一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件，其中，金属电极包括依次层叠设于外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本实用新型专利技术通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体涉及一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备工艺中，金属电极是连接内部器件和外部电路的重要组成部分，用于和封装端口进行金属互联形成导电通路。半导体工艺中最常用的金属电极材料是铝，铝作为金属电极材料，能与衬底形成良好的欧姆接触，且制造成本低，可与封装工艺兼容，但是铝不耐腐蚀，这会限制最终制得的半导体器件的应用场景。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提出一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件，旨在解决现有金属电极不耐腐蚀的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提出的一种半导体器件的金属电极，用以设于外延片上，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。
[0005]可选地，所述第一粘结金属层为镍层或钛层。
[0006]可选地，所述第二粘结金属层为镍层或钛层。
[0007]可选地，所述锗金层的厚度为60～80nm。
[0008]可选地，所述第一粘结金属层的厚度为10～20nm。
[0009]可选地，所述金层的厚度为70～90nm。
[0010]可选地，所述第二粘结金属层的厚度为0.005～0.01nm。
[0011]进一步地，本技术还提出一种半导体器件，所述半导体器件包括金属电极，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。
[0012]可选地，所述半导体器件为晶体二极管、双极型晶体管或场效应晶体管。
[0013]本技术的技术方案中，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层，锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本技术通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例
或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0015]图1为本技术提供的半导体器件的金属电极的一实施例的结构示意图。
[0016]附图标号说明：
[0017]标号名称标号名称100金属电极30金层10锗金层40第二粘结金属层20第一粘结金属层
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[0018]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]需要说明，若本技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0021]另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A 和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0022]在半导体器件的制备工艺中，金属电极是连接内部器件和外部电路的重要组成部分，用于和封装端口进行金属互联形成导电通路。半导体工艺中最常用的金属电极材料是铝，铝作为金属电极材料，能与衬底形成良好的欧姆接触，且制造成本低，可与封装工艺兼容，但是铝不耐腐蚀，这会限制其制得的半导体器件的应用场景。
[0023]鉴于此，本技术提出一种半导体器件的金属电极，用以设于外延片上，请参阅图1，所述金属电极100包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层 10、第一粘结金属层20、金层30和第二粘结金属层40。
[0024]可以理解的是，锗金即金锗合金(AuGe)。此外，所述外延片由衬底和设于衬底上的外延层组成，在本实施例中，所述外延片包括但不限于硅片、氮化镓衬底的外延片、碳化硅衬底的外延片。
[0025]本技术的技术方案中，所述金属电极100包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层10、第一粘结金属层20、金层30和第二粘结金属层40，锗金层10的粘附性好，能和外
延片中的衬底形成良好的欧姆接触，不会改变衬底n型和p型的掺杂浓度；第一粘结金属层20作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层40也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本技术通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。
[0026]本技术不限制第一粘结金属层20的具体材质，只要其可以作为粘合剂，粘合锗金和金，且为金属材质即可。可以理解的是，所述第一粘结金属优选为导电性较好，且耐腐蚀的金属。在本实施例中，所述第一粘结金属层 20为镍层或钛层。由于镍和钛中，镍与锗金和金的粘结性更好，进一步地，所述第一粘结金属层20为镍层。
[0027]所述金属电极制备完成后，还需要连接后续的金属，后续的金属作为引线，将金属电极与外部电路连通，因此，第二粘结金属层40用以粘结金和后续的金属。可以理解的是，所述第二粘结金属40优选为导电性较好，且耐腐蚀的金属。在本实施例中，所述第二粘结金属层40为镍层或钛层。所述第二粘结金属层40可作为保护层，保护金属电极的其余金属层不受水汽等的侵入，由于钛的致密性更好，因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的金属电极，用以设于外延片上，其特征在于，包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。2.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第一粘结金属层为镍层或钛层。3.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第二粘结金属层为镍层或钛层。4.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述锗金层的厚度为60～80nm。5.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大野，蔡钦铭，王治中，
申请(专利权)人：广州爱思威科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：