半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备半导体芯片(10、10a～10c)、设在半导体芯片的背面侧的第1导电性部件(30)和设在半导体芯片的表面侧的第2导电性部件(20、40)。半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在有源区域间及有源区域的外周的不形成元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为设在非有源区域的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与表层电极对置的位置。置在与表层电极对置的位置。置在与表层电极对置的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2019年2月13日提出的日本专利申请第2019－23694号，这里引用其记载内容。


[0003]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]以往，如在专利文献1中公开的那样，有具备形成有多个有源区域和非有源区域的半导体基板的半导体装置。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2016－167527号公报

技术实现思路

[0008]专利文献1的半导体装置在非有源区域上形成栅极布线，在非有源区域的两旁的有源区域上连接表层电极。该情况下，半导体装置有可能表层电极滑动而与栅极布线短路。并且，半导体装置在表层电极和栅极布线短路的情况下电特性下降。
[0009]本专利技术的目的在于，提供能够提高电性能的半导体装置。
[0010]根据本专利技术的一技术方案，半导体装置具备：半导体芯片；第1导电性部件，设在半导体芯片的背面侧；以及第2导电性部件，设在半导体芯片的背面的相反面即表面侧。半导体芯片具备：半导体基板，具有形成有元件的多个有源区域和配置在有源区域间及有源区域的外周的没有形成元件的非有源区域；表层电极，在多个有源区域上及多个有源区域间的非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线和第2栅极布线，作为设在非有源区域的表面侧的栅极布线，上述第1栅极布线配置在表层电极的周边，上述第2栅极布线配置在与表层电极对置的位置。
[0011]根据上述结构，由于表层电极跨第2栅极布线而设置，所以与表层电极在栅极布线上被分割的情况相比，能够抑制表层电极在第2栅极布线上滑动。由此，本专利技术能够抑制表层电极与第2栅极布线短路。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的半导体装置的概略结构的剖视图。
[0013]图2是表示实施方式的半导体芯片的概略结构的平面图。
[0014]图3是沿着图2的III－III线的剖视图。
[0015]图4是图3的IV部分的放大剖视图。
[0016]图5是表示变形例1的半导体芯片的概略结构的平面图。
[0017]图6是表示变形例2的半导体芯片的概略结构的平面图。
[0018]图7是表示变形例3的半导体芯片的概略结构的平面图。
具体实施方式
[0019]以下，参照附图说明用来实施本专利技术的多个形态。在各形态中，有时对于与在先前形态中说明过的事项对应的部分赋予相同的标号而省略重复的说明。在各形态中，在仅说明结构的一部分的情况下，关于结构的其他部分，能够参照并应用先前说明过的其他形态。另外，以下将相互正交的3个方向表示为X方向、Y方向、Z方向。
[0020]如图1所示，半导体装置100具备半导体芯片10、接线柱(terminal)20、散热件31、41、主端子32、42、信号端子50、线材60、封固树脂部70。这样的半导体装置100作为形成构成三相逆变器的6个臂中的1个的所谓1in1封装而被周知，例如被植入到车辆的逆变器电路中。
[0021]第1散热件31是第1端子部件30的一部分。第1端子部件30的第1散热件31和第1主端子32被构成为一体物。详细地讲，第1端子部件30可以说具备第1主端子32和Z方向的厚度比第1主端子32厚的第1散热件31。第1端子部件30设在半导体芯片10的背面侧。第1端子部件30相当于第1导电性部件。
[0022]第1端子部件30以导热性及导电性优良的金属(例如铝或铜等)为主成分而构成。即，第1端子部件30被用作散热部件及导电路径，所以为了确保导热性及导电性，可以说以金属为主成分而构成。此外，第1端子部件30也可以是含有导热性及导电性优良的金属的合金。
[0023]第1散热件31是用来将从半导体芯片10产生的热散热的部位。详细地讲，第1散热件31为了将形成于半导体基板11的功率晶体管的热散热而设置。第1散热件31相当于第1散热部。如图1、图3所示，第1散热件31经由第1连接部81而与半导体芯片10的背面侧的电极(例如漏极电极)连接。由此，第1散热件31与半导体芯片10电连接及机械连接。第1连接部81能够采用焊料等导电性的连接部件。另外，在图2、图3中，为了使附图容易观察，省略了第2端子部件40、封固树脂部70的图示。
