建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质技术

本发明专利技术涉及建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质。提供一种建模设备，所述建模设备使用对放大器建模的放大器模型来进行计算，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的，其中，所述放大器模型包括：多个计算模型，所述多个计算模型对处于不同内部状态的所述放大器进行建模；和组合器，所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合所述多个计算模型。述多个计算模型。述多个计算模型。

【技术实现步骤摘要】
建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质


[0001]本公开涉及一种建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]放大器具有失真特性。失真特性也被称为非线性特性。失真特性由例如AM
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AM特性或AM
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PM特性表示。
[0003]在放大器中，影响失真特性的内部状态可能改变。内部状态是例如Idq漂移的生成的状态，该Idq漂移是流过放大器的空闲电流Idq改变的现象。Idq漂移的生成改变放大器的失真特性。
[0004]Idq漂移是由进入到半导体中的杂质能级中的载流子的捕获而引起的现象，并且是在使用诸如GaN的化合物半导体的器件中引起的，特别是在高电子迁移率晶体管(HEMT)中引起的。Idq漂移的波动改变放大器的失真特性。
[0005]在日本专利申请公开No.2017
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220744和2014
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17670中公开了一种用于补偿由于Idq漂移而导致的失真特性的方法。

技术实现思路

[0006]在各种情形下期望模拟放大器的失真特性。例如，在开发放大器的失真补偿设备时，对放大器的失真特性的模拟使得能够评价失真补偿性能，从而使开发处理更高效。此外，在设计放大器的外围电路时，预先考虑到放大器的失真特性的设计成为可能。
[0007]然而，如上所述，放大器的失真特性可以取决于放大器的内部状态而改变。具有改变的失真特性的放大器很难使用单个放大器模型来建模。为了适当地模拟放大器的失真特性，期望适当地对影响失真特性的内部状态改变的放大器进行建模的放大器模型。
[0008]根据本公开的一个方面的是一种建模设备。本公开的建模设备是使用对放大器建模的放大器模型来进行计算的建模设备，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的，其中，该放大器模型包括：多个计算模型，该多个计算模型对处于不同内部状态的放大器进行建模；和组合器，该组合器以与改变的内部状态相对应的组合比组合多个计算模型。
[0009]根据本公开的另一方面的是一种计算方法。本公开的计算方法是对放大器进行建模的计算方法，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的，该计算方法包括组合器以根据改变的内部状态的组合比组合对处于不同内部状态的放大器进行建模的多个计算模型的步骤。
[0010]根据本公开的另一方面的是一种存储计算机程序的非暂时性计算机可读介质。本公开的计算机程序是对放大器进行建模的用于计算的计算机程序，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的，该计算机程序使计算机执行处理，该处理包括：以与改变的内部状态相对应的组合比组合对处于不同内部状态的放大器进行建模的多个计算模型。
附图说明
[0011]图1是根据第一实施例的建模设备的框图；
[0012]图2是通信设备的配置图；
[0013]图3是建模设备的硬件配置图；
[0014]图4是放大器模型的说明图；
[0015]图5图示输入功率与内部状态参数之间的关系；
[0016]图6图示内部状态参数与计算模型之间的关系；
[0017]图7是用于生成计算模型的说明图；
[0018]图8是生成放大器模型的处理的流程图；
[0019]图9是α[n]生成器的说明图；
[0020]图10是根据第二实施例的建模设备的框图；
[0021]图11是另一放大器模型的说明图；
[0022]图12图示内部状态参数与计算模型之间的关系；
[0023]图13是生成放大器模型的处理的流程图；以及
[0024]图14是α
p
[n]生成器的说明图。
具体实施方式
[0025][本公开的实施例的描述][0026](1)根据实施例的建模设备使用放大器模型来进行计算，该放大器模型对放大器进行建模，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的。失真特性也被称为非线性特性。内部状态是例如生成了Idq漂移的状态。放大器模型包括：多个计算模型，该多个计算模型对处于不同内部状态的放大器进行建模；和组合器，该组合器以与改变的内部状态相对应的组合比组合多个计算模型。能够通过以与改变的内部状态相对应的组合比组合计算模型来获得与改变的内部状态相对应的放大器模型。
