一种热封型中脱盖带及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种热封型中脱盖带的制备方法，所述的中脱盖带包括基材薄膜层（2），在基材薄膜层（2）上方设置有第一防静电层（1），在基材薄膜层（2）下方设置有缓冲层（3），在缓冲层（3）下方设置有热封层（4），在热封层（4）下方设置有第二防静电层（5），在中脱盖带边缘设置有微型切口（6）。本发明专利技术的中脱盖带通过设置热封层使中脱盖带在粘性差的载带上同样具有高剥离强度，解决了压敏型中脱盖带的压敏胶在粘性差的载带上封合强度不够，造成爆带不良的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种热封型中脱盖带及制备方法


[0001]本专利技术涉及到电子元器件包装领域，特别是涉及到一种热封型中脱盖带及制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着封装
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电子元器件工序的自动化和高速化，盖带的用量越来越大。
[0003]传统的盖带主要有热封盖带和自粘盖带两种。热封盖带在加热的情况下依靠热活化粘结剂将盖带粘在载带上；自粘盖带依靠压敏粘结剂将盖带粘在载带上。热封盖带和自粘盖带普遍存在在不同载带上剥离强度不一致，剥离力不均匀等问题。
[0004]中脱盖带使用时，将中脱盖带封合在载带上。剥离时，由于存在微型切口，中脱盖带两边胶条仍然粘在载带上，中脱盖带中间的胶条沿着两边撕裂剥离，剥离力大小取决于中脱盖带的撕裂强度，与胶粘剂层在载带上面的粘合力无关。因此，中脱盖带可以做到在不同载带上剥离强度一致，剥离力均匀。
[0005]传统的中脱盖带采用在自粘盖带上设置微型切口，这种盖带使用时比较方便，但是由于今年来，载带市场使用的材质多元化，尤其是回收塑料的广泛使用，使得载带的易粘性越来越差，压敏粘结剂很难提供足够的剥离力和高温持粘力，造成封合好的包装体频繁出现开裂、爆带的不良。
[0006]中国专利申请201310285158.3公开了中脱盖带，所述的中脱盖带由上至下依次包括基材薄膜层、压敏胶粘剂层和覆膜层，压敏胶粘剂层底部的两侧裸露，在基材薄膜层两侧的边缘分别设有两排微型切口组。此专利技术的技术方案存在如下技术问题：中脱盖带和载带的粘接是通过压敏胶来实现的，压敏胶在不同载带上的剥离力有大有小，在一些粘性差的载带上，压敏胶的剥离力偏小，会导致盖带封合上后，在放置运输的过程中出现爆带不良，导致包装里面的产品散出洒落。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种热封型中脱盖带及制备方法。
[0008]本专利技术的技术方案如下：
[0009]本专利技术的第一个目的是提供一种热封型中脱盖带，所述的中脱盖带包括基材薄膜层(2)，在基材薄膜层(2)上方设置有第一防静电层(1)，在基材薄膜层(2)下方设置有缓冲层(3)，在缓冲层(3)下方设置有热封层(4)，在热封层(4)下方设置有第二防静电层(5)，在中脱盖带边缘设置有微型切口(6)。
[0010]优选地，
[0011]所述的基材薄膜层(2)是采用双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯BOPET薄膜；BOPET薄膜的厚度控制在10～30μm，优选20～25μm。BOPET薄膜厚度低于10μm，薄膜耐热性不够，在加工过程中容易变形；BOPET薄膜厚度高于30μm，影响中脱盖带的热封性，使热封温度过高，剥离力偏小。
[0012]所述的基材薄膜层(2)上方设置有第一防静电层(1)，第一防静电层采用金属氧化物、导电炭黑、碳纳米管、有机导电剂及离子液体中的一种或几种混合物的溶液涂布获得。第一防静电层的厚度控制在0.01～1μm，优选0.1μm。
[0013]所述的基材薄膜层(2)下方设置有缓冲层(3)。在基材薄膜层(2)和缓冲层(3)中间使用底涂剂来确保层间结合力，采用涂布方式将底涂剂涂布到基材薄膜层上；底涂剂可以选用聚氨酯AC剂，涂布底涂剂的厚度控制在0.001～0.1μm。缓冲层(3)采用覆膜法将双向拉伸聚丙烯BOPP薄膜复合在涂有底涂剂的基材薄膜层上。缓冲层的厚度控制在5～50μm，优选20～25μm。缓冲层厚度低于5μm，很难起到缓冲编带机封刀封合压力的效果；缓冲层厚度高于50μm，影响中脱盖带的热封性，使热封温度过高，剥离力偏小。
[0014]所述的缓冲层(3)下方设置有热封层(4)。热封层(4)采用苯乙烯
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丁二烯
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苯乙烯嵌段共聚物、氢化苯乙烯
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丁二烯
