一种晶硅太阳能电池正电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶硅太阳能电池正电极结构，它包括主栅和副栅，所述主栅和副栅相互垂直交接，所述副栅的一部分与电池正表面的介质膜不接触形成非接触区域，而所述副栅的其它部分与电池正表面的介质膜接触形成接触区域。本实用新型专利技术正电极副栅的一部分与电池正表面的介质膜不接触形成非接触区域，非接触区域的副栅浆料不会腐蚀掉介质膜，即非接触区域的副栅未与硅形成接触；而接触区域的副栅浆料与介质膜接触，介质膜正常被破坏，实现正电极和硅的欧姆接触，可以引出载流子。因此，本实用新型专利技术既保证了载流子的导出，又实现了介质膜面积破坏的减少，最终实现了钝化效果的提升，增大了开路电压和短路电流，进而实现了光电转换效率的增益。效率的增益。效率的增益。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池正电极结构


[0001]本技术涉及一种晶硅太阳能电池正电极结构。

技术介绍

[0002]晶硅太阳能电池电极的主要作用是导出PN结分离的载流子，电极一般分为正面和背面电极。其中正面电极需要考虑受光，所以一般采用“H”型网格栅线结构，载流子先流向临近的副栅线上，然后沿副栅线汇集到主栅。如图1所示，正面电极包括5条平行主栅1和若干条平行副栅2，主栅1和副栅2相互垂直交接。
[0003]正面电极对光电转换效率的主要影响有遮光损失、接触复合损失和串联电阻及并联电阻影响。其中，遮光损失和接触复合损失都与栅线的总面积有关；并联电阻与烧结过程中金属离子扩散到PN结的情况有关；串联电阻主要贡献：发射区横向电阻、银与硅的接触电阻和银栅线的线电阻。
[0004]电池的正表面覆盖有一层介质膜，起到钝化效果，可以提升电池的开路电压和短路电流。由于介质膜是绝缘的，因此为了使载流子导出，正电极浆料有腐蚀介质膜的功能，可以直接和硅形成欧姆接触，但是，这会影响钝化效果。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种结构简单、成本低、可以提高钝化效果、实现光电转换效率提升的晶硅太阳能电池正电极结构。
[0006]本技术的目的通过以下的技术措施来实现：一种晶硅太阳能电池正电极结构，它包括主栅和副栅，所述主栅和副栅相互垂直交接，其特征在于，所述副栅的一部分与电池正表面的介质膜不接触形成非接触区域，而所述副栅的其它部分与电池正表面的介质膜接触形成接触区域。
[0007]本技术正电极副栅的一部分与电池正表面的介质膜不接触形成非接触区域，非接触区域的副栅浆料不会腐蚀掉介质膜，即非接触区域的副栅未与硅形成接触；而接触区域的副栅浆料与介质膜接触，介质膜正常被破坏，实现正电极和硅的欧姆接触，可以引出载流子。因此，本技术既保证了载流子的导出，又实现了介质膜面积破坏的减少，最终实现了钝化效果的提升，增大了开路电压和短路电流，进而实现了光电转换效率的增益。
[0008]本技术所述副栅的非接触区域与介质膜之间设有掩膜来实现副栅与介质膜不接触。
[0009]本技术所述掩膜沿每根副栅间隔分布为多段。
[0010]本技术所述非接触区域分为多段，数量为1～2000。
[0011]本技术所述接触区域分为多段，数量为2～2000。
[0012]与现有技术相比，本技术具有以下显著的优点：
[0013]⑴
本技术既保证了载流子的导出，又实现了介质膜面积破坏的减少，最终实现了钝化效果的提升，增大了开路电压和短路电流，进而实现了光电转换效率的增益。
[0014]⑵
本技术结构简单，成本低，适于广泛推广和使用。
附图说明
[0015]以下结合附图对本技术作进一步的详细说明。
[0016]图1是现有5条主栅晶硅太阳能电池正电极结构示意图；
[0017]图2是本技术在电池上印刷掩膜的结构示意图；
[0018]图3是本技术的结构示意图。
具体实施方式
[0019]如图3所示，是本技术一种晶硅太阳能电池正电极结构，它包括5条主栅1和若干条副栅2，主栅1和副栅2相互垂直交接，副栅2的一部分与电池3正表面的介质膜不接触形成非接触区域，而副栅2的其它部分与电池3正表面的介质膜接触形成接触区域。在本实施例中，副栅2的非接触区域与介质膜之间设有掩膜4来实现副栅2与介质膜不接触。本技术采用两次印刷的方式来实现，当电池完成正面介质膜的沉积后，第一次印刷：在正面介质膜上印刷掩膜4，掩膜4沿每根副栅间隔分布为多段，且各段掩膜4避开主栅1与副栅2交接处进行设置，参见图2；第二次印刷：印刷正电极主栅1和副栅2浆料，正电极副栅2与掩膜4相重合，参见图3。
[0020]每根副栅上的掩膜(非接触区域)的数量可以为1至2000段，在本实施例中，每根副栅2上的掩膜的数量为12段。每根副栅上的接触区域的数量可以为2～2000段，在本实施例中，每根副栅2上的接触区域的数量为16段。
[0021]本技术的实施方式不限于此，根据本技术的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本技术上述基本技术思想前提下，本技术的非接触区域除了采用分段形式，还可以采用其它设置形式；因此，本技术还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更，均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池正电极结构，它包括主栅和副栅，所述主栅和副栅相互垂直交接，其特征在于：所述副栅的一部分与电池正表面的介质膜不接触形成非接触区域，而所述副栅的其它部分与电池正表面的介质膜接触形成接触区域。2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池正电极结构，其特征在于：所述副栅的非接触区域与介质膜之间设有掩膜来实现副栅与介质膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏正，罗加聘，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：