实施方式的图像显示装置的制造方法具备：准备在第一基板上形成了包含发光层在内的半导体层的基板的工序；在形成有包含电路元件在内的电路的第二基板上贴合所述半导体层的工序；对所述半导体层进行蚀刻而形成发光元件的工序；形成将所述发光元件覆盖的绝缘膜的工序；形成贯穿所述绝缘膜而到达所述电路的过孔的工序；在所述发光元件的与所述第二基板侧的面对置的面侧将所述发光元件和所述电路元件经由所述过孔电连接的工序。所述过孔将设置在不同层的所述发光元件和所述电路元件彼此连接。接。接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法和图像显示装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法和图像显示装置。
技术介绍
[0002]一直期望实现一种高辉度、广视角、高对比度而低功耗的薄型图像显示装置。为了响应这样的市场需求，正在进行使用自发光元件的显示装置的开发。
[0003]作为自发光元件，期待微细发光元件即使用了微型LED的显示装置的出现。作为使用了微型LED的显示装置的制造方法，介绍了一种将各单独形成的微型LED依次转移到驱动电路的方法。然而，随着全高清或4K、8K等高画质的出现，如果微型LED的元件数量增加，分别形成多个微型LED并将其依次转移到形成了驱动电路等的基板上，则转移工序需要大量的时间。另外，也存在发生微型LED和驱动电路等的连接不良等或成品率降低的可能。
[0004]已知一种在Si基板上使包含发光层的半导体层成长，在半导体层上形成了电极之后，将其贴合于形成了驱动电路的电路基板的技术(例如专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日本)特开2002
‑
141492号公报
技术实现思路
[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]实施方式提供一种缩短了发光元件的转移工序、提高了成品率的图像显示装置的制造方法和图像显示装置。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]本专利技术一实施方式的图像显示装置的制造方法具备：准备在第一基板上形成了包含发光层在内的半导体层的基板的工序；在形成有包含电路元件在内的电路的第二基板上贴合所述半导体层的工序；对所述半导体层进行蚀刻而形成发光元件的工序；形成将所述发光元件覆盖的绝缘膜的工序；形成贯穿所述绝缘膜而到达所述电路的过孔的工序；在所述发光元件的与所述第二基板侧的面对置的面侧将所述发光元件和所述电路元件经由所述过孔电连接的工序。所述过孔将设置在不同层的所述发光元件和所述电路元件彼此连接。
[0012]本实施方式的图像显示装置具备：电路元件；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其将所述电路元件和所述第一配线层覆盖；发光元件，其配设在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖所述发光元件的至少一部分；第二配线层，其与所述发光元件电连接，配设在所述第二绝缘膜上；第一过孔，其贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，将所述第一配线层和所述第二配线层电连接。
[0013]本实施方式的图像显示装置具备：多个晶体管；第一配线层，其与所述多个晶体管电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述多个晶体管和所述第一配线层；第一导电型的第一半导体
层，其配设在所述第一绝缘膜上；发光层，其配设在所述第一半导体层上；与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层，其配设在所述发光层上；第二绝缘膜，其将所述第一绝缘膜、所述第一半导体层以及所述发光层覆盖并且将所述第二半导体层的至少一部分覆盖；第二配线层，其与对应于所述多个晶体管而从所述第二绝缘膜分别露出的、在所述第二半导体层的多个露出面上配设的透明电极连接；第一过孔，其贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，将所述第一配线层的配线和所述第二配线层的配线电连接。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本实施方式的一个实施方式，能够实现缩短了发光元件的转移工序、提高了成品率的图像显示装置的制造方法和图像显示装置。
附图说明
[0016]图1是例示第一的实施方式的图像显示装置的一部分的示意性剖视图。
[0017]图2A是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的一个的示意性剖视图。
[0018]图2B是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的一个的示意性剖视图。
[0019]图2C是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的一个的示意性剖视图。
[0020]图3是例示第一实施方式的图像显示装置的示意性框图。
[0021]图4是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性俯视图。
[0022]图5A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0023]图5B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0024]图5C是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0025]图6A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0026]图6B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0027]图6C是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0028]图7A是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0029]图7B是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0030]图8A是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的一个的制造方法的示意性剖视图。
[0031]图8B是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的一个的制造方法的示意性剖视图。
[0032]图9是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0033]图10A是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0034]图10B是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0035]图10C是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0036]图10D是例示第一实施方式的图像显示装置的变形例的制造方法的示意性剖视图。
[0037]图11是例示第二实施方式的图像显示装置的一部分的示意性剖视图。
[0038]图12是例示第二实施方式的图像显示装置的示意性框图。
[0039]图13A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0040]图13B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0041]图14A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0042]图14B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0043]图15是例示第二实施方式的图像显示装置的变形例的一部分的示意性剖视图。
[0044]图16是例示第三实施方式的图像显示装置的一部分的示意性剖视图。
[0045]图17A是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0046]图17B是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0047]图18A是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0048]图18B是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的示意性剖视图。
[0049]图19是例示第三实施方式的图像显示装置的变形例的一部分的示意性剖视图。
[0050]图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具备：准备在第一基板上形成了包含发光层在内的半导体层的基板的工序；在形成有包含电路元件在内的电路的第二基板上贴合所述半导体层的工序；对所述半导体层进行蚀刻而形成发光元件的工序；形成将所述发光元件覆盖的绝缘膜的工序；形成贯穿所述绝缘膜而到达所述电路的过孔的工序；将所述发光元件和所述电路元件经由所述过孔电连接的工序；所述过孔将设置在不同层的所述发光元件和所述电路元件彼此连接。2.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，进一步具备在将所述半导体层贴合于所述第二基板之前将所述第一基板除去的工序。3.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，进一步具备在将所述半导体层贴合于所述第二基板之后将所述第一基板除去的工序。4.根据权利要求2所述的图像显示装置的制造方法，进一步具备使所述发光元件的表面露出的工序。5.根据权利要求4所述的图像显示装置的制造方法，进一步具备在露出的所述发光元件的露出面形成透明电极的工序。6.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，使所述半导体层在形成于所述第一基板上的缓冲层上成长。7.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，所述缓冲层包含氮化物。8.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，所述第一基板包含硅或蓝宝石。9.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，所述半导体层包含氮化镓系化合物半导体，所述第二基板包含硅。10.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，进一步包含在所述发光元件上形成波长变换部件的工序。11.一种图像显示装置，其特征在于，具备：电路元件；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其将所述电路元件和所述第一配线层覆盖；发光元件，其配设在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖所述发光元件的至少一部分；第二配线层，其与所述发光元件电连接，配设在所述第二绝缘膜上；第一过孔，其贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，将所述第一配线层和所述第二配线层电连接。12.根据权利要求11所述的图像显示装置，具有使所述发光元件的与所述第一绝缘膜侧的面对置的发光面露出的开口，在所述发光面上具备透明电极。
13.根据权利要求12所述的图像显示装置，从所述开口露出的露出面包含粗糙面。14.根据权利要求11所述的图像显示装置，所述第一配线层包含第一配线，包含所述第一配线的至少一部分的部分设置在所述发光元件的正下方，所述部分的外周在俯视时包含投影到所述部分的所述发光元件的外周。15.根据权利要求11所述的图像显示装置，在所述第一绝缘膜与所述发光元件之间进一步具备缓冲层。16.根据权利要求11所述的图像显示装置，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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