用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置制造方法及图纸

技术编号:30336230 阅读:22 留言:0更新日期:2021-10-10 01:09
本发明专利技术属于细胞培养设备技术领域,具体涉及一种用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置。包括,细胞培养槽,用于盛放培养基和细胞;第一电磁装置,其设置于细胞培养槽一侧,第一电磁装置包括串联的第一电源、第一螺线管和第一开关,第一螺线管靠近细胞培养槽设置;第二电磁装置,与第一电磁装置的结构相同,包括第二电源、第二螺线管和第二开关,第二电磁装置设置在细胞培养槽的另一侧;第二电磁装置与第一电磁装置中电流方向相同或相反。本发明专利技术的细胞培养槽内用于盛放培养基和细胞,第一电磁装置和第二电磁装置用于对细胞培养槽内细胞施加磁力,以使细胞产生形变,本发明专利技术的装置可以在无接触状态下产生细胞形变损伤,不造成细胞感染。染。染。

【技术实现步骤摘要】
用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置


[0001]本专利技术属于细胞培养设备
,具体涉及一种用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置。

技术介绍

[0002]不管是植物体还是动物体,都有各种各样功能的细胞组成,每种类型的细胞都有其独特的细胞形态和细胞结构,当细胞结构受到损伤而发生变化,则细胞的生理活性受损,导致植物体或者动物体的生命机能受损。比如,对于人体而言,表皮细胞由于与外界环境直接接触,在人体进行日常生活或者体育锻炼的过程中,这些表皮细胞与环境之间产生摩擦等作用而造成表皮细胞破损,进而造成人体皮肤功能受损或者皮肤感染。细胞功能是维持生命活动的基本单元,一旦发生了细胞功能受损情况,就需要及时就医治疗,防止严重病变。
[0003]目前已经有多种细胞功能修复的药物应用于临床,比如表皮修复因子、疤痕修复膏、酒精肝治疗药等,为了研发更多的细胞功能修复药物,就需要构建各种各样的细胞损伤模型,比如CCl4诱导的体外肝细胞损伤模型,该模型主要利用CCl4来作用肝细胞,当CCl4与肝细胞接触后,随着CCl4用量和作用时间的差异,肝细胞会产生不同程度的损伤;再比如体内肝损伤模型,该模型通过向动物体内灌胃乙醇、过氧化氢、氰化钾、硫代乙酰胺、内毒素、半乳糖胺等化学物质来诱导肝细胞损伤,最常见的就是给大鼠灌胃酒精而构建的酒精肝模型;再比如体外构建的帕金森模型(体外培养的中脑多巴胺能神经元MPTP损伤模型)。通过研究细胞模型与致病因素、治疗药物之间的作用关系,研发其中的致病机理和治疗机理,从而研发各类细胞功能恢复药物。
[0004]上述细胞模型的构建虽然都造成了细胞功能损伤,但是均是采用化学物质来作用细胞,这些化学物质直接影响细胞中某些有益代谢物的生成或者使有害代谢物大量生成,从而导致细胞结构和细胞功能破坏。但是在实际生活中,细胞功能的破坏不仅仅是细胞内代谢物产量异变导致的,也存在机械损伤,比如体育运动中的擦伤、韧带拉伤等,再比如外科手术中的手术刀切口伤等,再比如细胞冻伤、皮肤冻伤等。这些机械损伤是细胞结构或者多细胞组织结构直接被动形变导致的,与化学物质的致病因素不同,因此治疗原理和治疗药物也不同。为了便于开发治疗这些机械力因素(物理因素)导致的细胞损伤,需要构建相应的细胞形变损伤模型。然而现有技术未见相关细胞形变损伤模型构建方法或者装置。因此,急需要开发一种能够模拟细胞形变损伤的装置。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置。
[0006]本专利技术的目的是提供一种用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,包括,细胞培养槽,用于盛放培养基和细胞;
[0007]第一电磁装置,其设置于所述细胞培养槽一侧,所述第一电磁装置包括串联的第一电源、第一螺线管和第一开关,所述第一螺线管靠近所述细胞培养槽设置;
[0008]第二电磁装置,与所述第一电磁装置的结构相同,包括第二电源、第二螺线管和第二开关,所述第二电磁装置设置在所述细胞培养槽的另一侧;所述第二电磁装置与所述第一电磁装置中电流方向相同或相反。
[0009]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,还包括空腔的底座,所述细胞培养槽、第一电磁装置、第二电磁装置均设于所述底座上,所述第一电源和所述第二电源均设置在所述底座的空腔内,所述第一开关和所述第二开关均设置在所述底座侧壁,所述第一螺线管和所述第二螺线管均安装在所述底座上方。
[0010]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述第一螺线管内部是空心,或者设置有金属芯。
[0011]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述第一螺线管与所述细胞培养槽之间的距离为0.1

