存储器件制造技术

公开了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；堆叠结构，包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在侧绝缘层与中央绝缘层之间的居间导电层和在公共源极线沟槽的上部处的上导电层。槽的上部处的上导电层。槽的上部处的上导电层。

【技术实现步骤摘要】
存储器件


[0001]本公开涉及存储器件，更具体地，涉及垂直非易失性存储器件。

技术介绍

[0002]伴随着对多功能、高性能和小型化的信息通信装置的持续需求，需要具有增大的容量和集成的存储器件。根据这种趋势，开发了垂直非易失性存储器件，其包括堆叠在衬底上的多个栅极层且沟道结构在垂直方向上穿透所述多个栅极层。在这样的垂直非易失性存储器件中，可以通过增加堆叠在衬底上的栅极层的数量来增大存储容量。因此，通过使用垂直非易失性存储器件，可以实现增大的存储容量和集成。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的实施方式提供了具有减少的翘曲和减少的噪声的高度集成的存储器件。
[0004]本专利技术构思的实施方式提供了一种存储器件，其包括：衬底；在衬底上的下导电层；在下导电层上的堆叠结构，该堆叠结构包括交替地堆叠在下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，该沟道孔在垂直于衬底的上表面的垂直方向上穿透堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，该公共源极线沟槽在垂直方向上穿透下导电层和堆叠结构。公共源极线结构包括在公共源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的下导电层；在所述下导电层上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替地堆叠在所述下导电层上的栅极层和层间绝缘层；在沟道孔中的沟道结构，所述沟道孔在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上穿透所述堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，所述公共源极线沟槽在所述垂直方向上穿透所述下导电层和所述堆叠结构，其中所述公共源极线结构包括在所述公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在所述公共源极线沟槽的中央部分处的中央绝缘层、在所述侧绝缘层与所述中央绝缘层之间的居间导电层和在所述公共源极线沟槽的上部处的上导电层。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述居间导电层进一步在所述衬底与所述中央绝缘层之间延伸。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述沟道孔和所述沟道结构进一步穿透所述下导电层。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中在所述垂直方向上从所述衬底的下表面到所述公共源极线结构的上端的高度大于在所述垂直方向上从所述衬底的所述下表面到所述沟道结构的上端的高度。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中在所述垂直方向上从所述衬底的下表面到所述公共源极线结构的下端的高度大于在所述垂直方向上从所述衬底的所述下表面到所述沟道结构的下端的高度。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述公共源极线结构包括延伸到公共源极线凹陷中的突起，所述公共源极线凹陷从所述公共源极线沟槽的所述侧表面水平地凹入到所述下导电层中。7.根据权利要求6所述的存储器件，进一步包括在所述下导电层与所述公共源极线结构的所述突起之间的下绝缘层。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述居间导电层的化学成分不同于所述下导电层的化学成分。9.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括在所述下导电层与所述堆叠结构之间的支撑层。10.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括在所述衬底下方的下结构，其中所述下结构包括下衬底和在所述下衬底上的外围电路，所述外围电路连接到所述公共源极线结构。11.一种存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的下导电层；在所述下导电层上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替地堆叠在所述下导电层上的栅极层和居间绝缘层；
在沟道孔内的沟道结构，所述沟道孔在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上穿透所述下导电层和所述堆叠结构；以及在公共源极线沟槽中的公共源极线结构，所述公共源极线沟槽在所述垂直方向上穿透所述堆叠结构，其中所述公共源极线结构包括在所述公共源极线沟槽的侧表面上的侧绝缘层、在所述公共源极线沟槽的中央部分处的中央...

【专利技术属性】
技术研发人员：金江旻，高秉贤，权容真，申重植，尹健郁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：