半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，在65℃下保持300秒后的中间层的残留应力为300Pa以下。的中间层的残留应力为300Pa以下。的中间层的残留应力为300Pa以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法。特别涉及适合用于抑制半导体晶圆翘曲的半导体加工用保护片、以及使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在各种电子设备中，大多搭载有半导体装置，所述半导体装置安装了通过将形成有电路的半导体晶圆单颗化而得到的半导体芯片。电子设备的小型化、多功能化急速进展，对半导体芯片也要求小型化、低厚度化、高密度化。为了进行芯片的小型化及低厚度化，通常在半导体晶圆的表面形成电路，然后对半导体晶圆的背面进行研磨，从而调整芯片的厚度。
[0003]在研磨半导体晶圆的背面时，为了保护晶圆表面的电路且支撑半导体晶圆，会在晶圆表面贴附被称为背磨胶带(Back grinding tape)的保护片。然而，背面研磨后的半导体晶圆非常薄，具有容易与粘着胶带一同翘曲的倾向。若半导体晶圆翘曲，则会产生半导体晶圆变得容易破损、难以运送至下一工序等问题。
[0004]例如，专利文献1中公开了一种为了抑制半导体晶圆的翘曲而对基材赋予了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、所述基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，在65℃下保持300秒后的所述中间层的残留应力为300Pa以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用保护片，其中，所述基材的拉伸储能模量与所述基材厚度的乘积为3.5
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104N/m以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本纱英，中西勇人，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：