一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法，复合材料以二维氧化石墨烯晶体为填料，聚偏氟乙烯为基体，聚乙烯吡咯烷酮为胶溶剂制得，具体是将氧化石墨烯与聚偏氟乙烯粒料混合后投入到N,N

【技术实现步骤摘要】
一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于复合材料
，具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于电子科技的飞速发展，导电高分子储能材料广泛应用于航空航天、信息工业及电子制造等多个领域。随着电子科技技术要求的不断提高，对电子科技生产制造过程中所应用的储能元器件的性能要求也不断的提高，电子储能元器件逐步趋向于高性能、高稳定、高材质的方向进行发展。但传统的单一高分子储能材料难以满足现代电子科技发展的需求。研究发现，通过不同材料复合所形成的导电高分子复合储能材料实现了多种单一高分子材料性能叠加的效果，以高稳定性、微型化、低成本等优点，填补了传统的单一高分子储能材料的不足，得到了业界充分的认可及广泛的应用。
[0003]根据介电材料性能的不同，介电材料可分为无机陶瓷介电材料、聚合物介电材料及导电高分子复合介电材料。其中，氧化石墨烯碳材料因其在使用过程中的作用面积大，导热及导电性能优越，介电传导性能较强，生产制造成本较低等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料，其特征在于：以二维氧化石墨烯晶体为填料，聚偏氟乙烯为基体，聚乙烯吡咯烷酮为胶溶剂制得。2.根据权利要求1所述的一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯高介电复合材料，其特征在于：所述二维氧化石墨烯晶体与聚偏氟乙烯的质量比为0.2
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0.6％：1，聚乙烯比咯烷酮与聚偏氟乙烯的质量比为1：1。3.一种聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将氧化石墨烯按重量百分数为0.2
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0.6wt.％与聚偏氟乙烯粒料进行手工混合后投入到50ml的N,N
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二甲基甲酰胺溶液中得到的混合溶液超声6
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8h；B、将聚乙烯吡咯烷酮粒料投入混合溶液中在60
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70摄氏度搅拌10
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12h得到均匀的混合溶液；C、将上述溶液倒入表面皿中置入恒温干燥箱中60摄氏度干燥8
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12h，得到聚乙烯吡咯烷酮/氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟繁玲，孟凡博，方晨宇，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：