氧化钨溅射靶制造技术

本发明专利技术的特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化钨溅射靶


[0001]本专利技术涉及一种形成氧化钨膜时所使用的氧化钨溅射靶。
[0002]本申请主张基于2019年3月15日于日本申请的专利申请2019
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048885号及2020年3月6日于日本申请的专利申请2020
‑
039257号的优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]上述的氧化钨膜用于电致变色显示元件或遮光部件等各种领域。并且，在专利文献1中，公开有使用氧化钨膜(WO
X
膜)作为有机EL元件的阳极。
[0004]如专利文献1所记载，通过使用了溅射靶的溅射法形成上述的氧化钨膜。
[0005]作为形成氧化钨膜的溅射靶，例如，如专利文献2、专利文献3所示，提供有一种由烧结氧化钨粉末而成的烧结体构成的氧化钨溅射靶。
[0006]在专利文献2中，为了提高烧结体的密度，公开有一种将锰或者锰化合物作为烧结助剂而添加的氧化钨溅射靶。
[0007]并且，在专利文献3中，公开了一种氧化钨溅射靶，其为了能够进行DC溅射，使用含有WO2、W
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化钨溅射靶，其特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W
18
O
49
的峰，并且所述溅射面的W
18
O
49
的(103)面的衍射强度I
S(103)
与(010)面的衍射强度I
S(010)
之比I
S(103)
/I
S(010)
为0.57以上，所述截面的W
18
O
49
的(103)面的衍射强度I
C(103)
与(010)面的衍射强度...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口刚，井尾谦介，河村栞里，梅本启太，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：