有机发光显示器的像素电路及其驱动方法技术

技术编号:3022374 阅读:139 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种有机发光显示器的像素电路及其驱动方法,该像素电路包括第一驱动晶体管,第二驱动晶体管,一存储电容,一耦合电容和一有机发光二极管,所述有机发光二极管由所述第一驱动晶体管驱动,该驱动方法包括如下步骤:a.预充电,为第一驱动晶体管的栅极充入预充电压,并由存储电容保持;b.阈值电压存储,所述存储电容通过第二驱动晶体管将所述预充电压放电至阈值电压;c.灰阶数据电压写入,通过耦合电容为第一驱动晶体管的栅极充入灰阶数据电压,所述灰阶数据电压和所述阈值电压叠加并由存储电容保持。本发明专利技术的像素电路及其驱动方法可以有效抑制有机发光显示器中驱动OLED器件的TFT的特性漂移,使器件寿命得以延长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤其涉及一种主动 式。
技术介绍
有机发光二极管(0LED, Organic Light Emitting Diode)可以用被动矩阵 (PM)驱动,也可以用主动矩阵驱动(AM)。相比PM驱动,AM驱动具有显示的信 息容量较大,功耗较低,器件寿命长,画面对比度高等优点。而PM驱动适用于低 成本的、简单的显示器件。在玻璃基板上制作的用于AM驱动OLED的器件,目前基本上有两种,即非晶 硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)与低温多晶硅(LTPS) TFT。 TFT器件长期工作在直 流电压偏置状态下会发生器件特性的漂移。如果不采取某种措施处理这种漂移, 发生特性漂移的器件驱动OLED的电流下降,显示器件亮度降低,会导致器件过早 失效。在AMOLED中驱动OLED的TFT在工作过程中长期处于电压或电流偏置状态, 会发生特性漂移。通常对于阈值电压VTH而言其数值是升高的。因此,在認OLED 中必须进行特殊的处理,以应对TFT器件衰减问题。抑制器件特性漂移问题的重 要的方法之一是设计像素补偿电路。图1是一种现有技术的像素电路结构示意图及其驱动信号时序图。该方案使 用了四个TFT和一个电容控制与驱动0LED,并带有像素补偿功能。该驱动电路的 实现分为两个阶段。在第一阶段,第n行的扫描信号VGn打开TFT M2,数据信号 Vdata通过M2向储存电容Cst充电,同时在驱动TFT Ml产生漏源电流Ids,使OLED 开始发光。在第二阶段,VGn扫描信号关断M2,下一行的扫描信号VGn+l打开TFT M3,此时储存电容Cst的两端电荷通过M3与M4放电,把驱动TFT Ml的栅极电压 (电路节点N1)降低到一个合适的水平,而该过程下降的电压与TFTM4的阈值电压VTH相关。当阈值电压增大时,Ml的栅极(电路节点N1)电压下降的幅度减少, 从而使M1的栅极电压保持一个较高的水平,起到补偿阈值电压漂移的作用。上述图1中的像素电路存在如下问题(1)需要较大的Vdata电压写入。因 为数据电压Vdata是在第一阶段写入,目的是向Nl节点写入相对高的数据电压, 再根据阈值电压水平把N1节点的电压下降到合适的水平,所以Vdata的电压必然 含有TFT器件在使用寿命内阈值电压VTH漂移的最大值。这样必然使Vdata的写 入电压较高,增大驱动芯片(Driver IC)的功耗。(2)电路节点Nl的电压下降 的幅度除了与阈值电压有关外,还与TFTM3的开启时间有关,而由于开启时间由 扫描线VGn+1决定,因此Vdata的写入还需要考虑扫描线的开启时间,增加了灰 阶调整的难度。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种有机发光显示器件的像素电路的驱动 方法,可以有效抑制有源驱动OLED显示器中驱动OLED器件的TFT的特性漂移,使TFT 器件寿命得以延长。本专利技术的另一目的在于提供了一种有机发光显示器的像素电路,可以有效抑制 有源驱动OLED显示器中驱动OLED器件的TFT的特性漂移,使TFT器件寿命得以延长。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种有机发光显示器的 像素电路的驱动方法,所述像素电路包括第一驱动晶体管,第二驱动晶体管, 一存 储电容, 一耦合电容和一有机发光二极管,所述有机发光二极管由所述第一驱动晶 体管驱动,其中所述驱动方法包括如下步骤a. 预充电,为第一驱动晶体管的栅极充入预充电压,并由存储电容保持;b. 阈值电压存储,所述存储电容通过第二驱动晶体管将所述预充电压放电至阈 值电压;c. 灰阶数据电压写入,通过耦合电容为第一驱动晶体管的栅极充入灰阶数据 电压,所述灰阶数据电压和所述阈值电压叠加并由存储电容保持。