电激发光显示器的列驱动胞元及方法技术

一种电激发光显示器的列驱动胞元，该电激发光显示器包含一电激发光组件连接在一行扫描线及一列扫描线之间，该列驱动胞元可以将该列扫描线切换至一高压或一低压或浮接，并且可以防止面板充放电时的消耗电流由该列扫描线流向该高压。

Column driving cell and method for electroluminescent display

An electroluminescent display column drive cell element, the light-emitting device includes a light-emitting component connected in a row of scanning lines and a column scan line between the column driver cell can be the column scanning line is switched to a high voltage or a low voltage or floating, and can prevent the current consumption of surface in the charge and discharge from the column scanning line to the pressure.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电激发光(ElectroLuminescent; EL)显示器，特别是关于一种EL显示器的列驱动胞元及方法。
技术介绍
图1至图4显示现有EL显示器10的驱动方法。EL显示器10包 括面板18以及用以驱动面板18的驱动装置。面板18具有多条行扫 描线COLl COL720、多条列扫描线ROWl ROW64及由多个发光二 极管En,m排列而成的矩阵，其中11=1 720， m=l 64，每一个发光二 极管En，m都具有一寄生电容Cn，m。该驱动装置包括发光控制电路12、 列驱动器14及行驱动器16，发光控制电路12根据一发光数据提供信 号给列驱动器14及行驱动器16以使列驱动器14及行驱动器16中的 列驱动胞元142及行驱动胞元162改变列扫描线ROWl ROW64及行 扫描线COLl COL720上的电压，进而点亮所选取的二极管En,m。图 5显示EL显示器10中列驱动胞元142的传统架构，其包括一 PMOS 晶体管144连接在电压VCOM及列扫描线ROWm之间，一 NMOS晶 体管146连接在列扫描线ROWm及接地端GND之间，在导通(turn on) 状态时，NMOS晶体管146将列扫描线ROWm连接至接地端，在反 向(reverse)状态时，PMOS晶体管144将列扫描线ROWm连接至电压 VCOM。行驱动胞元162包括驱动电流源164、电压源166及接地端 GND，在显示状态时，行扫描线COLn被连接至驱动电流源164，在 预充电状态时，行扫描线COLn被连接至电压源166，在放电状态时， 行扫描线COLn被连接至接地端GND。在图1的显示模式中，列扫描线ROW1连接至接地端GND而其 余的列扫描线ROW2 ROW64则处于反向状态，行扫描线COL1及COL2连接至驱动电流源164，而其余的行扫描线COL3 COL720连接 至接地端GND，故电流通过发光二极管El,l及E2,1，因此发光二极 管El,l及E2,1点亮。假设要从点亮二极管El,l及E2,1转换成点亮 E2,2及E3,2时，必须先进入放电模式，故列扫描线ROW1连接至接 接接地端GND ， ROW2 ROW64接至电压VCOM ， 而行扫描线 COL卜COL720则全切换至接地端GND以释放所有二极管En，m的寄 生电容Cn,m上的电荷，如图2所示。接着进入预充电模式，将列扫 描线ROW1接至电压VCOM， ROW2切换至接地端GND，而行扫描 线COL2及COL3则切换至电压源166以将行扫描线COL2及COL3 上的电压由0V充电至VCC，如图3所示。最后进入显示模式，将行 扫描线COL2及COL3切换至电流源164以点亮二极管E2,2及E3，2， 如图4所示。其中，发光二极管En,m的亮度由电流流过该发光二极 管En,m的大小和时间来决定。然而，在EL显示器10的操作过程中，并不是所有电流都用在发 光，根据测试而得的数据，不论在高亮度或低亮度时，都有一部份固 定大小的电流消耗在面板的充放电上，在低亮度时，因面板充放电而 消耗掉的电流甚至占总电流的一半以上。例如在图2所示的放电模式 中，行扫描线COL1切换至接地端GND时，行扫描线COL1的电位 将立即从VCC拉至0V，在这过程中，将因寄生电容的耦合(coupling) 效应使得列扫描线ROW2 ROW64上的电位往下拉，因此，原本处于 电压VCOM的扫描线ROW2 ROW64将透过寄生电容提供不小的电流 至行驱动胞元162的接地端GND，由于这些电流不是用来点亮面板 的，所以这些电流是浪费掉的，如果每个行驱动胞元162关的时间不 一样，电压VCOM会有不少的电流消耗在此。