阵列基板及制作方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板包括：基底；设于基底上的第一金属层，第一金属层包括扫描线和栅极；覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；设于第一绝缘层上侧的第二金属层，第二金属层包括数据线；设于第一绝缘层上侧的半导体层，半导体层包括连接源极和漏极的有源层；设于第一绝缘层上侧的像素电极，像素电极与漏极导电连接。通过将源极和漏极采用透明金属氧化物层制成，透明金属氧化物的性能比较稳定，从而使得源极和漏极不会向TFT沟道扩散离子，提高了TFT的稳定性，避免了TFT阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及制作方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱，尤其是轻薄化的显示面板(liquid crystal display，LCD)。
[0003]现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate，TFT Array Substrate)、彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate) 以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板基板之间的液晶分子，上述显示装置工作时，在薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板上分别施加驱动电压，控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向，以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来，从而显示画面。
[0004]现有TFT中的源极和漏极通常是与数据线采用同一层金属膜经过图案化处理制成的，数据线、源极和漏极通常采用金属铜制成，而采用金属制成的源极和漏极容易使金属中离子扩散到TFT沟道中，使得有源层的导电性能增加，导致阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大等异常，引起TFT特性变差。现有TFT中有源层通常是设于源极和漏极的下方，在蚀刻TFT沟道时通常也会蚀刻到有源层，导致有源层的性能变差，也会引起TFT特性变差。
[0005]为了解决这个问题，有的TFT中将有源层设置与源极和漏极的上方，从而避免了在蚀刻TFT沟道时对有源层的影响，但是这会导致新的问题出现，即在蚀刻有源层时，又会蚀刻到数据线，导致数据线的性能变差，目前还没有能兼顾两个问题的解决方案。

技术实现思路

[0006]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示面板，以解决现有技术中金属制成的源极和漏极容易使金属中离子扩散到TFT沟道中，引起TFT特性变差的问题。
[0007]本专利技术的目的通过下述技术方案实现：
[0008]本专利技术提供一种阵列基板，包括：
[0009]基底；
[0010]设于所述基底上的第一金属层，所述第一金属层包括扫描线和栅极；
[0011]覆盖所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；
[0012]设于所述第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，所述第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；
[0013]设于所述第一绝缘层上侧的第二金属层，所述第二金属层包括数据线，所述数据线与所述源极导电连接；
[0014]设于所述第一绝缘层上侧的半导体层，所述半导体层包括连接所述源极和所述漏极的有源层；
[0015]设于所述第一绝缘层上侧的像素电极，所述像素电极与所述漏极导电连接。
[0016]进一步地，所述半导体层设于所述第一透明金属氧化物层的上侧并与所述第一透明金属氧化物层的上表面相接触，所述有源层覆盖住所述源极和所述漏极；所述半导体层还包括覆盖所述第二金属层上表面的保护部。
[0017]进一步地，所述第一透明金属氧化物层还包括所述像素电极；所述阵列基板还包括覆盖所述半导体层的第二绝缘层以及设于所述第二绝缘层上的第二透明金属氧化物层，所述第二透明金属氧化物层包括公共电极。
[0018]进一步地，所述阵列基板还包括依次设置的平坦层、第二透明金属氧化物层、绝缘间隔层以及第三透明金属氧化物层，所述平坦层覆盖于所述半导体层远离所述基底的一侧，所述第二透明金属氧化物层包括公共电极，所述第三透明金属氧化物层包括所述像素电极。
[0019]进一步地，所述第二金属层还包括位于非显示区的外围走线，所述第二透明金属氧化物层还包括连接所述外围走线的桥接电极。
[0020]本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法用于制作如上所述的阵列基板，所述制作方法包括：
[0021]提供基底；
[0022]在所述基底上形成第一金属层，对所述第一金属层进行蚀刻并形成图案化的扫描线和栅极；
[0023]在所述基底上形成覆盖所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；
[0024]在所述第一绝缘层的上侧形成第一透明金属氧化物层，对所述第一透明金属氧化物层进行蚀刻并形成图案化的源极和漏极；
[0025]在所述第一绝缘层的上侧形成第二金属层，对所述第二金属层进行蚀刻并形成图案化的数据线，所述数据线与所述源极导电连接；
[0026]在所述第一绝缘层的上侧形成半导体层，对所述半导体层进行蚀刻并形成图案化的有源层，所述有源层与所述源极和所述漏极电性连接；
[0027]在所述第一绝缘层的上侧形成像素电极，所述像素电极与所述漏极导电连接。
