一种显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括发光二极管、基板和器件层，器件层包括电极层和薄膜晶体管器件层，电极层包括第一金属部和第二金属部；第一金属部朝向发光二极管一侧设置有第一金属连接部和第二金属连接部，第一金属连接部与第一金属部、发光二极管的第一电极连接，第二金属连接部与第二金属部、发光二极管的第二电极连接，且第一金属连接部和第二金属连接部用于与发光二极管连接的面位于平行于基板的同一平面内。该显示面板及其制作方法改善了电镀金属层的厚度均匀性较差，LED Bonding时，LED阴阳极PAD高度差异超出锡膏所能覆盖的范围，会造成Bonding失效的问题。会造成Bonding失效的问题。会造成Bonding失效的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]Micro
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LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，是指在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列(如:LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮)，将像素点距离从毫米级降至微米级。Micro
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LED显示器件，具有自发光显示特性，且具有全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境的优势。同时，Micro LED不仅效率高、寿命长，材料也不易受到环境影响，因此，表现相对稳定，也能避免产生残影现象等，可广泛应用于显示屏、背光源及照明等显示领域，被誉为下一代显示技术。
[0003]现有技术中，大尺寸、高分辨率显示面板需要金属走线的宽度越来越窄，导致电阻值上升。为满足IR drop(压降)要求、确保Micro LED显示均匀性，金属走线的厚度需要足够厚。无论是Mini LED，还是Micro LED，不管是背光产品还是现实产品，金属走线大多通过金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括发光二极管、基板和器件层，其中：所述器件层包括电极层和薄膜晶体管器件层，所述电极层包括间隔设置的第一金属部和第二金属部，所述第一金属部与所述薄膜晶体管器件层中的漏极连接；所述第一金属部和所述第二金属部朝向所述发光二极管一侧设置有第一金属连接部和第二金属连接部，所述第一金属连接部与所述第一金属部以及所述发光二极管的第一电极连接，所述第二金属连接部与所述第二金属部以及所述发光二极管的第二电极连接，且所述第一金属连接部和所述第二金属连接部用于与所述发光二极管连接的面位于平行于所述基板的同一平面内。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电极层位于所述基板与所述薄膜晶体管器件层之间；所述发光二极管位于所述基板背离所述器件层的一侧，所述第一金属连接部穿过所述基板连接所述第一金属部与所述发光二极管的第一电极，所述第二金属连接部穿过所述基板连接所述第二金属部以及所述发光二极管的第二电极。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层包括设置于所述电极层背离所述基板一侧的第一钝化层、设置于所述第一钝化层上的平坦层、设置于所述平坦层上的栅极层、设置于所述栅极层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的有源层、设置于所述栅极绝缘层上的源漏电极层，以及设置于所述有源层、所述源漏电极层上的第二钝化层。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述基板朝向所述发光二极管的一侧设置有第三钝化层，所述基板以及所述第三钝化层上均形成有对应与所述第一金属连接部和所述第二金属连接部的孔；所述第一金属连接部和所述第二金属连接部形成于对应的所述孔中。5.根据权利要求2
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4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属连接部以及所述第二金属连接部与所述电极层分层设置。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层位于所述基板与所述电极层之间。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属连接部和所述第二金属连接部位于所述电极层背离所述薄膜晶体管器件层的一侧，且所述第一金属连接部上形成有用于与所述发光二极管的第一电极连接的第一台阶面，所述第一电极与所述第一台阶面连接；所述第二金属连接部上形成有用于与所述发光二极管的第二电极连接的第二台阶面，所述第二电极与所述第二台阶面连接；所述第一台阶面和所述第二台阶面位于同一平面内，且该所述平面与所述基板平行。8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制备器件层及第一金属连接部和第二金属连接部；其中，所述器件层包括电极层和薄膜晶体管器件层，所述电极层包括间隔设置的第一金属部和第二金属部，所述第一金属部与所述薄膜晶体管器件层中的漏极连接；所述第一金属连接部设置于所述第一金属部朝向发光二极管一侧，所述第二金属连接部设置于所述第二金属部朝向所述发光二极管一侧，所述第一金属连接部与所述第一金属
部以及所述发光二极管的第一电极连接，所述第二金属连接部与所述第二金属部以及所述发光二极管的第二电极连接，且所述第一金属连接部和所述第二金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛大鹏，董水浪，王珂，曹占锋，袁广才，王利忠，姚念琦，陈婉芝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：