用于形成具有有机硅元件的熔断器的方法技术

提供了一种形成具有有机硅元件的熔断器的方法，该方法包括：提供可熔元件；以及在可熔元件上沉积有机硅材料，其中有机硅材料被以多个角度递送到可熔元件。个角度递送到可熔元件。个角度递送到可熔元件。

【技术实现步骤摘要】
用于形成具有有机硅元件的熔断器的方法


[0001]本公开一般地涉及电路保护装置，更特别地，涉及用于形成具有有机硅元件的熔断器装置的方法。

技术介绍

[0002]熔断器被广泛用于过流保护装置以防止昂贵的电路损坏。熔断器端子通常在电源或电源供应器与电气部件或布置在电路中的部件的组合之间形成电气连接。在熔断器端子之间连接一个或多个可熔元件，使得当流过熔断器的电流超过预定限度时，可熔元件熔化并且通过熔断器断开一个或多个电路，以防止电气部件损坏。
[0003]电弧有时沿着可熔元件，特别是在过流状况下在熔化的位置处生成。如果允许电弧持续存在较长时间，可能会造成包含可熔元件的壳体破裂。为了最小化电弧事件的持续时间，可熔元件可以被嵌入被设置在壳体内的灭弧材料中，其吸收随时间推移维持电弧的蒸发金属。然而，单独的灭弧材料可能不足以方便地熄灭在某些熔断器(诸如例如，小型、高压、直流(DC)熔断器)内产生的电弧。因此在某些应用中期望补充熔断器组件的灭弧能力。

