具有多层合成铁磁体自由层的读取器制造技术

本申请公开了具有多层合成铁磁体自由层的读取器。一种装置，包括读取传感器，该读取传感器具有三层合成铁磁体自由层和靠近该三层合成铁磁体自由层定位的至少一个侧屏蔽件。该至少一个侧屏蔽件在第一方向上提供偏置磁场以将该三层合成铁磁体自由层偏置。以将该三层合成铁磁体自由层偏置。以将该三层合成铁磁体自由层偏置。

【技术实现步骤摘要】
具有多层合成铁磁体自由层的读取器

技术实现思路

[0001]在一个实施例中，提供了一种读取器。该读取器包括读取传感器，该读取传感器具有多层合成铁磁体自由层。该多层合成铁磁体自由层具有使得该多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。
[0002]在另一个实施例中，提供了一种形成读取器的方法。该方法包括通过形成多层合成铁磁体自由层来形成读取传感器,该多层合成铁磁体自由层具有使得该多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。
[0003]在又一个实施例中，提供了一种装置。该装置包括读取传感器，该读取传感器具有三层合成铁磁体自由层和至少一个侧屏蔽件。该至少一个侧屏蔽件在第一方向上提供偏置磁场以将该三层合成铁磁体自由层偏置。
[0004]表征本公开的实施例的其他特征和优点将在阅读以下具体实施方式和审查相关附图时变得显而易见。
附图说明
[0005]图1是包括数据存储介质和用于从该数据存储介质读取数据和/或向该数据存储介质写入数据的头的数据存储系统的示意图。
[0006]图2是从存储介质读取和向存储介质写入的记录头的一个实施例的横截面的示意图。
[0007]图3A是根据一个实施例的磁重放设备(reproducing device)的支承表面视图。
[0008]图3B是图3A的磁重放设备的实施例的一部分的截面视图。
[0009]图4和图5是从具有三层合成铁磁体自由层的读取器的微磁模拟中获取的结果图。
具体实施方式
[0010]本公开的实施例涉及采用多层合成铁磁体作为其自由层的读取器。然而，在提供关于不同实施例的附加细节之前，下文提供了说明性操作环境的描述。
[0011]图1示出了其中可以结合本文所公开的某些实施例的说明性操作环境。图1中示出的操作环境仅仅出于解说目的。本公开的实施例不限于任何特定的操作环境，诸如图1中示出的操作环境。本公开的实施例在任意数量的不同类型的操作环境中说明性地实践。
[0012]应当注意的是，相同或相似的元件在不同的附图中使用相同的附图标记。应当理解的是，本文中所使用的术语仅出于对特定实施例进行描述的目的，该术语并不旨在进行限制。除非另有指示，否则序号(例如，第一、第二、第三等)用于区分或标识一组元件或步骤中的不同元件或步骤，并且不对其实施例的元件或步骤提供序列或数值限制。例如，“第一”、“第二”和“第三”元件或步骤不必以该顺序出现，其实施例不必限于三个元件或步骤。还应当理解的是，除非另有指示，否则任何标签，诸如“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“向前”、“相反”、“顺时针”、“逆时针”、“上”、“下”，或其他类似术语，诸如“上方”、“下方”、“之后”、“之前”、“垂直”、“水平”、“近端”、“远端”，“居间”等是为了方便而使用，并不旨
在表示例如，任何特定的固定位置、取向或方向。相反，此类标签用于反映，例如，相对位置、取向或方向。应当理解的是，除非上下文另有明确规定，单数形式“一个”、“一种”和“该”包括复数对象。
[0013]应当理解的是，当元件被称为“连接”、“耦合”或“附接”到另一元件时，其可以直接连接、耦合或附接到另一元件，或其可以间接连接、耦合或附接到可以存在介入元件或中间元件的另一元件。相反，当元件被称为“直接连接”、“直接耦合”或“直接附接”至另一元件时，不存在介入元件。图示出元件之间的直接连接、耦合或附接的附图还包括实施例，其中元件彼此间接连接、耦合或连接。