在图3所示的充电模式 中，行扫描线COL2的输出由0V充电至VCC，在这过程中，将因寄 生电容的耦合效应使得列扫描线ROW2 ROW64上的电位往上拉，因 此除了要提供列扫描线R0W1充电电流外，对其他的列扫描线 ROW2 ROW64也会提 供充电电流，而这些电流将从电压VCOM流走， 由于这些电流也不用在发光上面，所以这些电流也是浪费掉的，也因此从行扫描线COL2上看到的电容有64个。虽然，在EL显示器方面已经有许多减少耗电的专利被提出，例 如，美国专利第5,594,463号、第5,844,368号、第6,104,363号、第 6,191,535号、第6，310，589号、第6,376,994号、第6,473,064号及第 6,501,226号，但是，都没有针对面板充放电所造成的消耗电流进行改 善，也因此预充电模式成为电激光显示器不可缺少的步骤。因此， 一种降低因面板充放电所造成的消耗电流的装置及方法为 人们所期盼。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种电激发光显示器的列驱动胞元及方 法，使得降低面板充放电时所造成的消耗电流。本专利技术的另一个目的在于提出一种电激发光显示器的列驱动胞 元及方法，使得电激发光显示器省略预充电步骤。根据本专利技术， 一种电激发光显示器的列驱动胞元，所述电激发光 显示器包含一电激发光组件连接在一行扫描线及一列扫描线，其特征 在于包括包括一第一开关设置在所述列扫描线及一高压之间， 一第 二开关设置在所述列扫描线及一低压之间，以及一逆偏组件与所述第 一开关串联，用以防止电流由所述列扫描线流至所述高压。在上述列驱动胞元中，当所述第一及第二开关都关闭时，所述列 扫描线处于浮接状态。在上述列驱动胞元中，所述逆偏组件包括一二极管。在上述列驱动胞元中，所述逆偏组件包括一接成二极管的BJT。在上述列驱动胞元中，所述逆偏组件包括一接成二极管的MOS 晶体管。另一种电激发光显示器的列驱动胞元，其特征在于包括 一第一MOS晶体管连接在所述列扫描线及高压之间， 一第二 MOS晶体管连 接在所述列扫描及低压之间，以及一电压源提供电压至所述第一 MOS 晶体管的基底，以防止所述第一 MOS晶体管的寄生二极管导通。在上述列驱动胞元中，当所述第一及第二 MOS晶体管都关闭时，所述列扫描线处于浮接状态。一种电激发光显示器的列驱动方法，包括下列步骤 首先将所述多条列扫描线中的第N条列扫描线切换至导通状态； 其次，在所述第N条列扫描线结束导通状态后，将所述第N条列扫描线切换至反向状态；最后，在所述第N条列扫描线切换至所述反向状态一段时间后，将所述第N条列扫描线切换至浮接状态直至所述第N条列扫描线再被导通。在将所述多条列扫描线切换至导通状态，在轮到第N+l条列扫描 线切换至所述导通状态时，将第N条列扫描线切换至反向状态，在所 述第N条列扫描线切换至所述反向状态一段时间后，将所述第N条 列扫描线切换至浮接状态，接着将所述第N条列扫描线维持在浮接状 态直至所述第N条列扫描线再次切换至所述导通状态。另一种电激发光显示器的列驱动方法，包括下列步骤 首先将所述多条列扫描线中的第N条列扫描线切换至导通状态；其次，在所述第N条列扫描线结束导通状态后，将所述第N条 列扫描线切换至浮接状态；最后，在所述第N条列扫描线处于导通状态期间，若所述多条行 扫描线都切换至放电状态时，将除了所述第N条列扫描线以外的其它 列扫描线切换至反向状态。在将所述多条列扫描线中的第N条列扫描线切换至所述导通状 态时，将其它列扫描线切换至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电激发光显示器的列驱动胞元，其特征在于包括：　一第一开关，设置在列扫描线及一高压之间；　一第二开关，设置在列扫描线及一低压之间；以及　一逆偏组件，与所述第一开关串联。

【技术特征摘要】
1. 一种电激发光显示器的列驱动胞元，其特征在于包括一第一开关，设置在列扫描线及一高压之间；一第二开关，设置在列扫描线及一低压之间；以及一逆偏组件，与所述第一开关串联。2. 如权利要求1所述的列驱动胞元，其特征在于，当所述第一 及第二开关都关闭时，所述列扫描线处于浮接状态。3. 如权利要求1所述的列驱动胞元，其特征在于，所述逆偏组 件包括一二极管。4. 如权利要求1所述的列驱动胞元，其特征在于，所述逆偏组 件包括一接成二极管的BJT。5. 如权利要求1所述的列驱动胞元，其特征在于，所述逆偏组 件包括一接成二极管的MOS晶体管。6. —种电激发光显示器的列驱动胞元，其特征在于包括 一第一MOS晶体管，连接所述列扫描线至所述高压； 一第二MOS晶体管，连接所述列扫描线至所述低压；以及一电压源，提供电压至所述第一 MOS晶体管的基底。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健忠，彭仁俊，韦政宏，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]