用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂和电解液制造技术

本发明专利技术特别涉及一种用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，属于MEMS晶圆TSV微孔电沉积铜填充领域，包括抑制剂和空洞防止剂，所述空洞防止剂包括活性成分A，所述活性成分A的化学结构式为：其中官能团X为氮杂环或其衍生物。所述空洞防止剂能够让微孔底部的沉积速度显著大于侧壁的沉积速度，实现理想的超级底部生长填充模式，避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至于提前封孔的异常发生，明显降低电沉积铜填充过程和退火处理过程中的微裂缝和微空洞出现的可能性，保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。

【技术实现步骤摘要】
用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂和电解液


[0001]本申请涉及芯片封装领域，尤其涉及一种用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂和电解液。

技术介绍

[0002]TSV(Through
‑
Silicon
‑
Via硅穿孔)是通过蚀刻一个纵向通孔或通槽与通孔穿透衬底并且在该通孔中填充导电材料如铜形成的，或在通槽侧壁形成导电电路。该TSV可用于提供半导体衬底背面到该衬底的相对面的半导体电路的电连接，或者提供到堆叠的管芯的半导体电路的电连接。
[0003]在现有技术中，受限于TSV技术的发展，在高深宽比TSV微孔电沉积铜填充过程中，在TSV孔中心位置或Cu晶粒间易产生微裂缝(micro
‑
seam)和微空洞(micro
‑
void)，进而影响产品质量。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，以解决高深宽比的TSV微孔电沉积铜填充后，铜柱出现微裂缝和/或微孔洞的技术问题。
[0005]第一方面，本申请提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述添加剂包括抑制剂和空洞防止剂，所述空洞防止剂包括活性成分A，所述活性成分A的化学结构式如下：其中官能团X为氮杂环或其衍生物。2.根据权利要求1所述的用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述官能团X为四氮唑或其衍生物。3.根据权利要求2所述的用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述官能团X的化学结构式如下：4.根据权利要求1所述的用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述官能团Y为烷氧基、烷基或官能团Y1，所述官能团Y1的结构式如下：5.根据权利要求4所述的用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述官能团Y的化学结构式如下：
‑
CnHm，其中n为1至3之间的一个整数，该m为2至7之间的一个整数。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，其特征在于，所述空洞防止剂还包括：非离子表面活性剂，其中，所述活性成分A的质量为所述空洞防止剂总质量的0.05
‑
1％，所述非离子表面活性剂的质量为所述空洞防止剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅永锋，杨云春，陆原，马琳，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：