环烷烃缩合多环芳香族化合物制造技术

通过将环烷烃缩合于多环芳香族化合物，而增加有机EL元件用材料等有机元件用材料的选择项，所述多环芳香族化合物是利用硼原子与氧原子等将多个芳香族环连结而成。另外，通过将新颖的环烷烃缩合多环芳香族化合物用作有机EL元件用材料而提供例如发光效率或元件寿命优异的有机EL元件。优异的有机EL元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】环烷烃缩合多环芳香族化合物


[0001]本专利技术涉及一种环烷烃缩合多环芳香族化合物及其多聚体(以下，也汇总称为“多环芳香族化合物”)、与使用其的有机电致发光元件、有机场效晶体管及有机薄膜太阳电池、以及显示装置及照明装置。再者，本说明书中有时将“有机电致发光元件”表述为“有机EL(electroluminescence)元件”或仅表述为“元件”。

技术介绍

[0002]从前，使用了进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现省电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。尤其，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及关于具备空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止，不论高分子化合物、低分子化合物均得到积极研究。
[0003]有机EL元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中，有发光层，或者传输或注入空穴、电子等电荷的电荷传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，所述多环芳香族化合物由下述通式(1)表示，所述多环芳香族化合物的多聚体具有多个下述通式(1)所表示的结构。[化1](所述式(1)中，A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可被取代，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及Ge
‑
R的R为芳基、烷基或环烷基，X1及X2分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的烷基或可被取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2的R为氢、可被取代的芳基、可被取代的烷基或可被取代的环烷基，另外，所述＞N
‑
R的R及所述＞C(
‑
R)2的R的至少一个可通过连结基或单键而与所述A环、B环及C环的至少一个键结，式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代，而且，式(1)所表示的化合物或结构中的A环、B环、C环、芳基及杂芳基的至少一个由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可被取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可由
‑
O
‑
取代。)2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中，所述式(1)中，A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可由经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、或者经取代的硅烷基取代，另外，这些环具有与包含Y1、X1及X2的所述式中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及Ge
‑
R的R为芳基、烷基或环烷基，X1及X2分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为可由烷基或环烷基取代的芳基、可由烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基，所述＞C(
‑
R)2的R为氢、可由烷基或环烷基取代的芳基、烷基或环烷基，另外，所述＞N
‑
R的R及所述＞C(
‑
R)2的R的至少一个可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
或单键而与所述A环、B环及C环的至少一个键结，所述
‑
C
(
‑
R)2‑
的R为氢、烷基或环烷基，式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代，在为多聚体的情况下，为具有2个或3个通式(1)所表示的结构的二聚体或三聚体，而且，式(1)所表示的化合物或结构中的A环、B环、C环、芳基及杂芳基的至少一个由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可被取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可由
‑
O
‑
取代。3.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，其由下述通式(2)表示。[化2](所述式(2)中，a环、b环及c环中的任意的
“‑
C(
‑
R)＝”(此处，R为式(2)中的R1～R
11
)可被取代为
“‑
N＝”，任意的
“‑
C(
‑
R)＝C(
‑
R)
‑”
(此处，R为式(2)中的R1～R
11
)可被取代为
“‑
N(
‑
R)
‑”
、
“‑
O
‑”
或
“‑
S
‑”
，所述
“‑
N(
‑
R)
‑”
的R为芳基、烷基或环烷基，R1～R
11
分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基或烷基二环烷基硅烷基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，另外，R1～R
11
中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基或烷基二环烷基硅烷基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及Ge
‑
R的R为碳数6～12的芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，X1及X2分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，所述＞C(
‑
R)2的R为氢、碳数6～12的芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，另外，所述＞N
‑
R的R及所述＞C(
‑
R)2的R的至少一个可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
或单键而与所述a环、b环及c环的至少一个键结，所述
‑
C(
‑
R)2‑
的R为碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，式(2)所表示的化合物中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代，而且，
式(2)所表示的化合物中的所述a环、所述b环、所述c环、所述所形成的环、所述芳基及所述杂芳基的至少一个由碳数3～24的至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可由碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、碳数1～24的烷基或碳数3～24的环烷基取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可由
‑
O
‑
取代。)4.根据权利要求3所述的多环芳香族化合物，其中，所述式(2)中，a环、b环及c环中的任意的
“‑
C(
‑
R)＝”(此处，R为式(2)中的R1～R
11
)可被取代为
“‑
N＝”，任意的
“‑
C(
‑
R)＝C(
‑
R)
‑”
(此处，R为式(2)中的R1～R
11
)可被取代为
“‑
N(
‑
R)
‑”
、
“‑
O
‑”
或
“‑
S
‑”
，所述
“‑
N(
‑
R)
‑”
的R为碳数6～12的芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，R1～R
11
分别独立地为氢、碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、二芳基氨基(其中，芳基为碳数6～12的芳基)、二芳基硼基(其中，芳基为碳数6～12的芳基，且两个芳基可经由单键或连结基而键结)、碳数1～24的烷基、碳数3～24...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山琢次，枝连一志，影山明子，田中裕之，水谷彰英，笹田康幸，
申请(专利权)人：爱思开新材料捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：