利用2DS-T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用2DS

【技术实现步骤摘要】
利用2D S
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T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法


[0001]本专利技术涉及一种实现拓扑角态的简易方法，具体涉及一种利用二维Stampfli
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Triangle(2D S
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T)光子晶体实现多频段拓扑角态的方法。

技术介绍

[0002]对于常规拓扑绝缘体，d维拓扑绝缘体一般存在d
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1维拓扑边界态。然而，高阶拓扑绝缘体的发现提出了一种非常规的体
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边对应关系：d维拓扑绝缘体出现了小于d
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1维的无带隙拓扑边界态。其中，2D 2阶拓扑绝缘体产生零维拓扑边界态，又称之为拓扑角态。其出现拓宽了非平庸拓扑绝缘相族，在光学领域中为光学成像、光子局域及控制光波导传输提供了新思路。同时，光学拓扑角态因无需人为构造缺陷而为光学微腔的研究提供了一种简易方法，也将进一步为新型激光器等相关器件的研究提供新动力。
[0003]拓扑角态的研究主要集中于基于2D Su
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Schrieffer
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Heeger(SSH)模型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用2DS
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T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、基于2DS
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T光子晶体，改变其散射子直径大小，产生里大外小型TypeI：里层7个散射子直径大于外层12个散射子直径、里外一致型TypeII：里层7个散射子直径等于外层12个散射子直径、里小外大型TypeIII：里层7个散射子直径小于外层12个散射子直径三种不同类型的基本结构单元；步骤二、调节TypeI与TypeIII光子晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建军，彭宇宸，颜贝，谢建斓，史奥芊，高峰，彭鹏，蒋家培，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：