制绒设备制造技术

本申请提供制绒设备，涉及光伏技术领域。制绒设备包括：第一次酸洗槽对碱制绒后的单晶硅片第一次酸洗；金属离子辅助制绒槽对第一次酸洗后的单晶硅片进行金属离子辅助制绒；第一次脱金属槽对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；第二次酸洗槽对第一次脱金属后的单晶硅片第二次酸洗；修饰槽对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰、扩孔；第二次脱金属槽采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片第二次脱金属。金属离子浓度较小，纳米孔洞尺寸小，反射率低。鼓泡产生震动，臭氧与金属离子发生化学反应，金属离子残留少，复合少，发电效率高。发电效率高。发电效率高。

【技术实现步骤摘要】
制绒设备


[0001]本技术涉及光伏
，特别是涉及一种制绒设备。

技术介绍

[0002]对单晶硅片制绒，并在绒面上设置纳米孔洞，可以进一步降低表面反射，增加入射光的利用率。
[0003]然而，现有技术中，制绒设备制得的金字塔绒面上设置纳米孔洞的硅片，会导致太阳电池的发电效率降低。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种制绒设备，旨在解决制绒设备制得的绒面上设置纳米孔洞的硅片，会导致太阳电池的发电效率降低的问题。
[0005]根据本技术的第一方面，提供了一种制绒设备，包括：
[0006]第一次酸洗槽，用于对碱制绒后的单晶硅片进行第一次酸洗；
[0007]金属离子辅助制绒槽，用于对第一次酸洗后的单晶硅片进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；
[0008]第一次脱金属槽，用于对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；
[0009]第二次酸洗槽，用于对第一次脱金属后的单晶硅片进行第二次酸洗；
[0010]修饰槽，用于对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对所述纳米孔洞扩孔；
[0011]以及第二次脱金属槽，用于采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。
[0012]本技术实施例中，金属离子辅助制绒槽中金属离子浓度较低，有效减少了金属离子在金字塔绒面表面的堆积现象，金属离子分布更加均匀，也有利于保证后续刻蚀的均匀性，同时，金属离子的含量没有过低，不会在单晶硅片表面产生波动，产生的纳米孔洞也不至过小。且上述含量的金属离子形成的纳米孔洞之间不会连成一体使孔洞过大，形成的纳米孔洞尺寸较小，能够有效降低单晶硅片表面的反射率。在金属离子辅助制绒后还采用修饰槽进行扩孔，使得得到的纳米孔洞大小较为合适，可以有效降低单晶硅片表面的反射率。同时，金属离子辅助制绒槽中金属离子的浓度较小，使得孔洞内的金属离子或金属杂质较少，孔洞内的金属离子或金属杂质易于去除。在第二次脱金属槽中，鼓泡会产生震动，通过物理方式，使得金属离子或金属杂质从孔洞内的单晶硅片表面松动，以去除金属离子或金属杂质；同时，含有臭氧的水与孔洞内的金属离子或金属杂质发生化学反应，使得金属离子或金属杂质和单晶硅片的表面的粘附或吸附受到影响，且上述物理震动也会对金属离子或金属杂质和单晶硅片之间吸附的影响，也催化了含有臭氧的水和金属离子或金属杂质发生化学反应，使得通过液相的含有臭氧的水，将孔洞内的金属离子或金属杂质排出，金属离子或金属杂质在孔洞内基本不会残留，进而金属离子或金属杂质引起的复合明显减少，
提升了发电效率。
[0013]可选的，所述第一次酸洗槽、所述金属离子辅助制绒槽、所述第一次脱金属槽、所述第二次酸洗槽、所述修饰槽、所述第二次脱金属槽依次设置。
[0014]可选的，所述金属离子辅助制绒槽的数量大于等于2，各个所述金属离子辅助制绒槽可同步工作。
[0015]可选的，各个所述金属离子辅助制绒槽并排设置。
[0016]可选的，所述第一次脱金属槽的数量大于等于2，各个所述第一次脱金属槽依次对金属离子辅助制绒后的同一单晶硅片进行第一次脱金属处理。
[0017]可选的，所述修饰槽的数量大于等于2，各个所述修饰槽可同步工作。
[0018]可选的，各个所述修饰槽并排设置。
[0019]可选的，所述制绒设备还包括碱制绒槽、第三次酸洗槽、烘干槽和漂洗槽，所述碱制绒槽用于在第一次酸洗前，对单晶硅片进行碱制绒，以形成金字塔绒面；所述第三次酸洗槽用于对第二次脱金属后的单晶硅片进行酸洗；所述烘干槽用于对第三次酸洗后的单晶硅片烘干处理；所述漂洗槽用于采用溢流或鼓泡的方式，用去离子水对各步处理之后的单晶硅片进行清洗；
