半导体红光激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本实用新型专利技术采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
半导体红光激光器


[0001]本技术属于半导体以及光电
，具体地讲，涉及一种半导体红光激光器。

技术介绍

[0002]半导体红光激光器工作波长范围为620nm至680nm，其在激光显示、激光打标、光泵浦等领域具有广泛的应用。
[0003]典型的半导体红光激光器结构如图1所示，其通常采用n型GaAs衬底，其外延结构包括n型AlInP光限制层、n型AlGaInP波导层、GaInP量子肼有源区、p型AlGaInP波导层、p型AlInP光限制层以及p型GaAs接触层。在该半导体红光激光器结构中，除了较薄的量子肼，其他各层均与GaAs衬底保持晶格匹配，也就是应力为零的状态。
[0004]此外，在上述的半导体红光激光器结构中，注入至有源区的电子被p型 AlGaInP波导层和p型AlInP光限制层的导带差限制，而注入至有源区的空穴被 n型AlGaInP波导层和n型AlInP光限制层的价带差限制。并且，AlInP材料已经提供了在晶格匹配的条件下该材料体系最大的导带差和价带差。
[0005]上述的半导体红光激光器的波长可用GaInP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。2.根据权利要求1所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器还包括衬底、N型光限制层、N型波导层、量子肼、P型波导层、P型光限制层、P型接触层、P型电极以及N型电极；其中，所述N型光限制层、所述N型波导层、所述量子肼、所述P型波导层、所述电子阻挡层、所述P型光限制层、所述P型接触层依序层叠设置在所述衬底的第一表面上，所述P型电极设置在所述P型接触层上，所述N型电极设置在所述衬底的与所述第一表面背对的第二表面上。3.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述衬底为N型GaAs衬底。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立群，黄勇，
申请(专利权)人：苏州晶歌半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：