[0014]图1是包括数据存储介质和用于从该数据存储介质读取数据和/或向该数据存储介质写入数据的头的数据存储设备100的示意图。在数据存储设备100中，头102定位于存储介质104的上方以从数据存储介质104读取数据和/或向数据存储介质104写入数据。在所示的实施例中，数据存储介质104是包括一个或多个磁存储层的可旋转盘或其他磁存储介质。对于读取和写入操作，主轴电机106(示意性地示出)如箭头107所示使介质104旋转，并且致动器机构110相对于旋转介质104上的数据磁道114将磁头102定位在内直径108和外直径109之间。主轴电机106和致动器机构110两者都连接到驱动器电路系统(circuitry)112并通过驱动器电路系统112进行操作(示意性地示出)。头部102通过悬置组件耦合到致动器机构110，该悬置组件包括例如通过模锻连接来连接到机构110的致动器臂122的负载梁120。尽管图1示出了耦合到致动器机构110的单个负载梁，但是附加负载梁120和头102可以耦合到致动器机构110以从盘堆叠中的多个盘读取数据或向盘堆叠中的多个盘写入数据。致动器机构110通过轴承124旋转地耦合到框架或平台(未示出)以绕轴126旋转。致动器机构110的旋转将头102按箭头130所示在跨磁道方向上移动。
[0015]头102包括通过柔性电路134耦合到头电路系统132的一个或多个换能器元件(图1中未示出)。下面结合图2提供了关于头的元件(诸如102)的细节。
[0016]图2是示出了沿着基本上垂直于记录头200的支承表面(例如，空气支承面(ABS))202的平面取得的记录头200和数据存储介质250的各部分的横截面视图的示意图。图2中所示的记录头元件说明性地包括在记录头(诸如图1中的记录头102)中。介质250说明性地为数据存储介质，诸如图1中的介质104。本领域技术人员将会认识到记录头和记录介质共同地包括其他部件。本公开的实施例不限于任何特定的记录头和记录介质。本公开的实施例可以在不同类型的记录头和记录介质中实践。
[0017]记录头200包括写入极205、磁化线圈210、返回极215、顶部屏蔽件218、读取换能器220、底部屏蔽件222和晶片覆层224。存储介质250包括记录层255和底层260。存储介质250在如箭头265所示的方向上旋转。箭头265说明性地为旋转方向，诸如图1中的箭头107。
[0018]在实施例中，电流通过线圈210以生成磁场。磁场从写入极205穿过记录层255进入底层260，然后跨越到达返回极215。磁场说明性地记录记录层255中的磁化图案270。读取换能器220感测或检测记录层255中的磁化图案，并且用于检取先前记录到层255的信息。
[0019]为了解决下文讨论的某些挑战，读取换能器或读取器220包括采用多层合成铁磁体230作为其自由层的读取传感器。在不同的读取器实施例中，读取传感器的各层可以沿着磁道方向(例如，图2中的z方向)堆叠。磁道宽度方向垂直于z方向或磁道方向(例如，跨磁道方向，在图2中为x方向)。图2中的y方向随后被限定为同时垂直于x和z的方向，该方向是条
纹高度方向。下面结合图3A
‑
图5描述了与新数据存储技术带来的挑战，以及如何采用具有多层合成铁磁体自由层的传感器来解决此类挑战相关的细节。
[0020]最近的数据存储技术(诸如热辅助磁记录(HAMR))推动了越来越高的读取沿磁道和跨磁道分辨率。这意味着自由层尺寸的减小，这导致了由于较高的磁噪声而引起的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种读取器，包括：读取传感器，包括：多层合成铁磁体自由层，所述多层合成铁磁体自由层具有使得所述多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。2.如权利要求1所述的读取器，其特征在于，所述多层合成铁磁体自由层包括三层合成铁磁体自由层。3.如权利要求2所述的读取器，进一步包括所述三层合成铁磁体自由层下方的合成反铁磁(SAF)结构，以及所述三层合成铁磁体自由层和所述SAF结构之间的隧穿势垒层。4.如权利要求3所述的读取器，其特征在于，所述三层合成铁磁体自由层包括所述隧穿势垒层上方的底部磁性层、所述底部磁性层上方的中间磁性层、和所述中间磁性层上方的顶部磁性层，并且其中，所述底部磁性层和所述中间磁性层由第一间隔层分隔，并且所述中间磁性层和所述顶部磁性层由第二间隔层分隔。5.如权利要求4所述的读取器，进一步包括在第一方向上提供偏置磁场的至少一个侧屏蔽件。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：