一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明专利技术制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。附着性。附着性。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及导电膜的图形化技术，特别涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着柔性电子领域的快速发展，柔性透明导电膜得到了广泛的关注和研究。传统的ITO导电薄膜由于自身固有的脆性，在机械形变下难以保证良好的导电特性，将极大影响柔性器件的使用寿命。基于银纳米线的柔性透明导电膜因其优异的导电性能、高光学透过率以及良好的机械柔韧性，被广泛的应用研究。作为实用化的柔性透明导电膜，银纳米线在实现其优异性能的同时，对其实现图形化成膜，也是迫切发展的技术。
[0003]目前，银纳米线导电膜的图形化技术主要有激光烧蚀、衬底表面处理、微接触印刷、模板辅助真空抽滤法等，然而这些方法都存在着工艺步骤复杂、成本高、难以实现高分辨率尺寸的缺点。针对现存的银纳米线导电膜的图形化技术的问题，本专利技术结合光刻和超声技术，可简单高效的制得高分辨率尺寸的银纳米线导电膜；同时，利用原子层沉积等薄膜沉积技术，不仅能辅助银纳米线导电膜图形化的过程，在不影响银纳米线导电膜的导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，将银纳米线导电薄膜局部区域采用半导体氧化物薄膜进行包覆，增加稳定性，并利用光刻胶辅助剥离未包覆有半导体氧化物薄膜的银纳米线，形成图形化银纳米线导电薄膜。2.根据权利要求1所述的一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体实现步骤如下：步骤S1、将分散有银纳米线的溶液超声处理使银纳米线均匀分散于溶剂中，接着在等离子体处理过的基板上均匀涂覆一层分散有银纳米线的溶液，加热基板使溶剂挥发，在基板上形成银纳米线导电膜；步骤S2、在涂覆有银纳米线导电膜的基板上，再均匀旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行前烘固化；步骤S3、将与所需电极图形对应的光刻掩膜版紧密贴附在光刻胶表面，进行曝光和显影处理，使光刻胶形成所需的光刻图形，并对基板后烘处理进行坚膜；步骤S4、在步骤S3形成的样品表面均匀沉积一层半导体氧化物薄膜；步骤S5、将镀有半导体氧化物薄膜的样品放入溶液中进行超声，有覆盖光刻胶区域的银纳米线被脱落的光刻胶剥离，留下图形化银纳米线导电膜；步骤S6、采用有机溶剂去除残余在基板的光刻胶，清洗烘干后形成图形化银纳米线导电膜。3.根据权利要求2所述的一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述基板包括玻璃、PDMS（聚二甲基硅氧烷）、PMMA（亚克力）、PI（聚酰亚胺）、PET（聚对苯二甲酸乙二酯）、Epoxy（环氧树脂）、PE（聚乙烯）、PS（聚苯乙烯）、PC（聚碳酸酯）；所述分散有银纳米线溶液的超声时间≥1分钟；所述基板等离子体处理时间≥1分钟。4.根据权利要求2所述的一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述分散有银纳米线溶液的涂覆方法包括旋涂、喷涂。5.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雄图，陈桂雄，郭太良，张永爱，吴朝兴，林志贤，叶芸，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：