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苯乙烯嵌段共聚物、EVA树脂、增粘树脂、防粘结剂中的一种或几种混合物涂布获得。热封层的厚度控制在5～50μm，优选15～20μm。热封层厚度低于5μm，热封后中脱盖带剥离强度不够；热封层厚度高于50μm，热封层的撕裂强度过大，影响中脱盖带的撕裂稳定性。
[0015]所述的热封层(4)下方设置有第二防静电层(5)。第二防静电层采用金属氧化物、导电炭黑、碳纳米管、有机导电剂及离子液体中的一种或几种混合物的溶液涂布获得。第二防静电层的厚度控制在0.01～1μm，优选0.1μm。
[0016]所述的中脱盖带厚度控制在30～100μm，优选55～65μm。中脱盖带厚度低于30μm，中脱盖带拉伸强度不够，在高速编带时容易造成中脱盖带断带；中脱盖带厚度高于100μm，影响中脱盖带的热封性，使中脱盖带剥离力偏小。
[0017]所述的中脱盖带在基材薄膜层(2)边缘设置有微型切口(6)。微型切口采用专用的分条刀具加工而成。微型切口直径为0.3～1.0mm，间隔为40～100mm。优选微型切口的直径为0.5mm，间隔为50mm。
[0018]所述中脱盖带两边的微型切口的深度为基材薄膜层的厚度。
[0019]所述中脱盖带使用时，通过一定封合温度和封合压力将中脱盖带封合在载带上。剥离时，由于存在微型切口，中脱盖带两边的胶条仍然粘在载带上，中脱盖带中间的胶条沿着两边撕裂剥离，剥离力大小取决于中脱盖带的撕裂强度，与胶粘剂层在载带上面的粘合力无关。因此，中脱盖带可以做到在不同载带上剥离强度一致，剥离力均匀。
[0020]本专利技术的第二个目的是提供上述热封型中脱盖带的制备方法，步骤如下：
[0021]1)通过网纹辊涂布的方式将防静电液均匀地涂布在基材薄膜层(2)，通过涂布机烘箱将防静电液中的溶剂烘干，完成基材薄膜层(2)上方设置第一防静电层(1)的工序；
[0022]2)复合缓冲层时需使用底涂剂来确保层间结合力，通过网纹辊涂布的方式将底涂剂均匀地涂布在基材薄膜层(2)下方；通过烘箱将底涂剂中的溶剂烘干，然后使用覆膜机将双向拉伸聚丙烯BOPP薄膜复合在涂有底涂剂的基材薄膜层上，完成基材薄膜层(2)下方设置缓冲层(3)的工序；
[0023]3)使用涂布机将热封层热熔胶胶液涂布在缓冲层(3)下方，涂布方式选用刮刀式涂布，通过涂布机烘箱将热封层热熔胶胶液中的溶剂烘干，完成缓冲层(3)下方设置热封层(4)的工序；
[0024]4)通过网纹辊涂布的方式将防静电液均匀地涂布在热封层(4)下方，通过涂布机
烘箱将防静电液中的溶剂烘干，完成热封层(4)下方设置第二防静电层(5)的工序。
[0025]5)使用专用的分条刀具将中脱盖带的基材薄膜层(2)边缘切出微型切口(6)。完成在基材薄膜层(2)边缘设置微型切口(6)。
[0026]本专利技术的热封型中脱盖带，使用时，将中脱盖带封合在载带上。可在常用的封合条件进行封合，如封合温度：120℃～180℃；封合压力范围：0.1MPa～0.3MPa；封合时间范围：0.1～1s。本专利技术最佳封合条件是封合温度为150℃，封合压力为0.2MPa，封合时间为0.5s。另外：热熔胶的剥离力也是有最大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热封型中脱盖带，其特征在于，所述的中脱盖带包括基材薄膜层（2），在基材薄膜层（2）上方设置有第一防静电层（1），在基材薄膜层（2）下方设置有缓冲层（3），在缓冲层（3）下方设置有热封层（4），在热封层（4）下方设置有第二防静电层（5），在中脱盖带边缘设置有微型切口（6）。2.根据权利要求1所述的热封型中脱盖带，其特征在于：所述的基材薄膜层（2）采用双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯BOPET薄膜；BOPET薄膜的厚度控制在10~30μm。3.根据权利要求1所述的热封型中脱盖带，其特征在于：所述的第一防静电层（1）采用金属氧化物、导电炭黑、碳纳米管、有机导电剂及离子液体中的一种或几种混合物的溶液涂布获得，第一防静电层的厚度控制在0.01~1μm。4.根据权利要求1所述的热封型中脱盖带，其特征在于：所述的缓冲层（3）采用覆膜法将双向拉伸聚丙烯BOPP薄膜复合在涂有底涂剂的基材薄膜层上而成，缓冲层的厚度控制在5~50μm。5.根据权利要求1所述的热封型中脱盖带，其特征在于：所述的热封层（4）采用苯乙烯
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丁二烯
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苯乙烯嵌段共聚物、氢化苯乙烯
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丁二烯
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐建仁，王寅，唐钰濠，王建涛，唐月江，蒋海云，
申请(专利权)人：靖江瑞泰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：