使用目标或产品的形状双折射的晶片对准制造技术

一种对准方法，包括：引导具有第一偏振态的照射束以形成来自对准目标的、具有第二偏振态的衍射束；和使所述衍射束传递通过偏振分析器。所述对准方法还包括：测量所述衍射束的偏振态；和根据所测量的偏振态，相对于其初始偏振态来确定所述对准目标的部位。所述对准目标包括具有单个间距以及两个或更多个占空比的多个衍射光栅，其中所述间距小于所述照射束的波长，并且所述对准目标的部位对应于所述衍射光栅的占空比。光栅的占空比。光栅的占空比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用目标或产品的形状双折射的晶片对准
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年2月21日递交的美国临时专利申请号62/808,423的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开涉及对准设备和系统，例如，用于光刻设备和系统的对准传感器设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成待被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：引导具有第一偏振态的照射束以形成来自对准目标的、具有第二偏振态的衍射束；将所述衍射束拆分成第一偏振子束和第二偏振子束；测量所述第一偏振子束和第二偏振子束的偏振态；以及根据所测量的偏振态来确定所述对准目标的部位。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述对准目标包括具有单个间距以及两个或更多个占空比的多个衍射光栅周期；所述间距小于所述照射束的波长；并且所述对准目标的部位对应于所述衍射光栅的占空比。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衍射光栅包括矩形形状。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述衍射光栅包括具有顶部斜面、底部斜面或侧壁角的不对称形状。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述衍射光栅包括正弦形状。6.根据权利要求2所述的方法，其中：所述照射束是线性偏振的；并且所述照射束的电场相对于光栅线形成介于0度与90度之间的角度。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述照射束是圆偏振的或是椭圆偏振的。8.一种系统，包括：第一光学系统和第二光学系统，其中：所述第一光学系统被配置成朝向对准目标引导具有第一偏振态的照射束并且将具有第二偏振态的衍射束从所述对准目标引导至所述第二光学系统；并且所述第二光学系统被配置成将所述衍射束拆分成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：