碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件技术

本发明专利技术提供一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件，所述晶体管包括：上表面开设有U型槽栅的外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p-阱区和/或所述n+阱区电连接。本发明专利技术解决了制备晶体管时，在沟槽底部因氧化膜厚度不足或底部尖锐边角处氧化膜覆盖不足容易因电场集中产生栅氧击穿，导致碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅氧可靠性低的问题。靠性低的问题。靠性低的问题。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件。

技术介绍

[0002]SiC U-MOSFET(碳化硅U型金属-氧化物半导体场效应晶体管)提升可靠性，可以使槽形底部结构更圆滑来解决该问题，如图1a所示，但是U型槽栅刻蚀难度较大，工艺较为复杂，底部很难形成圆滑的结构形貌。或者加入深p+区域也可进一步加强功率U-MOSFET的可靠性，引入的p+区域能够减小槽形结构边角处的电场，如图1b所示，但是本方法较为繁琐，需要控制p+区域远离槽栅侧墙，以免引起阈值电压的大幅增高。
[0003]对于可以耐更高电压的SiC MOSFET来说，对于栅氧的可靠性问题值得关注，槽栅MOSFET的氧化膜耐压可能低于碳化硅漂移区本征电压，故其击穿电压受氧化膜击穿限制。在槽栅底部设置p+屏蔽层可以很好地解决这一问题，如图2所示。与之前的深p+区域类似，p+屏蔽层也能在n型漂移区内展开大的空间电荷区，通过空间电荷区耐压能有效降低沟槽底部氧化膜的电场强度，提高器件的可靠性。p+屏蔽层通常通过离子注入形成，但是因碳化硅的硬度的问题，注入过程中，可能会导致晶格损伤。
[0004]综上，现有技术中，制备碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管时，存在沟槽底部因氧化膜厚度不足或底部尖锐边角处氧化膜覆盖不足容易因电场集中产生栅氧击穿，导致碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅氧可靠性低的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、碳化硅功率器件，以解决制备碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管时，在沟槽底部因氧化膜厚度不足或底部尖锐边角处氧化膜覆盖不足容易因电场集中产生栅氧击穿，导致碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅氧可靠性低的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供了一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，包括：上表面开设有U型槽栅的外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p-阱区和/或所述n+阱区电连接。
[0008]可选的，所述氧化膜为二氧化硅膜。
[0009]可选的，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为p型或n型。
[0010]可选的，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为n型，包括：上表面开设有U型槽栅的n+外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外
延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述n+阱区电连接。
[0011]可选的，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为p型，包括：上表面开设有U型槽栅的p+外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p-阱区电连接。
[0012]第二方面，本专利技术还提供一种碳化硅功率器件，由n个如第一方面任一所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管连接组成，n为大于1的正整数。
[0013]第三方面，本专利技术还提供一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，用于制备如第一方面任一所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，包括：
[0014]步骤21：提供外延片，所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底；
[0015]步骤22：对所述外延层进行离子注入，形成p-阱区和n+阱区；
[0016]步骤23：在所述外延层上形成U型槽栅，所述U型槽栅贯穿部分所述外延层；
[0017]步骤24：在所述U型槽栅内壁注入硅离子、氧离子或含硅化合物，再进行氧化，形成氧化膜；
[0018]步骤25：在所述U型槽栅内填充多晶硅，形成栅极；
[0019]步骤26：形成刻蚀有过孔的绝缘层；
[0020]步骤27：形成源极，所述源极通过所述过孔与所述p-阱区和/或所述n+阱区电连接；
[0021]步骤28：在所述外延片下表面形成漏极。
[0022]可选的，所述在所述U型槽栅内壁注入硅离子、氧离子或含硅化合物的注入浓度小于所述外延层自身离子浓度。
[0023]可选的，所述在所述U型槽栅内壁注入硅离子、氧离子或含硅化合物为垂直所述U型槽栅内壁底部注入硅离子、氧离子或含硅化合物。
[0024]在本专利技术实施例中，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管U型槽栅底部氧化膜包覆完整，具有一定的厚度，有效地防止槽栅底部电场集中导致的栅氧击穿，提高了器件的栅氧可靠性。
附图说明
[0025]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0026]图1a为现有技术中一种U-MOSFET元胞结构优化示意图；
[0027]图1b为现有技术中另一种U-MOSFET元胞结构优化示意图；
[0028]图2为现有技术中一种屏蔽层槽栅功率MOSFET结构示意图；
[0029]图3为本专利技术实施例提供的一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管结构示意图；
[0030]图4为本专利技术另一实施例提供的一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管结
构示意图；
[0031]图5为本专利技术实施例提供的一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法的流程示意图；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的另一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]本专利技术实施例提供了一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，请参阅图3，图3是本专利技术实施例提供的一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管结构示意图，该晶体管包括：
[0035]上表面开设有U型槽栅的外延片9，位于所述外延片9下表面的漏极2，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜4，位于所述U型槽栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：上表面开设有U型槽栅的外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述p-阱区和/或所述n+阱区电连接。2.根据权利要求1所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜为二氧化硅膜。3.根据权利要求1所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为p型或n型。4.根据权利要求3所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为n型，包括：上表面开设有U型槽栅的n+外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以及位于所述绝缘层之上的源极；所述外延片包括外延层和位于所述外延层下表面的衬底，所述外延层形成有p-阱区和n+阱区，所述源极通过所述过孔与所述n+阱区电连接。5.根据权利要求3所述的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管为p型，包括：上表面开设有U型槽栅的p+外延片，位于所述外延片下表面的漏极，包覆所述U型槽栅内壁的氧化膜，位于所述U型槽栅内的多晶硅栅，具有过孔的绝缘层，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：许恒宇，万彩萍，
申请(专利权)人：江苏中科汉韵半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：