上述的像素电路的驱动方法中,所述预充电压大于所述阈值电压。 上述的像素电路的驱动方法中,所述像素电路还包括第n-2行扫描线,第n—l 行扫描线,第n行扫描线,其中n为自然数;所述预充电由所述第n-2行扫描线驱动;所述阈值电压存储由所述第n-l行扫描线驱动;所述灰度数据电压写入由所述 第n行扫描线驱动。基于上述的驱动方法,本专利技术还提供了一种有机发光显示器的像素电路,包括:一电源线;一数据线;多条行扫描线;一有机发光二极管;一存储电容;一耦合电容;第一驱动晶体管,驱动所述有机发光二极管发光,包括栅极,第二电极和第 三电极,所述栅极和所述存储电容之第一端相连;所述第二电极和所述电源线相 连;所述第三电极,所述存储电容之第二端和所述有机发光二极管的阳极相连; 第二驱动晶体管,为第一驱动晶体管提供阀值电压,包括栅极,第二电极和第三电极,所述第二驱动晶体管和所述存储电容并联;第一开关晶体管,控制第一驱动晶体管的栅极充入预充电压; 第二开关晶体管,控制预充电压通过第二驱动晶体管放电至阈值电压; 第三开关晶体管,控制耦合电容为第一驱动晶体管的栅极充入灰阶数据电压; 其中,所述电源线和所述第一驱动晶体管的栅极通过所述第一开关晶体管相连;所述第二驱动晶体管之第二电极和所述第一驱动晶体管的栅极通过所述第二开关晶体管相连;所述数据线和所述耦合电容之第一端通过所述第三开关晶体管相连。上述的像素电路中,所述多条行扫描线为第n-2行扫描线,第n—l行扫描线, 第n行扫描线,其中n为自然数,分别控制第一/第二/第三开关晶体管。上述的像素电路中,所述像素电路还包括第四开关晶体管,所述第四开关晶体 管的栅极连接于第n-2行扫描线,第二电极连接于第三开关晶体管的栅极,第三电 极连接于耦合电容之第一端。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果本专利技术利用不同的TFT器件分别进行 阈值电压VTH的设定与0LED驱动,降低Vdata的写入电压,改善器件功耗水平; 由于Vdata的调整与VTH的设定都与扫描时间无关,简化Vdata的设定,降低了灰阶调整难度。此外,本专利技术利用相邻行的扫描信号,避免为当前数据电压写入行 的像素引入额外的扫描信号连线,不增加系统驱动电路,不影响开口率。附图说明图1是现有技术像素电路结构示意图。图2是图1的信号时序图。图3是本专利技术实施例的像素电路结构示意图。图4是本专利技术实施例的另一像素电路结构示意图。图5是图3和图4的信号时序图。图中Ml:第一驱动晶体管M2:第一开关晶体管M3:第二驱动晶体管M4:第二开关晶体管M5:第三开关晶体管M6:第四开关晶体管Dl:0LED器件Cst:储存电容 Cl:耦合电容Vdd:电源线Data:数据线 Gn:第n行扫描线Gn-1:第n-l行扫描线Gn-2:第n-2行扫描线Nl:电路节点1N2:电路节点2VGn:第n行扫描信号VGn-l:第n-l行扫描信号VGn-2:第n-2行扫描信号 Vdata:数据电压 具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。本专利技术电路中使用的器件TFT有三个电极,栅极,第二电极,与第三电极。 可以把第二、第三电极分别称为源电极、漏电极,也可以把第二、第三电极分别 称为漏电极与源电极,并不改变电路的功能或实质连接关系。由于电路图中电气 上的对称性,本专利技术实施例中把TFT的第二与第三电极分别称为漏电极与源电极。图3是本专利技术实施例的像素电路结构示意图。请参见图3,本专利技术实施例的像素电路包括5个TFT,分别是第一驱动晶体管 Ml,第一开关本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种有机发光显示器的像素电路的驱动方法,所述像素电路包括第一驱动晶体管,第二驱动晶体管,一存储电容,一耦合电容和一有机发光二极管,所述有机发光二极管由所述第一驱动晶体管驱动,其特征在于,所述驱动方法包括如下步骤:a.预充电,为第一驱 动晶体管的栅极充入预充电压,并由存储电容保持;b.阈值电压存储,所述存储电容通过第二驱动晶体管将所述预充电压放电至阈值电压;c.灰阶数据电压写入,通过耦合电容为第一驱动晶体管的栅极充入灰阶数据电压,所述灰阶数据电压和所述阈值 电压叠加并由存储电容保持。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓建李俊峰
申请(专利权)人:上海广电光电子有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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