据库数据，在人机界面7显示的同时，可以通过通讯端口上报系统作为质量控制的依据；
[0021]色散共轭聚焦测量探头1，可以实现对激光打标深度检测精度1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间平衡；
[0022]色散共轭聚焦测量探头1共有三台，或者一台色散共轭聚焦测量探头1可拆卸式安装三个位置，就可以实现不同位置的打标码的检测了；
[0023]被测硅片定位销3由洁净四氟乙烯制成，有利于包会硅片6，可以实现硅片在载台上的定位，确保检测位置的一致性；
[0024]高精度滑台4能够单一维度的直线运动，允许在确保检测精度的前提下实现硅片打标码5的扫描检测。
[0025]工作原理：本技术，色散共轭聚焦测量方法是利用光谱分光后，不同波长的光波通过透镜之后的折射角度不同，进而形成的聚焦点不同，而且根据光波长不同，聚焦点形
成一系列连续的焦点，焦点在遇到反射面的时候，发生反射，返回到传感器探头接收器，通过对接受到的反光进行光谱分析，就能得知哪个波长的光遇到的反射面，从而推算出反射面距离发射器的距离。使用这种测量方式的优势是可以用于检测透明物体的上下两个界面，即空气和透明物体之间的界面。由于采用了利用不同光谱的波长作为检测依据的方式，所以可以实现最高分辨率1nm的精度。
[0026]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头(1)和高精度滑台(4)，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)在高精度滑台(4)上方位置，所述高精度滑台(4)上表面固定安装被测硅片载台(2)，所述被测硅片载台(2)上表面固定安装若干被测硅片定位销(3)，所述被测硅片定位销(3)内部放置有硅片(6)，所述硅片(6)上有硅片打标码(5)。2.根据权利要求1所述的基于色散共轭聚焦测量的半导体打标深度检测仪，其特征在于：所述色散共轭聚焦测量探头(1)、高精度滑台(4)受控于人机界面(7)。3.根据权利要求1所述的基于色散共轭...

【专利技术属性】
技术研发人员：张淳，谭永麟，陈健华，王彦君，孙晨光，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：