[0028]进一步地，所述第一透明金属氧化物层设于所述第一绝缘层的上表面并与所述第一绝缘层的上表面相接触，所述半导体层设于所述第一透明金属氧化物层的上表面并与所述第一透明金属氧化物层的上表面相接触；所述半导体层还设于所述第二金属层的上表面并与所述第二金属层的上表面相接触，对所述半导体层进行蚀刻时还形成覆盖所述第二金属层的保护部。
[0029]进一步地，对所述第一透明金属氧化物层进行蚀刻时还形成所述像素电极；所述制作方法还包括：
[0030]在所述基底上形成覆盖所述半导体层的第二绝缘层以及在所述第二绝缘层上形成第二透明金属氧化物层，对所述第二透明金属氧化物层进行蚀刻并形成图案化的公共电极。
[0031]进一步地，所述制作方法还包括：
[0032]在所述基底上形成覆盖所述半导体层的平坦层以及在所述平坦层上形成第二透明金属氧化物层，对所述第二透明金属氧化物层进行蚀刻并形成图案化的公共电极；
[0033]在所述基底上形成覆盖所述第二透明金属氧化物层的绝缘间隔层，对所述平坦层
和所述绝缘间隔层进行蚀刻并形成与所述漏极对应的接触孔；
[0034]在所述绝缘间隔层形成第三透明金属氧化物层，对所述第三透明金属氧化物层进行蚀刻并形成图案化的所述像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极连接。
[0035]进一步地，所述制作方法还包括：
[0036]在对所述第二金属层进行蚀刻时还在非显示区形成外围走线；
[0037]在对所述第二透明金属氧化物层进行蚀刻时还形成连接所述外围走线的桥接电极。
[0038]本专利技术还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的对置基板以及设于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层，所述对置基板上设有上偏光片，所述阵列基板上设有下偏光片，所述上偏光片的透光轴与所述下偏光片的透光轴相互垂直。
[0039]本专利技术有益效果在于：通过将源极和漏极采用透明金属氧化物层制成，透明金属氧化物的性能比较稳定，从而使得源极和漏极不会向TFT沟道扩散离子，提高了TFT的稳定性，避免了TFT阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大的问题。
附图说明
[0040]图1是本专利技术实施例一中阵列基板的截面示意图；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底(10)；设于所述基底(10)上的第一金属层(11)，所述第一金属层(11)包括扫描线(111)和栅极(112)；覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的第一透明金属氧化物层(12)，所述第一透明金属氧化物层(12)包括源极(121)和漏极(122)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的第二金属层(13)，所述第二金属层(13)包括数据线(131)，所述数据线(131)与所述源极(121)导电连接；设于所述第一绝缘层(101)上侧的半导体层(14)，所述半导体层(14)包括连接所述源极(121)和所述漏极(122)的有源层(141)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的像素电极(123)，所述像素电极(123)与所述漏极(122)导电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层(14)设于所述第一透明金属氧化物层(12)的上侧并与所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面相接触，所述有源层(141)覆盖住所述源极(121)和所述漏极(122)；所述半导体层(14)还包括覆盖所述第二金属层(13)上表面的保护部(142)。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层(12)还包括所述像素电极(123)；所述阵列基板还包括覆盖所述半导体层(14)的第二绝缘层(102)以及设于所述第二绝缘层(102)上的第二透明金属氧化物层(15)，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置的平坦层(103)、第二透明金属氧化物层(15)、绝缘间隔层(104)以及第三透明金属氧化物层(16)，所述平坦层(103)覆盖于所述半导体层(14)远离所述基底(10)的一侧，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)，所述第三透明金属氧化物层(16)包括所述像素电极(123)。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层(13)还包括位于非显示区的外围走线(132)，所述第二透明金属氧化物层(15)还包括连接所述外围走线(132)的桥接电极(152)。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1
‑
5任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：提供基底(10)；在所述基底(10)上形成第一金属层(11)，对所述第一金属层(11)进行蚀刻并形成图案化的扫描线(111)和栅极(112)；在所述基底(10)上形成覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第一透明金属氧化物层(12)，对所述第一透明金属氧化物层(12)进行蚀刻并形成图案化的源极(121)和漏极(122)；在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第二金属层(13)，对所述第二金属层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟德镇，邹忠飞，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：