用于双工器的封装基板和双工器制造技术

本公开提供了一种用于双工器的封装基板。双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器。根据本公开的封装基板包括：用于形成第一电感器和第二电感器的多个金属层；以及设置在多个金属层之间的多个介质层，其中，用于形成第一电感器的金属层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性不同于用于形成第一电感器的金属层之间的介质层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性。根据本公开的实施方式，通过叠加不同的介质材料来形成封装载板，可以减小用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器之间的相互干扰，从而提高隔离度。离度。离度。

【技术实现步骤摘要】
用于双工器的封装基板和双工器


[0001]本公开涉及半导体
，特别地，本公开涉及用于双工器的封装基板和包括该封装基板的双工器。

技术介绍

[0002]随着无线通讯应用的发展，人们对于数据传输速率的要求越来越高，与数据传输速率相对应的是频谱资源的高利用率和频谱的复杂化。通信协议的复杂化对于射频系统的各种性能提出了严格的要求，在射频前端模块，射频滤波器、双工器起着至关重要的作用，它可以将带外干扰和噪声滤除掉以满足射频系统和通信协议对于信噪比的要求。随着5G商用的增加，对B1、2、3、5、7、8等双工器的需求量也越来越大。
[0003]目前，由于以薄膜体声波谐振器(FBAR)为基础的滤波器、双工器具有插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优点而日益得到广泛的使用。然而，面对越来越严苛的频率资源，要求射频前端的滤波器、双工器等频率选择器件对于相邻频带的隔离度越来越高。
[0004]因此，为了提高双工器的接收(Rx)和发射(Tx)频带之间的隔离度，通常会采用增大封装基板上的绕线电感器的电感值或者接入诸如电感器或电容器的器件的方法。然而，这会引入更多的损耗，使得插入损耗劣化。同时也需要占据更大的体积，不利于小型化发展。
[0005]因此，在现有技术中仍需要一种用于双工器的封装基板，能够在不改变封装基板的绕线电感器的电感值和体积的前提下，提高Rx和Tx频带之间的隔离度。

