一种半导体级N-甲基吡咯烷酮的纯化方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体级N

【技术实现步骤摘要】
一种半导体级N
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甲基吡咯烷酮的纯化方法


[0001]本专利技术涉及化学
，具体为一种半导体级N
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甲基吡咯烷酮的纯化方法。

技术介绍

[0002]N
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甲基毗咯烷酮是一种性能优良的精细化学品，由于其具有很强的溶解能力，对极性或非极性的物质均具有很强的溶解能力，素有“万能溶剂”之称，作为溶剂或有机原料被广泛用于涂料、油墨、电子化学品、高级清洗剂、动力锂离子电池等工业领域。
[0003]N
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甲基毗咯烷酮脫水及金属离子的脫除问题受到广泛关注，对于N
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甲基毗咯烷酮的脫水问题，CN101696182A是将待纯化的N
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甲基毗咯烷酮通过分子筛柱吸附脫除水分，受限制于吸附速度和吸附容量的限制，处理量仅为0
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4～0.8升/小时；CN200910064504.9公开了一种生产液晶面板用N
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甲基毗咯烷酮的提纯方法，向原料N
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甲基毗咯烷酮中加阻水剂，然后进入三塔组分精憾系统连续减压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体级N
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甲基吡咯烷酮的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤；S1：甲胺气体通入工业级N
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甲基吡略烷中，在20～40℃下反应0.5～1.5小时，以5～7L/min的流速通过4A分子筛吸附脱水，S2：将得到的预处理液采用孔径为0.1～0.2um的复合膜进行两次膜过滤，得到的滤液在20～85KPa下进行减压精馏，S3：从精馏塔顶收集80
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120℃的馏分，冷凝后依次通过含有强酸性阳离子交换树脂柱和强碱性阴离子交换树脂柱串联组成的离子交换装置，S4：经离子交换去除N
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甲基吡咯烷酮中的胺、阳离子和阴离子杂质，最后经微孔膜进行三级膜过滤，即得目标产物。2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，甲胺与工业级N
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甲基吡咯烷酮的质量比为2～8:1。3.根据权利要求2所述的生产方法，其特征在于，甲胺与工业级N
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甲基吡咯烷酮的质量比为3～7:1。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在精馏塔2/3处的轻质馏分排放口，以3～5L/min的流量排放轻质馏分。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脱水工艺温度控制在20～40℃。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将预处理液两次膜过滤采...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金城，隋希之，乔正收，
申请(专利权)人：镇江润晶高纯化工科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：