[0024]此外，如图1所示，第1散热件31的与半导体芯片10对置的面的相反面从封固树脂部70的背面侧露出而成为散热面。在本实施方式中，封固树脂部70的背面和第1散热件31的散热面大致共面。
[0025]由此，半导体装置100中，从半导体芯片10产生的热被传递到第1散热件31，并从第1散热件31的散热面散热。这样，半导体装置100即使半导体芯片10发热也能够抑制因热而在半导体芯片10中发生不良状况。
[0026]另外，第1散热件31的与半导体芯片10对置的对置面以及将该对置面与散热面相连的侧面被封固树脂部70覆盖。即，第1散热件31以与半导体芯片10对置的对置面及侧面接触到封固树脂部70的状态而被封固树脂部70覆盖。另外，第1散热件31的与半导体芯片10对置的对置面中，设有第1连接部81的区域的周边被封固树脂部70覆盖。
[0027]如图1所示，第1散热件31与第1主端子32相连。第1主端子32是从第1散热件31突出的部位。第1主端子32经由第1散热件31而与半导体芯片10的漏极电极电连接。由此，可以说第1散热件31除了作为散热部件的功能以外还具有作为导电路径的功能。换言之，第1散热
件31起到将漏极电极和第1主端子32电连接的功能。
[0028]第1主端子32从第1散热件31向Y方向延伸设置，并且向与之后说明的第2主端子42相同的一侧延伸设置。并且，第1主端子32从封固树脂部70的侧面中的与第2主端子42相同的面向外部突出。即，第1主端子32的一部分被封固树脂部70覆盖，其他部位从封固树脂70突出。
[0029]另外，本专利技术的第1端子部件30不限于上述结构，也可以分体地构成第1散热件31和第1主端子32，并将第1散热件31和第1主端子32用导电性的连接部件连接。该情况下，也能够将第1散热件31看作第1导电性部件。
[0030]接线柱20和第2端子部件40设在半导体芯片10的表面侧。接线柱20和第2端子部件40相当于第2导电性部件。接线柱20和第2端子部件40以导热性及导电性优良的金属(例如铝或铜等)为主成分而构成。即，接线柱20和第2端子部件40由于被用作散热部件及导电路径，所以为了确保导热性及导电性，可以说以金属为主成分而构成。此外，接线柱20和第2端子部件40也可以是含有导热性及导电性优良的金属的合金。
[0031]如图1所示，接线柱20介于半导体芯片10与第2散热件41之间。接线柱20为了抑制之后说明的线材60与第2散热件41接触而设置。接线柱20位于半导体芯片10和第2散热件41的导热路径及导电路径的中途。接线柱20呈大致方柱状，更详细地讲，呈大致四方柱状(换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片(10、10a～10c)；第1导电性部件(30)，设在上述半导体芯片的背面侧；以及第2导电性部件(20、40)，设在上述半导体芯片的背面的相反面即表面侧；上述半导体芯片具备：半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在上述有源区域间及上述有源区域的外周的没有形成上述元件的非有源区域(na1～na5)；表层电极(14)，在多个上述有源区域上及多个上述有源区域间的上述非有源区域上连续地配置；以及第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为在上述非有源区域的上述表面侧设置的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在上述表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与上述表层电极对置的位置。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1栅极布线具有多晶硅布线和金属布线，上述第2栅极布线不具有金属布线而具有多晶硅布线。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第1导电性部件包括将从上述半导体芯片产生的热散热的第1散热部(31)；上述第2导电性部件包括将从上述半导体芯片产生的热散热的第2散热部(41)。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述第2导电性部件在上述第2散热部与上述半导体芯片之间具有将上...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田晋，杉田悟，小宫健治，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：