一种物理气相沉积中的锁紧圈制造技术

本实用新型专利技术涉及一种物理气相沉积中的锁紧圈，所述物理气相沉积中的锁紧圈包括空心底座和设置于所述空心底座上的圆环；所述圆环包括依次设置的第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环；所述第四圆环设置于所述空心底座的空心处；所述第四圆环的内侧壁上设置有凸起；所述第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环的中心线和所述空心底座的中心线相重合。通过对锁紧圈结构的改进由之前的平面改为在局部增加凸起，使得锁紧圈在机台上的使用周期延长，增加锁紧圈的使用寿命，避免了溅射粒子的堆积降低晶圆的使用性能。堆积降低晶圆的使用性能。堆积降低晶圆的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积中的锁紧圈


[0001]本技术涉及物理气相沉积领域，具体涉及一种物理气相沉积中的锁紧圈。

技术介绍

[0002]目前，在半导体物理气相沉积镀膜生产过程中，靶材溅射原子掉落在机台的平台上，为了保护平台不被损坏，通常会在晶圆上安装锁紧圈，同时也可以将晶圆的上表面压紧。
[0003]如CN105331933A公开了一种物理气相沉积方法，用于在物理气相沉积设备内实现对晶片完成沉积工艺，该设备内设置有用于承载晶片的卡盘和压环，该方法包括：步骤S1，使压环叠置在晶片上表面的边缘区域，以使晶片被固定在卡盘和所述压环之间，对晶片沉积第一厚度的薄膜；步骤S2，使压环未叠置在基片上表面的边缘区域，继续对晶片沉积第二厚度的薄膜，以实现在晶片的边缘区域镀膜。该方法不仅可以提高晶片的覆盖率；而且还可以尽可能地提高晶片背压和对晶片的冷却效果，因而可以提高直流电源的输出功率，从而可以降低工艺时间和提高工艺效率。
[0004]CN105887026A公开了一种物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法，物理气相沉积系统包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑晶圆。准直器安装在盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板，侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有入口及与入口相对的出口。入口面对盖板，且出口面对台座。一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。因准直器的至少一侧壁在入口的厚度比此侧壁板在出口的厚度薄，或至少一通道的剖面面积大于此通道在出口的剖面面积，原子不会很快阻塞通道，以使得准直器的使用寿命可延长，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
[0005]CN109868456A公开了一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
[0006]然而在溅射过程中，会有一些钽原子掉落在锁紧圈与晶圆链接部位。随着使用时间的增长，连接部位堆积的原子越来越多，安装晶圆的空间就逐渐减少，导致晶圆与锁紧圈粘在一起，无法取下。进一步地，当连接部位的原子堆积到一定程度后，晶圆的安装位置也有受到干涉，最终将影响制备得到晶圆性能。

技术实现思路

[0007]鉴于现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种物理气相沉积中的锁紧圈，使得锁紧圈在机台上的使用周期延长，增加锁紧圈的使用寿命，避免了溅射粒子的堆积降低晶圆的使用性能。
[0008]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0009]本技术提供了一种物理气相沉积中的锁紧圈，所述物理气相沉积中的锁紧圈包括空心底座和设置于所述空心底座上的圆环；
[0010]所述圆环包括依次设置的第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环；
[0011]所述第四圆环设置于所述空心底座的空心处；
[0012]所述第四圆环的内侧壁上设置有凸起；
[0013]所述第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环的中心线和所述空心底座的中心线相重合。
[0014]通过对锁紧圈结构的改进由之前的平面改为在局部增加凸起，使得锁紧圈在机台上的使用周期延长，增加锁紧圈的使用寿命，避免了溅射粒子的堆积降低晶圆的使用性能。
[0015]作为本技术优选的技术方案，所述凸起至少设置5个，例如可以是5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个或13个等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]作为本技术优选的技术方案，所述凸起围绕所述第四圆环的中心线均匀分布。
[0017]作为本技术优选的技术方案，所述凸起的厚度为0.25
‑
0.3mm，例如可以是0.25mm、0.252mm、0.254mm、0.256mm、0.258mm、0.26mm、0.262mm、0.264mm、0.266mm、0.268mm、0.27mm、0.272mm、0.274mm、0.276mm、0.278mm、0.28mm、0.282mm、0.284mm、0.286mm、0.288mm、0.29mm、0.292mm、0.294mm、0.296mm、0.298mm或0.23mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0018]作为本技术优选的技术方案，所述凸起的宽度以弧长计为6.2
‑
6.5mm，例如可以是6.2mm、6.21mm、6.22mm、6.23mm、6.24mm、6.25mm、6.26mm、6.27mm、6.28mm、6.29mm、6.3mm、6.31mm、6.32mm、6.33mm、6.34mm、6.35mm、6.36mm、6.37mm、6.38mm、6.39mm、6.4mm、6.41mm、6.42mm、6.43mm、6.44mm、6.45mm、6.46mm、6.47mm、6.48mm、6.49mm或6.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]作为本技术优选的技术方案，所述第二圆环上设置有至少2个螺纹孔，例如可以是2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]作为本技术优选的技术方案，所述螺纹孔围绕所述第二圆环的中心线均匀分布。
[0021]作为本技术优选的技术方案，所述第一圆环的外侧壁与所述空心底座的外圆相重合。
[0022]本技术提供的锁紧圈旨在解决沉积过程中晶圆和锁紧圈的粘结，锁紧圈的结构在现有技术中已经存在，即本技术中对锁紧圈中各个圆环的高度及圆环间的间距不做具体限定，可根据具体配套的装置进行选择。
[0023]本技术中，凸起的设置可通过在凸起周围设置凹陷或者直接设置凸台实现。
[0024]与现有技术方案相比，本技术至少具有以下有益效果：
[0025]通过对锁紧圈结构的改进由之前的平面改为在局部增加凸起，使得锁紧圈在机台上的使用周期延长，增加锁紧圈的使用寿命，避免了溅射粒子的堆积降低晶圆的使用性能。
附图说明
[0026]图1是本技术实施例1提供的锁紧圈的示意图。
[0027]图中：1
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第一圆环，2
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第二圆环，3
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第三圆环，4
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第四圆环，4.1
‑
凸起。
[0028]下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积中的锁紧圈，其特征在于，所述物理气相沉积中的锁紧圈包括空心底座和设置于所述空心底座上的圆环；所述圆环包括依次设置的第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环；所述第四圆环设置于所述空心底座的空心处；所述第四圆环的内侧壁上设置有凸起；所述第一圆环、第二圆环、第三圆环和第四圆环的中心线和所述空心底座的中心线相重合。2.如权利要求1所述的物理气相沉积中的锁紧圈，其特征在于，所述凸起至少设置5个。3.如权利要求2所述的物理气相沉积中的锁紧圈，其特征在于，所述凸起围绕所述第四圆环的中心线均匀分布。4.如权利要求1所述的物理气相...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，杨其垚，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：