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本实用新型公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本实用新型采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中G...
该专利属于苏州晶歌半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶歌半导体有限公司授权不得商用。

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