技术实现思路

[0006]在下文中给出了关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开的某些方面的基本理解。但是，应当理解，此概述并非关于本公开的穷举性概述，也非意在确定本公开的关键性部分或重要部分，更非意在限定本公开的范围。此概述的目的仅在于以简化的形式给出关于本公开的某些专利技术构思，以此作为稍后给出的更详细的描述的前序。
[0007]本公开的目的在于提供一种能够在不改变绕线电感器的电感值和体积的前提下，提高Rx和Tx频带之间的隔离度的封装基板以及包括该封装基板的双工器。
[0008]根据本公开的一个方面，提供了一种用于双工器的封装基板，该双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，该封装基板包括：用于形成第一电感器和第二电感器的多个金属层；以及设置在多个金属层之间的多个介质层，其中，用于形成第一电感器的金属层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性不同于用于形成第一电感器的金属层之间的介质层和/或用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性。
[0009]根据本公开的实施方式，介质材料特性可以包括介电常数。
[0010]根据本公开的实施方式，介电常数可以在2至15的范围内。
[0011]根据本公开的实施方式，用于形成第一电感器的金属层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料的介电常数可以高于用于形成第一电感器的金属层之间的介质层和/或用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料的介电常数。
[0012]根据本公开的实施方式，用于形成第一电感器的金属层可以不同于用于形成第二电感器的金属层。
[0013]根据本公开的实施方式，第一电感器和第二电感器被设置在接地的隔离带的相对侧。
[0014]根据本公开的另一方面，提供了一种用于双工器的封装基板，该双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，该封装基板包括：第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层，沿竖直方向从顶部到底部设置；以及设置在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层、设置在第二金属层和第三金属层之间的第二介质层、设置在第三金属层和第四金属层之间的第三介质层和设置在第四金属层和第五金属层之间的第四介质层，其中，第一电感器在第一金属层和第二金属层中形成，并且第二电感器在第三金属层和第四金属层中形成，或者第二电感器在第一金属层和第二金属层中形成，并且第一电感器在第三金属层和第四金属层中形成，以及其中，第二介质层的介质材料特性不同于第一介质层和/或第三介质层的介质材料特性。
[0015]根据本公开的实施方式，介质材料特性可以包括介电常数。
[0016]根据本公开的实施方式，第一电感器和第二电感器被设置在接地的隔离带的相对侧。
[0017]根据本公开的实施方式，第二介质层的介质材料的介电常数可以高于第一介质层和/或第三介质层的介质材料的介电常数。
[0018]根据本公开的又一方面，提供了一种双工器，包括根据本公开的以上方面的封装基板。
[0019]根据本公开的又一方面，提供了一种制造用于双工器的封装基板的方法，该双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，该方法包括：形成多个金属层和设置在多个金属层之间的多个介质层；以及在多个金属层中的一些金属层中形成第一电感器，并且多个金属层中的其他金属层中形成第二电感器，其中，形成第一电感器的金属层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性不同于用于形成第一电感器的金属层之间的介质层和/或用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性。
[0020]根据本公开的实施方式，第一电感器和第二电感器被设置在接地的隔离带的相对侧。
[0021]根据本公开的封装基板和包括其的双工器，可以在不改变绕线电感器的电感值和体积的前提下，提高Rx和Tx频带之间的隔离度。
附图说明
[0022]所包括的附图用于提供本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式，连同下面的描述一起用于说明本公开的原理。
[0023]图1示出了可以应用根据本公开的实施方式的封装基板的双工器的示例的等效电
路图。
[0024]图2示出了根据本公开的实施方式的封装基板的平面视图。
[0025]图3示出了根据本公开的实施方式的封装基板的透视图。
[0026]图4示出了根据本公开的实施方式的封装基板的截面视图。
[0027]图5A至图5E分别示出了根据本公开的实施方式的封装基板的第一至第五金属层的布局的示图。
[0028]图6示出了根据本公开的实施方式的Rx和Tx频带之间的隔离度相对于第二介质层的介电常数的曲线图。
[0029]图7示出了比较根据本公开的实施方式和比较例的Rx和Tx频带之间的隔离度的曲线图。
具体实施方式
[0030]在本说明书中，还将理解，当一个元件被称为相对于其他元件，诸如在其他元件“上”，“连接到”或“耦接到”其他元件时，该一个元件可以直接设置在该一个元件上，直接连接到或直接耦接到该一个元件，或者还可以存在居间的第三元件。相反，当在本说明书中元件被称为相对于其他元件，诸如“直接”在其他元件“上”，“直接连接到”或“直接耦接到”其他元件时，在它们之间没有设置居间的元件。
[0031]现将在下文中参照附图更全面地描述本公开，在附图中示出了各实施方式。然而，本公开可以以许多不同的方式实施，并且不应被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于双工器的封装基板，所述双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，所述封装基板包括：用于形成所述第一电感器和所述第二电感器的多个金属层；以及设置在所述多个金属层之间的多个介质层，其中，用于形成所述第一电感器的金属层和用于形成所述第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性不同于用于形成所述第一电感器的金属层之间的介质层和/或用于形成所述第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性。2.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述介质材料特性包括介电常数。3.根据权利要求2所述的封装基板，其中，所述介电常数在2至15的范围内。4.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，用于形成所述第一电感器的金属层和用于形成所述第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料的介电常数高于用于形成所述第一电感器的金属层之间的介质层和/或用于形成所述第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料的介电常数。5.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，用于形成所述第一电感器的金属层不同于用于形成所述第二电感器的金属层。6.根据权利要求1或2所述的封装基板，其中，所述第一电感器和所述第二电感器被设置在接地的隔离带的相对侧。7.一种用于双工器的封装基板，所述双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，所述封装基板包括：第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层，沿竖直方向从顶部到底部设置；以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的第一介质层、设置在所述第二金属层和所述第三金属层之间的第二介质层、设置在所述第三金属层和所述第四金属层之间的第三介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，杨清华，唐兆云，赖志国，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：