一种用于MPCVD金刚石的制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及金刚石制备技术领域，且公开了一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座，底座的底面设置基底物预处理机构，基底物预处理机构包括固定杆、弧片一、弧片二、圆环和连杆，固定杆为实心圆柱体，固定杆的上端面与底座底面固定连接，通过各个弧片一的闭合推动各个弧片二的闭合进而使得各个弧片一和弧片二闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆上升的过程中，各个弧片一和弧片二内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一和弧片二之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同，减少基底物堆积在容器底部的情况，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，使得基底物与酸洗液充分接触，酸洗效果更优。优。

【技术实现步骤摘要】
一种用于MPCVD金刚石的制备装置


[0001]本专利技术涉及金刚石制备
，具体为一种用于MPCVD金刚石的制备装置。

技术介绍

[0002]人工制造金刚石常用方法包括压制或者气相沉积，而通过气相沉积的金刚石质量相对较高，但目前市场上的气相沉积炉功能单一，实际上在气相沉积之前，包含对基底物进行磨削与酸洗液进行混合酸洗等等预处理步骤，酸洗液与基底物在特定的设备中切削混合，基底物在酸洗液中的由于本身的密度不同，正常情况下基底物沉积在酸洗液的底部，基底物的沉积会导致基底物与酸洗液的接触面积减小，并且，基底物堆积在酸洗液的底层位置，而位于上层的酸洗液与底层基底物接触的频率大大降低，基底物的酸洗效果由于沉积而减弱，因此，亟需提出一种对基底物的酸洗装置。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于MPCVD金刚石的制备装置。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座(10)，其特征在于：所述底座(10)的底面设置基底物预处理机构，所述基底物预处理机构包括固定杆(23)、弧片一(24)、弧片二(25)、圆环(26)和连杆(27)，所述固定杆(23)为实心圆柱体，固定杆(23)的上端面与底座(10)底面固定连接，所述固定杆(23)和弧片一(24)的均与固定杆(23)的圆周面转动连接，所述圆环(26)与弧片一(24)的滑动连接，所述连杆(27)与圆环(26)固定连接，弧片一(24)和弧片二(25)的水平截面均为花瓣状，连杆(27)通过基底物再处理机构与底座(10)活动连接，所述基底物再处理机构包括拨动杆(15)、推动块(16)、翅片一(19)和转动槽(22)，所述推动块(16)与底座(10)滑动链接，底座(10)上开设转动槽(22)，所述拨动杆(15)穿过转动槽(22)且拨动杆(15)与底座(10)转动连接，拨动杆(15)位于底座(10)外的一端与翅片一(19)固定连接，拨动杆(15)位于底座(10)内的一端与推动块(16)啮合，所述翅片一(19)的水平截面为月牙形，底座(10)上还设置深度调节机构。2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述深度调节机构包括竖直顶杆(28)、齿轮(32)和竖板(33)，所述竖板(33)的横向截面为矩形，竖板(33)中心处开设长方形槽，竖板(33)的内左侧壁和内右侧壁均开设齿口，所述齿轮(32)位于竖板(33)的长方形槽内且齿轮(32)只有半圈齿牙，所述竖直顶杆(28)与底座(10)底面固定连接，竖直顶杆(28)的底面与竖板(33)的外顶面转动连接。3.根据权利要求2所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述弧片二(25)和弧片一(24)的数量均为六，六个弧片一(24)均与固定杆(23)的侧壁转动连接，六个弧片二(25)均与固定杆(23)的侧壁转动连接，各个弧片二(25)位于各个弧片一(24)的上方，六个弧片一(24)和六个弧片二(25)均在固定杆(23)上等分设置，弧片一(24)和弧片二(25)交错设置。4.根据权利要求3所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述基底物预处理机构还包括翅片二(20)和翅片三(21)，底座(10)的水平截面为两个弓形组成的共同体，底座(10)的圆周面上开设转动槽(22...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏明，任泽阳，李升，
申请(专利权)人：浙江鸿芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：