半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置为下述半导体装置具备：具有基板底面和基板上表面且在基板底面具有凹部的半导体基板、设置于凹部之上的半导体元件以及设置于凹部内的第1电极，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。深度的1/2以上。深度的1/2以上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]关联申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2020-45118号(申请日：2020年3月16日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]进行了设计用于面向发电或送电、泵或鼓风机等的旋转机、通信系统或工厂等的电源装置、利用交流马达的铁道、电动汽车、家庭用电化制品等广泛领域的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等的电力控制的功率半导体芯片的开发。
[0005]另外，进行了使用了所述功率半导体芯片的作为功率模块的半导体装置的开发。对于这样的半导体装置，要求高电流密度化、低损耗化、高放热化等技术条件。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施方式提供可靠性高的半导体装置。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具备：半导体基板，所述半导体基板具有基板底面和基板上表面，在所述基板底面具有凹部；半导体元件，所述半导体元件设置于所述凹部之上；以及第1电极，所述第1电极设置于所述凹部内，所述凹部具有凹部侧面和凹部上表面，所述凹部侧面与所述凹部上表面所成的角为90度以上，所述第1电极的膜厚为所述凹部的深度的1/2以上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1电极的膜厚比设置有所述凹部的部分的所述半导体基板的基板厚厚。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，设置有所述凹部的部分的所述半导体基板的基板厚为100μm以下。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，未设置所述凹部的部分的所述基板底面的长度为所述基板上表面的长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村一城，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：