3cm。
[0012]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述第一电磁装置和所述第二电磁装置的串联电路上均安装有可变电阻,所述可变电阻的开关均安装在所述底座的外壁。
[0013]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,还包括,
[0014]滑轨,其安装在所述底座上、沿所述细胞培养槽长度方向的两侧延伸;
[0015]两个滑块,每个所述滑轨上均连接有所述滑块,其中一个所述滑块上安装有第一螺线管,另一个所述滑块上安装有第二螺线管;
[0016]两个限位装置,分别安装在每个所述滑块上。
[0017]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述限位装置为步进电机或者带自锁的滚轮。
[0018]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,沿每个所述滑轨的两侧分别设有通槽。
[0019]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述第一电磁装置还包括,
[0020]第一显示器,安装在所述底座外壁;
[0021]第一电流传感器,安装在所述底座内部,与所述第一螺线管连接;
[0022]第一控制器,分别与所述第一显示器和所述第一电流传感器连接。
[0023]优选的,上述用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,所述细胞培养槽包括,
[0024]浅槽体,安装在所述底座上;
[0025]框架,安装在所述浅槽体顶部,其与所述第一螺线管和所述第二螺线管相邻的侧面开口,所述第一螺线管和所述第二螺线管的管口分别正对着与其相邻的框架开口;
[0026]多个挡板,安装在浅槽体上、沿所述浅槽体长度方向间隔分布。
[0027]与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:
[0028]1、本专利技术的细胞培养槽内用于盛放培养基和细胞,第一电磁装置和第二电磁装置用于对细胞培养槽内细胞施加磁力,以使细胞产生形变,从而使第一电磁装置和第二电磁装置可以在与细胞无接触状态下,造成细胞形变损伤,不造成细胞感染。
[0029]2、本专利技术设置的第一电磁装置和第二电磁装置可对细胞培养槽中的细胞产生同
方向、相反方向的磁力,通过调节电流大小来控制细胞接受的磁力大小,通过改变第一螺线管和第二螺线管的位置来调整细胞接受的磁力方向,在不同角度不同大小的磁力下,使细胞发生不同角度的挤压形变或者拉伸形变,可模拟细胞形变损伤,可向细胞培养槽中添加用于改善细胞形变损伤的药物,则可通过观察细胞结构和测试细胞活性来评价药物疗效。
[0030]3、本专利技术通过设置第一显示器、第二显示器来实现磁力变化的可视性。
[0031]4、本专利技术的细胞培养槽包括浅槽体、框架、多个挡板,多个挡板将细胞培养槽分割成多个培养区;挡板的目的是阻挡磁感线穿过,屏蔽大部分磁场;每个区域细胞的形变作用单独研究,一个培养区的实验完毕后,将第一螺线管和第二螺线管转移至下一培养区,则通过一个细胞培养槽可不同磁力强度变化的细胞形变情况,便捷,快速。
附图说明
[0032]图1为本专利技术实施例1用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置的结构示意图;
[0033]图2为本专利技术实施例1的用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置的工作原理图一;
[0034]图3为本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,其特征在于,包括,细胞培养槽(2),用于盛放培养基和细胞;第一电磁装置,其设置于所述细胞培养槽(2)一侧,所述第一电磁装置包括串联的第一电源(3)、第一螺线管(31)和第一开关(32),所述第一螺线管(31)靠近所述细胞培养槽(2)设置;第二电磁装置,与所述第一电磁装置的结构相同,包括第二电源、第二螺线管和第二开关,所述第二电磁装置设置在所述细胞培养槽(2)的另一侧;所述第二电磁装置与所述第一电磁装置中电流方向相同或相反。2.根据权利要求1所述的用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,其特征在于,还包括空腔的底座(1),所述细胞培养槽(2)、第一电磁装置、第二电磁装置均设于所述底座(1)上,所述第一电源(3)和所述第二电源均设置在所述底座(1)的空腔内,所述第一开关(32)和所述第二开关均设置在所述底座(1)侧壁,所述第一螺线管(31)和所述第二螺线管均安装在所述底座(1)上方。3.根据权利要求2所述的用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,其特征在于,所述第一螺线管(31)内部是空心,或者设置有金属芯。4.根据权利要求2所述的用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,其特征在于,所述第一螺线管(31)与所述细胞培养槽(2)之间的距离为0.1

3cm。5.根据权利要求2所述的用于模拟细胞形变损伤的细胞培养装置,其特征在于,所述第一电磁装置和所述第二电磁装置的串联电路上均安装有可变电阻,所述可变电阻的开关均安装在所述底座(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:武明媚邝芳游思维
申请(专利权)人:中国人民解放军空军军医大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1