技术实现思路

[0004]在一些实施例中，装置可以包括提供可熔元件，以及在可熔元件上沉积有机硅(silicone)材料，其中有机硅材料被以多个角度递送到可熔元件。
[0005]在一些实施例中，用于在可熔元件上沉积有机硅材料的方法可以包括提供可熔元件，可熔元件包括一系列由桥连接的实心部分，以及将有机硅材料沉积在可熔元件上。有机硅材料可以被以多个角度递送到可熔元件，以沿以下中的每个形成有机硅材料：可熔元件的上表面、可熔元件的下表面和可熔元件的侧表面。
>[0006]在一些实施例中，形成熔断器组件的方法可以包括提供可熔元件，并且围绕可熔元件形成消弧带，其中消弧带的材料被以多个角度递送到可熔元件。
附图说明
[0007]图1A-1B是示出根据示例性实施例的熔断器装置的等距视图。
[0008]图2是根据示例性实施例的用于形成熔断器装置的方法的流程图。
[0009]附图并不一定是按比例绘制的。附图仅仅是表示，并不旨在描绘本公开的特定参数。附图旨在描绘本公开的典型实施例，并且因此不应该被视为范围上的限制。在附图中，相似的标号代表相似的元件。
[0010]此外，为了说明清楚，一些图中的某些元件可以被省略，或者不按比例示出。剖视图可以是以“切片”的形式，或者是“靠近观测”的剖视图，为了说明清楚，省略了在“真实”剖视图中可见的某些背景线。此外，为了清楚，某些附图中可以省略一些参考标号。
具体实施方式
[0011]现在将参考附图在下文中更全面地描述根据本公开的熔断器装置和组件，在附图中示出了系统和方法的实施例。然而，熔断器装置和组件可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为仅局限于本文所述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开全面和完整，并且将系统和方法的范围充分传达给本领域技术人员。
[0012]本文的方法提供了用于使用有机硅喷射过程围绕可熔元件形成有机硅环的方案。有机硅喷射过程可以包括喷射分配器以高频率反复循环开关，从而将有机硅流打散成一系列的小珠子或液滴。喷射分配器可以使有机硅液滴加速并且以各种角度将有机硅液滴递送到可熔元件上。这种有机硅喷射过程可以是非接触的以及选择性的有机硅形成过程。
[0013]参照图1A-1B，示出了根据本公开的熔断器装置/组件(以下称，“组件”)100的示例性实施例。示例性组件100可以包括延伸于第一端部112与第二端部114之间的一个或多个可熔元件110。可熔元件110可以适合在例如熔丝管内，但不限于此。在示例性实施例中，可熔元件110包含在壳体内(未示出)。尽管在所示实施例中可熔元件110具有大致矩形平面形状，但可熔元件110在另一些实施例中可以具有任何适当的平面形状。此外，可熔元件110可以被折叠，以定义任何适当数量的分段，这些分段以任何适当的方式相对于彼此成形和定向以定义任何适当的表面轮廓。
[0014]在一些实施例中，可熔元件110中的每个可包括通过导电桥120接合在一起的多个实心部分118，其可以包括设置在其间的一组开口。在各个实施例中，与可熔元件110的其余部分相比，实心部分118和/或导电桥120可以具有相同或减小的厚度。此外，可熔元件110中的每个可以具有弯曲或弧形部分124。可熔元件110中的每个可以有具有较小截面的部分，和/或具有较低熔点的区域，诸如锡、银、铅、镍或其合金。虽然未示出，壳体可以包括邻近可熔元件110的填充物。壳体的各个部件可以由绝缘材料制成，诸如绝缘塑料，例如，尼龙、玻璃填充尼龙、聚酯和聚碳酸酯。
[0015]在组件100的操作期间，电弧可能沿着可熔元件110生成。电弧往往更频繁地发生于减弱的导电桥120上。为了处理这些电弧，组件100可以进一步包括围绕可熔元件110形成的多个消弧盘或带140。如所示出的，消弧带140可以沿着可熔元件110，形成于第一端部112和第二端部114之间的不同点。在一些实施例中，消弧带140由经由等离子喷射器(plasma jet)145递送到可熔元件110的有机硅材料形成。通过在“开”和“关”状态之间循环等离子喷射器145来打断有机硅材料的流，有机硅材料可以作为一系列液滴146被递送。如所示出的，等离子喷射器145可以与可熔元件110间隔开，从而使沉积是选择性的以及非接触性的。
[0016]在消弧带140的形成期间，可熔元件和/或等离子喷射器145可以相对于彼此旋转，使得有机硅材料完全环绕可熔元件110。例如，消弧带140可以沿着上表面148、下表面150和侧表面152中的每个侧表面形成。在一些实施例中，有机硅材料可以在等离子喷射器145被保持于相对于可熔元件110的至少四个不同位置时被递送。因此，液滴146可以以多个不同的角度递送到可熔元件110，以确保期望的形成。消弧带140可以大致呈方形、长方形或长方体形状，但不限于此。在另一些实施例中，消弧带140可以大致呈圆柱形或圆盘形。
[0017]在一些实施例中，当有机硅材料处于其液态时，液滴146可以被递送到可熔元件110。其后，有机硅材料然后可以被固化(或以另外方式被允许硬化)成刚性或半刚性涂层，以形成消弧带140。为了不封装过多的可熔元件110，并且因此，不妨碍可熔元件110的正常
功能，消弧带140可以仅被附加到可熔元件110的一个或多个选定区域。
[0018]如图1A中所示，液滴146可以被沿负y方向递送，以在可熔元件110的上表面148上形成有机硅材料。如图1B中所示，液滴146可以被沿正x/z方向递送，以沿可熔元件110的侧表面152形成有机硅材料。在再一些实施例中，等离子喷射器145可以被定向为将液滴146递送到消弧带140的转角部分158上。应理解的是，等离子喷射器145和可熔元件110二者均可以相对彼此平移、旋转、移位等，以指示消弧带140沿可熔元件110的形成。
[0019]现在转到图2，将描述根据本公开的实施例的方法200。在方框201处，方法200可以包括提供可熔元件。在一些实施例中，可熔元件可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成熔断器组件的方法，包括：提供可熔元件；以及在所述可熔元件上沉积有机硅材料，其中所述有机硅材料被以多个角度递送到所述可熔元件。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机硅材料被沿着以下中的每个形成：所述可熔元件的上表面、所述可熔元件的下表面和所述可熔元件的侧表面。3.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述有机硅材料沉积为一系列液滴。4.根据权利要求1所述的方法，还包括使用等离子喷射器沉积所述有机硅材料。5.根据权利要求4所述的方法，还包括当沉积所述有机硅材料时，在“开”和“关”状态之间循环所述等离子喷射器。6.根据权利要求4所述的方法，还包括使所述等离子喷射器和所述可熔元件相对于彼此旋转，以围绕所述可熔元件形成所述有机硅材料。7.根据权利要求4所述的方法，还包括在沉积所述有机硅材料时，将所述等离子喷射器与所述可熔元件间隔开。8.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述等离子喷射器保持在相对于所述可熔元件的至少四个不同位置中的每个位置处时将所述有机硅材料递送至所述可熔元件。9.一种用于在可熔元件上沉积有机硅材料的方法，包括：提供所述可熔元件，所述可熔元件包括一系列由桥连接的实心部分；以及在所述可熔元件上沉积所述有机硅材料，其中所述有机硅材料以多个角度递送到所述可熔元件，以沿以下中的每个形成所述有机硅材料：所述可熔元件的上表面、所述可熔元件的下表面和所述可熔元件的侧表面。10.根据权利要求9所述的方法，还包括使用等离子喷射器沉积所述有机硅材料。11.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺电，张统山，
申请(专利权)人：苏州力特奥维斯保险丝有限公司，
类型：发明
国别省市：