一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法技术

本申请公开了一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法，涉及光电器件制备技术领域，其包括：于清洁后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层；将卤化铅、卤盐、有机钝化剂、以及镉盐溶解于有机溶剂中，得到镉掺杂的钙钛矿前驱液；将钙钛矿前驱液旋涂在电子注入层上，并于旋涂过程中滴加氯苯反溶剂，经退火形成钙钛矿光发射层；于钙钛矿光发射层上旋涂空穴注入层前驱液，形成空穴注入层后，在空穴注入层上依次真空热蒸镀金属电极修饰层和金属电极，得到镉掺杂钙钛矿发光二极管。本申请，利用镉掺杂有效降低晶粒尺寸，抑制混合卤素相分离的现象，并抑制钙钛矿光发射层表面荧光淬灭，使镉掺杂钙钛矿发光二极管具有更好的光谱稳定性。的光谱稳定性。的光谱稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法


[0001]本申请涉及光电器件制备
，具体涉及一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，钙钛矿材料作为近几年来光伏领域最具竞争力的材料之一，主要得益于其优异的光物理特性，如直接带隙、载流子寿命长、扩散长度长、吸光系数高等。另外，钙钛矿材料可溶液法制备，制备工艺简单，上述优异的特性使得钙钛矿材料不仅可以作为吸光材料应用于太阳能电池，也可以在激光、光电探测和发光领域展现巨大的应用潜力。钙钛矿可以以量子点的形式应用于发光器件。但是量子点的合成过程过于繁琐，并且量子点自身的稳定需要配体辅助，配体的绝缘性导致了其并不适用电致发光器件。
[0003]相关技术中，钙钛矿材料应用于发光器件最多的还是溶液法制备的多晶薄膜。基于钙钛矿材料带隙可调的特点，其发光的波长可覆盖近紫外
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可见光
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红外波段，使其在发光显示中具有重要的研究意义与运用潜力。
[0004]利用钙钛矿材料卤素可变的特点制备不同发光峰的电致发光器件，发光峰可从470nm调整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，其包括步骤：于清洁后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层；将卤化铅、卤盐、有机钝化剂、以及镉盐溶解于有机溶剂中，得到镉掺杂的钙钛矿前驱液；将所述钙钛矿前驱液旋涂在所述电子注入层上，并于旋涂过程中滴加氯苯反溶剂，经退火形成钙钛矿光发射层；于所述钙钛矿光发射层上旋涂空穴注入层前驱液，形成空穴注入层后，在所述空穴注入层上依次真空热蒸镀金属电极修饰层和金属电极，得到镉掺杂钙钛矿发光二极管。2.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，于清洁处理后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层，具体包括：当所述电子注入层前驱液为氧化锌量子点溶液时，在所述导电衬底上旋涂所述氧化锌量子点溶液后，形成电子注入层；当所述电子注入层前驱液为氧化锡量子点溶液时，在所述导电衬底上旋涂所述氧化锡量子点溶液后，经180℃退火30min形成电子注入层。3.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，形成电子注入层之后，还包括：在所述电子注入层上旋涂聚乙氧基乙烯亚胺PEIE溶液，经90℃退火10min形成PEIE修饰层。4.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：所述卤化铅、卤盐、有机钝化剂之间的摩尔比为1:1.2～2.4:0.5～0.7。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方国家，刘永杰，王舒欣，刘陈威，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：