【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED封装方法
[0001]本专利技术涉及LED封装领域,更具体地,涉及一种深紫外LED封装方法。
技术介绍
[0002]目前常规LED封装方法是将LED芯片通过共晶工艺或固晶工艺固定在基板或者支架上面,先实现电连接,再将荧光粉和环氧树脂或者硅胶的混合物涂覆到LED芯片周围,形成荧光粉层。在深紫外LED封装过程中由于光子能量高,有机封装材料会对紫外光产生强吸收,造成材料老化变性,紫外光无法出射等问题,所以一般采用石英玻璃材料进行深紫外封装。
[0003]如公开号为“CN104393154A”,公开日为2015年3月4日的中国专利申请公开了一种LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,倒装LED的封装方法首先将芯片转移到晶圆基板片(膜)上,随后通过模具获得薄膜真空压印的方法在晶圆片上实施荧光粉涂覆,最后将晶圆片上进行切割获得单颗芯片级的LED直接白光光源芯片。正装LED的封装方法归纳为首先将LED芯片在晶圆基板上片上完成固晶和金线键合工艺,随后对每颗LED芯片通过点涂方法形成一硅胶保护透镜,接下来通过薄膜真空压印 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向;步骤二:在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料,在300
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350℃下固化为胶体层,令芯片位于胶体层内;步骤三:刻蚀胶体层直至露出芯片电极;步骤四:剥离黏性薄膜;步骤五:剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层;步骤六:将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装方法,其特征在于,在所述步骤一中,黏性薄膜为耐高温黏性薄膜。3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装方法,其特征在于,所述步骤六的具体流程如下:S1:在胶体层的边缘蒸镀一层金或金锡合金;S2:在基板上制作电路,并在在基板的边缘蒸镀一层金或金锡合金;S3:将芯片LED与胶体层采用共晶工艺焊接在基板上,胶体层的边缘和基板的边缘焊接。4.根据权利要求3所述的一种深紫外LED封装方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文博,孙钱,张智聪,杨勇,汤文君,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:发明
国别省市:
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