【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了基板处理装置，该基板处理装置构成为具备：在用舟皿保持了多张晶片的状态下进行处理的工艺管；在工艺管的正下方对舟皿进行搬入搬出的真空锁室；设于真空锁室的待机部且使舟皿升降的舟皿升降机；与真空锁室连续设置且由门阀开闭的真空预备室；以及设于真空锁室的设置部且在舟皿与真空预备室之间移载晶片的晶片移载装置，晶片移载装置的上下方向上的冲程L1被设定为比舟皿的晶片保持范围L2小，冲程的不足量L3由舟皿升降机的冲程补充。像这样，通过利用舟皿升降机的冲程补充晶片移载装置的冲程的不足量，能够较短地设定晶片移载装置的冲程，能够抑制供晶片移载装置设置的气密室的容积，因此，缩短抽真空时间，提高生产量。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：JP特开2003
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163252号公报
技术实现思路
[0006]本公开...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：舟皿，其具有多个保持基板的插槽；对由所述舟皿保持的所述基板进行处理的处理炉；使所述舟皿升降的舟皿升降机；移载机，其在保存有所述基板的载体与所述舟皿之间移载所述基板；以及控制器，其构成为能够控制所述舟皿升降机和所述移载机，所述控制器构成为将用于供所述移载机移载所述基板的多个位置设定于所述舟皿升降机，在所述移载机从多个所述载体将所述基板搬入所述舟皿以成为能够装填至所述处理炉的状态的动作、以及所述移载机从所述舟皿向多个所述载体搬出由所述处理炉处理后的所述基板的动作的各动作中，以使所述舟皿升降机的所述多个位置之间的过渡的次数或过渡所需的时间的合计成为最小的方式进行选择。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述舟皿上的、比所述移载机能够相对于静止的所述舟皿移载所述基板的可移载范围广的范围设有所述插槽，所述多个位置具有第1位置以及第2位置，所述位置的选择应用于与通过所述第1位置以及所述第2位置的任一位置均能够进行移载的所述插槽相关的、搬入所述基板的动作以及搬出的动作。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具备：将供所述舟皿升降的装填室与设有所述移载机的移载室分隔的隔壁；以及闸门，其设于所述隔壁，相对于搭载于采用所述第1位置或者所述第2位置的所述舟皿升降机的所述舟皿的多个所述插槽的一部分开口，所述可移载范围由所述移载机的可动范围或所述闸门的开口来限制。4.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述舟皿保持有多个种类的所述基板，所述控制器构成为，能够针对所述基板的每个种类，以在所述舟皿的多个所述插槽按照从上到下的顺序载置所述基板、并且按照从下到上的顺序从所述舟皿的多个所述插槽取出所述基板的方式，控制所述移载机，所述基板的多个种类的至少一个为偏向所述舟皿的上端侧和下端侧的所述插槽而配置的虚设基板。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，具有存储部，该存储部存储包括载置于所述舟皿的多个所述插槽的所述基板的种类在内的基板配置参数，所述控制器构成为，能够按照所述基板配置参数的定义，决定对成为载置于所述舟皿的多个所述插槽的所述基板的搬入/搬出源的载体、该载体中的所述基板的保持区域以及所述基板的搬入/搬出顺序进行设定的基板移载信息，基于所述基板移载信息，创建对所述移载机以及所述舟皿升降机进行协调控制的移载动作数据，所述移载动作数据被设定为在所述基板的搬入/搬出时所述舟皿升降机的位置过渡的次数成为最小。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制器构成为，在所述移载机为了移载所述基板而设定的位置以外的位置存在所述舟皿升降机时，禁止所述移载机的移载动作。7.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，具备：多个处理模块，其分别具有所述处理炉以及供所述舟皿升降的装填室；设置有所述移载机的移载室，其相对于所述多个处理模块设置为共用；以及多个装载端口，其与所述移载室连接，以使所述载体能够进入所述移载机的方式开口并保持所述载体，所述多个处理模块能够经由所述移载室而与所述载体之间使所述基板进出。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，具有设于将所述装填室与所述移载室分隔的隔壁的闸门，所述多个处理模块在水平方向上配置，所述闸门与所述多个...
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