[0020]在所述烘干槽的数量大于等于2的情况下，各个所述烘干槽可同步工作。
[0021]可选的，所述制绒设备还包括慢提拉槽，所述慢提拉槽用于在烘干处理之前，对第三次酸洗后的单晶硅片预脱水。
[0022]可选的，所述制绒设备还包括配液机构、排液机构、补液机构、移载机械臂；所述配液机构用于为各个槽配置对应的溶液；所述排液机构用于将各个槽中的废液排出；所述补液机构用于为各个槽补充溶液；所述移载机械臂用于将载有单晶硅片的花篮移动至对应的槽中。
[0023]可选的，所述金属离子辅助制绒槽、所述修饰槽内部均设置有热交换器；所述金属离子辅助制绒槽温度保持在30
‑
35℃；所述修饰槽温度保持在8
‑
40℃。
[0024]可选的，所述第一次酸洗槽、所述金属离子辅助制绒槽、所述第二次酸洗槽、所述修饰槽、所述第二次脱金属槽、所述第三次酸洗槽均为聚偏二氟乙烯槽或聚丙烯槽。
[0025]可选的，所述烘干槽为不锈钢槽，所述烘干槽的内胆设置有含氟涂层。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对本技术实施方式的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1示出了本技术实施方式中的第一种制绒设备的结构示意图；
[0028]图2示出了本技术实施方式中的第二种制绒设备的结构示意图；
[0029]图3示出了本技术实施方式中的第三种制绒设备的结构示意图；
[0030]图4示出了本技术实施例提供的一种单晶硅片的局部放大照片；
[0031]图5示出了本技术实施例提供的一种单晶硅片的局部截面放大照片。
[0032]附图标记说明：
[0033]11
‑
碱制绒槽，12
‑
第一次酸洗槽，13
‑
金属离子辅助制绒槽，14
‑
第一次脱金属槽，15
‑
第二次酸洗槽，16
‑
扩孔槽，17
‑
第二次脱金属槽，18
‑
漂洗槽，19
‑
第三次酸洗槽，20
‑
烘干槽。21
‑
慢提拉槽。
具体实施方式
[0034]下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0035]本技术的专利技术人发现，现有技术中，制绒设备制得的绒面上设置纳米孔洞的硅片，会导致太阳电池的发电效率降低的主要原因在于：在金属离子辅助制绒后，一方面，纳米孔洞形貌差异较大，绒面结构并不很优化；另一方面，残留在单晶硅片表面的金属离子或金属杂质易于去除，但是现有的制绒设备对残留在孔洞内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制绒设备，其特征在于，包括：第一次酸洗槽，用于对碱制绒后的单晶硅片进行第一次酸洗；金属离子辅助制绒槽，用于对第一次酸洗后的单晶硅片进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；第一次脱金属槽，用于对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；第二次酸洗槽，用于对第一次脱金属后的单晶硅片进行第二次酸洗；修饰槽，用于对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对所述纳米孔洞扩孔；以及第二次脱金属槽，用于采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。2.根据权利要求1所述的制绒设备，其特征在于，所述第一次酸洗槽、所述金属离子辅助制绒槽、所述第一次脱金属槽、所述第二次酸洗槽、所述修饰槽、所述第二次脱金属槽依次设置。3.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述金属离子辅助制绒槽的数量大于等于2，各个所述金属离子辅助制绒槽可同步工作；各个所述金属离子辅助制绒槽并排设置。4.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述第一次脱金属槽的数量大于等于2，各个所述第一次脱金属槽依次对金属离子辅助制绒后的同一单晶硅片进行第一次脱金属处理。5.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述修饰槽的数量大于等于2，各个所述修饰槽可同步工作；各个所述修饰槽并排设置。6.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述制绒设备还包括碱制绒槽、第三次酸洗槽、烘干槽和漂洗槽，所述碱制...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁超，童洪波，李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：