一种基于冗余金属的电磁防护方法技术

本发明专利技术公开了一种基于冗余金属的电磁防护方法，其结构设计简单合理，不仅可降低芯片结构复杂度，而且可降低制造成本，将该方法应用于半导体芯片中，芯片包括晶圆、沉积于晶圆的若干金属层、冗余金属层，金属层包括信号金属层，信号金属层用于信号传输，信号金属层周围的冗余金属层接地后形成若干屏蔽墙，所述屏蔽墙包括至少一层所述冗余金属层。蔽墙包括至少一层所述冗余金属层。蔽墙包括至少一层所述冗余金属层。

【技术实现步骤摘要】
一种基于冗余金属的电磁防护方法


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，具体为一种基于冗余金属的电磁防护方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，半导体芯片内外复杂的电磁场环境会对高速、高密度、系统化的数字电路产生严重影响，扰乱电子系统和设备的正常工作，减少敏感器件使用寿命，因此，在集成电路芯片设计时，需对电子系统进行电磁防护，现有集成电路设计的电磁防护一般在系统层次上实现，主要包括以下方式：(1)在系统中增加电磁防护元器件；(2)在系统中搭建复杂电磁防护电路；(3)使用先进材料(改性碳纤维或其他复合电磁防护材料)等，以上方式不仅增加了制造成本，也增加了系统设计的复杂度。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的在芯片系统中增加电磁防护元器件、搭建复杂电磁防护电路、使用先进材料等实现电磁防护的方式，增加了制造成本和结构设计复杂度的问题，本专利技术提供了一种基于冗余金属的电磁防护方法，其结构设计简单合理，不仅可降低芯片结构复杂度，而且可降低制造成本。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于冗余金属的电磁防护方法，将该方法应用于半导体芯片中，所述芯片包括晶圆、沉积于所述晶圆的若干金属层、冗余金属层，其特征在于，所述金属层包括信号金属层，所述信号金属层用于信号传输，将所述信号金属层周围的所述冗余金属层接地后形成若干屏蔽墙，所述屏蔽墙包括至少一层所述冗余金属层。2.根据权利要求1所述的一种基于冗余金属的电磁防护方法，其特征在于，所述屏蔽墙包括至少两层平行间隔分布的所述冗余金属层，所述冗余金属层通过若干贯穿所述晶圆的通孔层连接并接地或各所述冗余金属层分别接地，相邻两层所述冗余金属层之间的间隔为绝缘层。3.根据权利要求2所述的一种基于冗余金属的电磁防护方法，其特征在于，所述屏蔽墙分布于所述信号金属层的两侧，所述冗余金属层与所述信号金属层间隔、平行分布，所述冗余金属层与所述信号金属层之间的间隔为绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋文超，商振，吴美琪，
申请(专利权)人：世芯电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：