[0027](2)建模设备还可以包括生成器，该生成器被配置成生成指示内部状态的参数。在这种情况下，建模设备能够生成指示内部状态的参数。可以将生成器提供给建模设备的外部设备。组合比可以基于参数。
[0028](3)优选地基于指示内部状态的参数来确定组合比。优选地基于要由放大器放大的信号的电平来计算出参数。在这种情况下，参数能够指示取决于要放大的信号的电平而改变的内部状态。由于基于指示内部状态的参数来确定组合比，所以获得了与要放大的信号的电平相对应的组合比。
[0029](4)参数优选地基于参数的过去值。参数的过去值指示过去的内部状态。因此，参数能够反映过去的内部状态。结果，放大器的记忆效应被反映到参数。
[0030](5)多个计算模型中的每一个均优选地表达在放大器中具有第一响应时间的第一记忆效应。用于计算出参数的参数计算模型优选地表达在放大器中具有比第一响应时间长的第二响应时间的第二记忆效应。在这种情况下，参数成为考虑到第二记忆效应的参数。
[0031](6)优选地基于要由放大器放大的信号的电平来计算出组合比。在这种情况下，获得了与要放大的信号的电平相对应的组合比。
[0032](7)优选地使用取决于温度状况而改变的温度相关参数来计算出组合比。在这种
情况下，支持由于温度而导致的放大器的特性的改变。
[0033](8)多个计算模型可以是两个计算模型。在这种情况下，放大器模型变得简单。
[0034](9)建模设备还可以包括选择器。多个计算模型可以包括三个或更多个计算模型。三个或更多个计算模型的存在使得有可能更适当地表达放大器的特性。选择器被优选地配置成从三个或更多个计算模型当中选择要由组合器组合的两个或更多个计算模型。在这种情况下，能够选择更适当地表达放大器的特性的计算模型。
[0035](10)选择器被优选地配置成基于指示内部状态的参数来选择两个或更多个计算模型。在这种情况下，选择适于内部状态的计算模型。
[0036](11)多个计算模型可以包括：第一计算模型，该第一计算模型对处于第一内部状态的放大器进行建模；和第二计算模型，该第二计算模型对处于与第一内部状态不同的第二内部状态的放大器进行建模。组合比优选地具有与第一内部状态与第二内部状态之间的过渡内部状态相对应的值。在这种情况下，放大器模型能够表达放大器在过渡内部状态下的失真特性。
[0037](12)多个计算模型可以包括：第一计算模型，该第一计算模型对处于第一内部状态的放大器进行建模；第二计算模型，该第二计算模型对处于与第一内部状态不同的第二内部状态的放大器进行建模；和第三计算模型，该第三计算模型对处于与第一内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种建模设备，所述建模设备使用对放大器建模的放大器模型来进行计算，所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的，其中，所述放大器模型包括：多个计算模型，所述多个计算模型对处于不同内部状态的所述放大器进行建模，以及组合器，所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比，来组合所述多个计算模型。2.根据权利要求1所述的建模设备，还包括生成器，所述生成器被配置成生成指示所述内部状态的参数，其中，所述组合比基于所述参数。3.根据权利要求1或2所述的建模设备，其中：基于指示所述内部状态的参数来确定所述组合比，并且基于要由所述放大器放大的信号的电平来计算所述参数。4.根据权利要求3所述的建模设备，其中，除了要由所述放大器放大的所述信号的所述电平之外，还基于所述参数的过去值来计算所述参数。5.根据权利要求2至4中的任一项所述的建模设备，其中：所述多个计算模型中的每一个表达在所述放大器中具有第一响应时间的第一记忆效应，并且用于计算所述参数的参数计算模型表达在所述放大器中具有第二响应时间的第二记忆效应，所述第二响应时间比所述第一响应时间长。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的建模设备，其中，基于要由所述放大器放大的信号的电平来计算所述组合比。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的建模设备，其中，使用取决于温度状况而改变的温度相关参数来计算所述组合比。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的建模设备，其中，所述多个计算模型是两个计算模型。9.根据权利要求1至7中的任一项所述的建模设备，还包括选择器，其中：所述多个计算模型包括三个或更多个计算模型，并且所述选择器被配置成从所述三个或更多个计算模型当中选择要由所述组合器组合的两个或更多个计算模型。10.根据权利要求9所述的建模设备，其中，所述选择器被配置成基于指示所述内部状态的参数来选择所述两个或更多个计算模型。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的建模设备，其中：所述多个计算模型包括：第一计算模型，所述第一计算模型对处于第一内部状态的所述放大器进行建模，以及第二计算模型，所述第二计算模型对处于与所述第一内部状态不同的第二内部状态的所述放大器进行建模，并且所述组合比具有与所述第一内部状态和所述第二内部状态之间的过渡内部状态相对应的值。12.根据权利要求1至11中的任一项所述的建模设备，其中：
所述多个计算模型包括：第一计算模型，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西政彦，持田英史，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：